Palette en porte-à-faux en carbure de silicium RBSIC/SISIC de bonne qualité, utilisée dans l'industrie photovoltaïque solaire

Palette en porte-à-faux en carbure de silicium RBSIC/SISIC de haute qualité utilisée dans l'industrie photovoltaïque solaire (image présentée)

Description courte :

Nos suscepteurs en graphite revêtus de SiC présentent des avantages spécifiques, notamment une pureté extrêmement élevée, un revêtement homogène et une excellente durée de vie. Ils offrent également une résistance chimique et une stabilité thermique élevées.

Nous maintenons des tolérances très strictes lors de l'application du revêtement SiC, grâce à un usinage de haute précision garantissant un profil de suscepteur uniforme. Nous produisons également des matériaux aux propriétés de résistance électrique idéales pour les systèmes de chauffage par induction. Tous les composants finis sont accompagnés d'un certificat de pureté et de conformité dimensionnelle..

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Détails du produit

Étiquettes de produit

Des outils performants, une équipe d'experts en rentabilité et un service après-vente nettement supérieur : nous formons une famille unie, où chacun adhère aux valeurs de l'entreprise « union, dévouement, tolérance ». Nous proposons des palettes cantilever en carbure de silicium RBSIC/SISIC de haute qualité pour l'industrie photovoltaïque solaire. Nous accueillons chaleureusement les partenaires commerciaux, tant étrangers que nationaux, et espérons collaborer avec vous dans un avenir proche !
Des outils performants, une équipe commerciale experte et un service après-vente nettement supérieur ; nous formons une famille unie, où chacun adhère aux valeurs de l’entreprise : « union, dévouement, tolérance ».Céramiques réfractaires et fours à céramique en ChineAfin de répondre aux exigences de chaque client en matière de service irréprochable et de produits de qualité constante, nous invitons chaleureusement les clients du monde entier à nous rendre visite. Grâce à notre collaboration diversifiée, nous développerons ensemble de nouveaux marchés et bâtirons un avenir prometteur !

Revêtement SiC/substrat en graphite revêtu pour semi-conducteur

Les suscepteurs maintiennent et chauffent les plaquettes de semi-conducteurs lors des traitements thermiques. Un suscepteur est constitué d'un matériau qui absorbe l'énergie par induction, conduction et/ou rayonnement et chauffe la plaquette. Sa résistance aux chocs thermiques, sa conductivité thermique et sa pureté sont essentielles pour les procédés thermiques rapides (RTP). Le graphite recouvert de carbure de silicium, le carbure de silicium (SiC) et le silicium (Si) sont couramment utilisés pour les suscepteurs, selon l'environnement thermique et chimique spécifique. Le SiC CVD PureSiC® et le matériau ultra-pur ClearCarbon™ offrent une stabilité thermique, une résistance à la corrosion et une durabilité supérieures.

Description du produit

Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté supérieure et présentant une excellente résistance à l'atmosphère oxydante.
Le SiC déposé par CVD ou CVI est appliqué sur du graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

Revêtement SiC/substrat en graphite revêtu pour semi-conducteur

Les céramiques techniques sont un choix naturel pour les applications de traitement thermique des semi-conducteurs, notamment le traitement thermique rapide (RTP), l'épitaxie (Epi), la diffusion, l'oxydation et le recuit. CoorsTek fournit des composants en matériaux avancés, spécialement conçus pour résister aux chocs thermiques, avec une grande pureté, une robustesse et des performances constantes pour les hautes températures.

Caractéristiques:
• Excellente résistance aux chocs thermiques
• Excellente résistance aux chocs physiques
• Excellente résistance chimique
· Pureté extrêmement élevée
· Disponible sous forme complexe
Utilisable sous atmosphère oxydante

application:

Avant d'être utilisable dans les dispositifs électroniques, une plaquette de silicium doit subir plusieurs étapes de traitement. L'une des plus importantes est l'épitaxie du silicium, où les plaquettes sont déposées sur des supports en graphite. Les propriétés et la qualité de ces supports ont une incidence cruciale sur la qualité de la couche épitaxiale.

Propriétés typiques du graphite de base :

Densité apparente :	1,85 g/cm3
Résistivité électrique :	11 μΩm
Résistance à la flexion :	49 MPa (500 kgf/cm2)
Dureté Shore :	58
Cendre:	<5 ppm
Conductivité thermique :	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)