Des outils bien gérés, une équipe experte en bénéfices et de bien meilleurs produits et services après-vente ; Nous avons également été un conjoint et des enfants majeurs unifiés, chaque personne s'en tient au bénéfice de l'entreprise « unification, dévouement, tolérance » pour une palette en porte-à-faux en carbure de silicium RBSIC/SISIC de bonne qualité utilisée dans l'industrie solaire photovoltaïque. Nous accueillons sincèrement les deux étrangers et nationaux. partenaires d'affaires, et j'espère travailler avec vous à court et à long terme !
Des outils bien gérés, une équipe experte en bénéfices et de bien meilleurs produits et services après-vente ; Nous avons également été un conjoint et des enfants majeurs unifiés, chaque personne s'en tient aux avantages de l'entreprise « unification, dévouement, tolérance » pourChine Céramique réfractaire et four à céramique, Pour répondre aux exigences des clients individuels pour un service un peu plus parfait et des articles de qualité stable. Nous invitons chaleureusement les clients du monde entier à nous rendre visite, grâce à notre coopération multiforme, et à développer conjointement de nouveaux marchés, à créer un avenir brillant !
Revêtement SiC/revêtu d'un substrat en graphite pour semi-conducteur Les suscepteurs maintiennent et chauffent les tranches semi-conductrices pendant le traitement thermique. Un suscepteur est constitué d'un matériau qui absorbe de l'énergie par induction, conduction et/ou rayonnement et chauffe la tranche. Sa résistance aux chocs thermiques, sa conductivité thermique et sa pureté sont essentielles au traitement thermique rapide (RTP). Le graphite recouvert de carbure de silicium, le carbure de silicium (SiC) et le silicium (Si) sont couramment utilisés pour les suscepteurs en fonction de l'environnement thermique et chimique spécifique. Matériau ultra-pur PureSiC® CVD SiC et ClearCarbon™ qui offre une stabilité thermique, une résistance à la corrosion et une durabilité supérieures. Description du produit
Le revêtement SiC du substrat en graphite pour les applications semi-conducteurs produit une pièce d'une pureté et d'une résistance supérieures à l'atmosphère oxydante.
CVD SiC ou CVI SiC est appliqué au graphite de pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur de très grandes pièces.
Les céramiques techniques sont un choix naturel pour les applications de traitement thermique des semi-conducteurs, notamment RTP (Rapid Thermal Processing), Epi (Epitaxial), diffusion, oxydation et recuit. CoorsTek fournit des composants matériels avancés spécialement conçus pour résister aux chocs thermiques avec des performances de haute pureté, robustes et reproductibles à haute température.
Caractéristiques:
· Excellente résistance aux chocs thermiques
· Excellente résistance aux chocs physiques
· Excellente résistance chimique
· Très haute pureté
· Disponibilité sous forme complexe
· Utilisable sous Atmosphère Oxydante
application:
Une plaquette doit passer par plusieurs étapes avant d’être prête à être utilisée dans des appareils électroniques. Un processus important est l'épitaxie du silicium, dans lequel les tranches sont portées sur des suscepteurs en graphite. Les propriétés et la qualité des suscepteurs ont un effet crucial sur la qualité de la couche épitaxiale de la tranche.
Propriétés typiques du matériau de base en graphite :
Densité apparente : | 1,85 g/cm3 |
Résistivité électrique : | 11 μΩm |
Résistance à la flexion : | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
Dureté Shore : | 58 |
Cendre: | <5 ppm |
Conductivité thermique : | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
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