Plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC)

La plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC) VET Energy est un matériau semi-conducteur à large bande interdite hautes performances avec d'excellentes caractéristiques de résistance à haute température, de haute fréquence et de puissance élevée. C'est un substrat idéal pour la nouvelle génération d'appareils électroniques de puissance. VET Energy utilise la technologie épitaxiale MOCVD avancée pour développer des couches épitaxiales SiC de haute qualité sur des substrats SiC, garantissant ainsi les excellentes performances et la cohérence de la tranche.

Notre plaquette épitaxiale en carbure de silicium (SiC) offre une excellente compatibilité avec une variété de matériaux semi-conducteurs, notamment la plaquette Si, le substrat SiC, la plaquette SOI et le substrat SiN. Grâce à sa couche épitaxiale robuste, il prend en charge des processus avancés tels que la croissance d'Epi Wafer et l'intégration de matériaux tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et l'AlN Wafer, garantissant une utilisation polyvalente dans différentes technologies. Conçu pour être compatible avec les systèmes de manipulation de cassettes standard de l'industrie, il garantit des opérations efficaces et rationalisées dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

La gamme de produits de VET Energy ne se limite pas aux plaquettes épitaxiales SiC. Nous fournissons également une large gamme de matériaux de substrat semi-conducteur, notamment Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. En outre, nous développons également activement de nouveaux matériaux semi-conducteurs à large bande interdite, tels que l'oxyde de gallium Ga2O3 et l'AlN. Wafer, pour répondre à la demande future de l'industrie de l'électronique de puissance en dispositifs plus performants.