CHAMP D'APPLICATION
Application et performances du produit Applications et utilisations du produit
Industrie du monocristal Si, GaN, AlN, saphir et autres socles MOCVD. -Revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallin
Performances principales : haute pureté, résistance à l'érosion, haute conductivité thermique, - Procédé MOCVD, revêtement base graphite pour croissance épitaxiale GaN
résistance à haute température, faible coefficient de dilatation thermique.
Conductivité thermique | 250 W/m°K | Méthode flash laser, RT |
Expansion thermique (CTE) | 4,5x10-6°K | Température ambiante jusqu'à 950 °C, dilatomètre à silice |
Propriété | Valeur | Méthode |
Densité | 3,21 g/cc | Évier-flotteur et dimension |
Chaleur spécifique | 0,66 J/g °K | Flash laser pulsé |
Résistance à la flexion | 450 MPa560 MPa | Coude 4 points, coude RT4 points, 1300° |
Résistance à la rupture | 2,94 MPa m1/2 | Microindentation |
Dureté | 2800 | Vicker's, charge de 500 g |
Module élastiqueModule de Young | 450 GPa430 GPa | Coude 4 points, coude RT4 points, 1 300 °C |
Taille des grains | 2 - 10 µm | MEB |
Pureté, structure SEM, analyse de l'épaisseur deRevêtement SiC
La pureté des revêtements SiC sur graphite par CVD atteint 99,9995 %. Sa structure est fcc. Les films de SiC recouverts de graphite sont (111) orientés comme le montrent les données XRD (Fig.1), indiquant sa haute qualité cristalline. L'épaisseur du film de SiC est très uniforme, comme le montre la figure 2.
Fig. 2 : épaisseur uniforme des films SiC
La structure cristalline du film CVD SiC est une structure cubique à faces centrées et l'orientation de croissance du film est proche de 100 %
MEB et XRD d'un film bêta‐SiC sur graphite
BASE ÉPITAXIALE EN SILICIUM MONOCRISTALLIN
Performances du produit et perspectives d’application.
Revêtement en carbure de silicium (SiC)La base est la meilleure base pour l'épitaxie de silicium monocristallin et de GaN, qui est le composant central du four d'épitaxie. La base est un accessoire clé pour la production de silicium monocristallin destiné aux grands circuits intégrés. Il présente une pureté élevée, une résistance aux températures élevées, une résistance à la corrosion, une bonne étanchéité à l'air et d'autres excellentes caractéristiques matérielles.
Application et utilisation du produit
Revêtement de base en graphite pour la croissance épitaxiale de silicium monocristallinConvient aux machines Aixtron, etc.Épaisseur du revêtement : 90 ~ 150 umLe diamètre du cratère de la plaquette est de 55 mm.
SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE
GAupidpelitcubaetiaonnd
revêtement de creuset en graphitepour le silicium monocristallin par méthode de tirage direct
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Atelier sans poussière classe 1000
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Pour l'étape après-vente, notre équipe de service reste toujours en contact étroit avec vous et est toujours à votre service. Notre service après-vente professionnel inclut même nos ingénieurs pour vous aider à résoudre les problèmes sur site. Notre garantie est de 12 mois après la livraison.
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