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Application des céramiques de carbure de silicium dans le domaine des semi-conducteurs
par administrateur le 24-10-10
Le matériau préféré pour les pièces de précision des machines de photolithographie Dans le domaine des semi-conducteurs, les matériaux céramiques en carbure de silicium sont principalement utilisés dans les équipements clés pour la fabrication de circuits intégrés, tels que la table de travail en carbure de silicium, les rails de guidage, les réflecteurs, le mandrin d'aspiration en céramique, les bras, les g...
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0Quels sont les six systèmes d'un four monocristallin
par administrateur le 24-09-23
Un four monocristallin est un dispositif qui utilise un radiateur en graphite pour faire fondre des matériaux de silicium polycristallin dans un environnement de gaz inerte (argon) et utilise la méthode Czochralski pour faire croître des monocristaux non disloqués. Il est principalement composé des systèmes suivants : Mécanique...
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Pourquoi avons-nous besoin de graphite dans le domaine thermique du four monocristallin
par administrateur le 24-09-23
Le système thermique du four monocristallin vertical est également appelé champ thermique. La fonction du système de champ thermique en graphite fait référence à l'ensemble du système permettant de faire fondre les matériaux en silicium et de maintenir la croissance du monocristal à une certaine température. En termes simples, c'est un graphique complet...
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Plusieurs types de procédés pour la découpe de plaquettes de semi-conducteurs de puissance
par administrateur le 24-09-20
La découpe de plaquettes est l'un des maillons importants de la production de semi-conducteurs de puissance. Cette étape est conçue pour séparer avec précision les circuits intégrés ou puces individuels des tranches semi-conductrices. La clé de la découpe de plaquettes est de pouvoir séparer les puces individuelles tout en garantissant que la structure délicate...
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Processus BCD
par administrateur le 24-09-18
Qu’est-ce que le processus BCD ? Le processus BCD est une technologie de processus intégré monopuce introduite pour la première fois par ST en 1986. Cette technologie permet de créer des dispositifs bipolaires, CMOS et DMOS sur la même puce. Son aspect réduit considérablement la surface de la puce. On peut dire que le processus BCD utilise pleinement le...
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BJT, CMOS, DMOS et autres technologies de processus semi-conducteurs
par administrateur le 24-09-10
Bienvenue sur notre site Web pour obtenir des informations et des consultations sur les produits. Notre site Web : https://www.vet-china.com/ Alors que les processus de fabrication de semi-conducteurs continuent de faire des percées, une célèbre déclaration appelée « loi de Moore » circule dans l'industrie. C'était p...
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Processus de structuration de semi-conducteurs, gravure en flux
par administrateur le 24-09-10
Les premières gravures humides ont favorisé le développement de procédés de nettoyage ou de incinération. Aujourd’hui, la gravure sèche au plasma est devenue le procédé de gravure courant. Le plasma est constitué d'électrons, de cations et de radicaux. L'énergie appliquée au plasma provoque l'apparition des électrons les plus externes de...
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Recherche sur le four épitaxial SiC de 8 pouces et le procédé homoépitaxial-Ⅱ
par administrateur le 24-09-04
2 Résultats expérimentaux et discussion 2.1 Épaisseur et uniformité de la couche épitaxiale L'épaisseur de la couche épitaxiale, la concentration de dopage et l'uniformité sont l'un des indicateurs de base pour juger de la qualité des tranches épitaxiales. Épaisseur contrôlable avec précision, dopage co...
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Recherche sur le four épitaxial SiC de 8 pouces et le procédé homoépitaxial-Ⅰ
par administrateur le 24-09-04
Actuellement, l'industrie du SiC passe de 150 mm (6 pouces) à 200 mm (8 pouces). Afin de répondre à la demande urgente de l'industrie en plaquettes homoépitaxiales SiC de grande taille et de haute qualité, des plaquettes homoépitaxiales SiC 4H-SiC de 150 mm et 200 mm ont été préparées avec succès sur do...
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