LeRevêtement en carbure de silicium Feuille épitaxialeEssayer Utilisé dansÉquipement de four épitaxialfabriqué en Chine par Vet Energy, qui est l'un des fabricants et fournisseurs en Chine. Achetez un plateau de feuilles épitaxiales revêtues de carbure de silicium utilisé dans l'équipement de four épitaxial en Chine à bas prix auprès de notre usine. Nous avons nos propres marques et nous soutenons également le vrac. Si vous êtes intéressé par nos produits, nous vous proposerons un prix avantageux. Bienvenue pour acheter un produit à prix réduit qui est le plus récent et de qualité supérieure chez nous.
Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.
Principales caractéristiques :
1. Résistance à l’oxydation à haute température :
la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC :
Propriétés SiC-CVD | ||
Structure cristalline | Phase β du FCC | |
Densité | g/cm³ | 3.21 |
Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
Taille des grains | µm | 2~10 |
Pureté chimique | % | 99.99995 |
Capacité thermique | J·kg-1·K-1 | 640 |
Température de sublimation | ℃ | 2700 |
Force de flexion | MPa (RT 4 points) | 415 |
Module de Young | Gpa (courbure 4pt, 1300℃) | 430 |
Expansion thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
Conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
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