Fourniture OEM Chine Excellent carbure de silicium vert Sic pour revêtement collé

Description courte :

Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté et d'une résistance aux atmosphères oxydantes supérieures. Le SiC, déposé par CVD ou CVI, est appliqué sur le graphite de pièces de conception simple ou complexe. Ce revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.


  • Lieu d'origine :Zhejiang, Chine (continentale)
  • Numéro de modèle :Numéro de modèle :
  • Composition chimique :graphite recouvert de SiC
  • Résistance à la flexion :470 MPa
  • Conductivité thermique :300 W/mK
  • Qualité:Parfait
  • Fonction:CVD-SiC
  • Application:Semiconducteur / Photovoltaïque
  • Densité:3,21 g/cm³
  • Dilatation thermique :4 10-6/K
  • Cendre: <5 ppm
  • Échantillon:Disponible
  • Code SH :6903100000
  • Détails du produit

    Étiquettes de produit

    Pour satisfaire pleinement les attentes de nos clients, nous disposons d'une équipe solide qui offre un soutien global optimal, incluant le marketing, les revenus, la conception, la production, une excellente gestion, l'emballage, l'entreposage et la logistique pour la fourniture OEM Chine d'excellent carbure de silicium vert Sic destiné aux abrasifs enrobés liés. La haute qualité, le service rapide et les prix compétitifs nous ont permis d'acquérir une excellente réputation dans le domaine des matériaux de pointe, malgré une concurrence internationale intense.

    Description du produit

    Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages spécifiques, notamment une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils offrent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

    Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté supérieure et présentant une excellente résistance à l'atmosphère oxydante.
    Le SiC déposé par CVD ou CVI est appliqué sur du graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

    Suscepteur MOCVD revêtu de SiC

    Caractéristiques:
    • Excellente résistance aux chocs thermiques
    • Excellente résistance aux chocs physiques
    • Excellente résistance chimique
    · Pureté extrêmement élevée
    · Disponible sous forme complexe
    Utilisable sous atmosphère oxydante

    Application:

    2

     

    Propriétés typiques du graphite de base :

    Densité apparente : 1,85 g/cm3
    Résistivité électrique : 11 μΩm
    Résistance à la flexion : 49 MPa (500 kgf/cm2)
    Dureté Shore : 58
    Cendre: <5 ppm
    Conductivité thermique : 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

    Carbon fournit des suscepteurs et des composants en graphite pour tous les réacteurs d'épitaxie actuels. Notre gamme comprend des suscepteurs cylindriques pour les unités d'épitaxie appliquée et en phase liquide (LPE), des suscepteurs plats pour les unités LPE, CSD et Gemini, ainsi que des suscepteurs monocouches pour les unités d'épitaxie appliquée et ASM. Grâce à des partenariats solides avec les principaux équipementiers, à une expertise pointue des matériaux et à un savoir-faire reconnu en matière de fabrication, VET propose la solution optimale pour votre application.

     


  • Précédent:
  • Suivant:

  • Chat en ligne WhatsApp !