réchauffeur de revêtement céramique en carbure de silicium

Brève description :

En tant que fabricant et fournisseur professionnel de revêtement céramique en carbure de silicium en Chine, le revêtement céramique en carbure de silicium de Vet-China est largement utilisé sur les composants clés des équipements de fabrication de semi-conducteurs, en particulier lorsque les processus CVD et PECVD sont impliqués. Vet-China est spécialisé dans la fabrication et la fourniture de revêtements céramiques en carbure de silicium haute performance et s'engage à fournir des technologies et des solutions de produits avancées pour l'industrie des semi-conducteurs. Faites bon accueil à vos demandes.


Détail du produit

Mots clés du produit

Vétérinaire-ChineCéramique de carbure de siliciumLe revêtement est un revêtement protecteur haute performance composé de matériaux extrêmement durs et résistants à l'usure.carbure de silicium (SiC)Matériau qui offre une excellente résistance à la corrosion chimique et une stabilité à haute température. Ces caractéristiques sont cruciales dans la production de semi-conducteurs, doncRevêtement céramique en carbure de siliciumest largement utilisé dans les composants clés des équipements de fabrication de semi-conducteurs.

Le rôle spécifique de Vet-ChineCéramique de carbure de siliciumLe revêtement dans la production de semi-conducteurs est le suivant :

Améliorer la durabilité des équipements :Revêtement céramique en carbure de silicium Le revêtement céramique en carbure de silicium offre une excellente protection de surface pour les équipements de fabrication de semi-conducteurs grâce à sa dureté et sa résistance à l'usure extrêmement élevées. En particulier dans les environnements de processus à haute température et hautement corrosifs, tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et la gravure au plasma, le revêtement peut efficacement empêcher la surface de l'équipement d'être endommagée par l'érosion chimique ou l'usure physique, prolongeant ainsi considérablement la durée de vie de l'équipement et réduire les temps d'arrêt causés par des remplacements et des réparations fréquents.

Améliorer la pureté du processus :Dans le processus de fabrication des semi-conducteurs, une infime contamination peut entraîner des défauts du produit. L'inertie chimique du revêtement céramique en carbure de silicium lui permet de rester stable dans des conditions extrêmes, empêchant le matériau de libérer des particules ou des impuretés, garantissant ainsi la pureté environnementale du processus. Ceci est particulièrement important pour les étapes de fabrication qui nécessitent une haute précision et une grande propreté, telles que le PECVD et l’implantation ionique.

Optimiser la gestion thermique :Dans le traitement des semi-conducteurs à haute température, tel que le traitement thermique rapide (RTP) et les processus d'oxydation, la conductivité thermique élevée du revêtement céramique en carbure de silicium permet une répartition uniforme de la température à l'intérieur de l'équipement. Cela contribue à réduire les contraintes thermiques et la déformation des matériaux causées par les fluctuations de température, améliorant ainsi la précision et la cohérence de la fabrication des produits.

Prise en charge d'environnements de processus complexes :Dans les processus qui nécessitent un contrôle complexe de l'atmosphère, tels que les processus de gravure ICP et PSS, la stabilité et la résistance à l'oxydation du revêtement céramique en carbure de silicium garantissent que l'équipement maintient des performances stables en fonctionnement à long terme, réduisant ainsi le risque de dégradation des matériaux ou de dommages à l'équipement dus. aux changements environnementaux.

revêtement céramique en carbure de silicium
Chauffage graphite (4)

MCV SiC薄膜基本物理性能

Propriétés physiques de base du CVD SiCrevêtement

性质 / Propriété

典型数值 / Valeur typique

晶体结构 / Structure Cristalline

Phase β du FCC多晶,主要为(111)

密度 / Densité

3,21 g/cm³

硬度 / Dureté

2500 维氏硬度 (charge de 500 g)

晶粒大小 / TAILLE DES GRAINS

2~10μm

纯度 / Pureté chimique

99,99995%

热容 / Capacité thermique

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Température de sublimation

2700 ℃

抗弯强度 / Résistance à la flexion

415 MPa RT 4 points

杨氏模量 / Module de Young

Courbure 430 Gpa 4pt, 1300℃

导热系数 / ThermesjeConductivité

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Expansion thermique (CTE)

4,5×10-6K-1

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