Großhandel OEM/ODM GaN-basierte Depitaxie auf Sic-Substraten 4''

Kurzbeschreibung:

Waferträger, die bei der epitaktischen Wachstumsverarbeitung verwendet werden, müssen hohen Temperaturen und einer aggressiven chemischen Reinigung standhalten. CoorsTek Clear Carbon™ Suszeptoren wurden speziell für diese anspruchsvollen Epitaxiegeräteanwendungen entwickelt. Ihre mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, eine gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren


Produktdetails

Produkt-Tags

Es ist tatsächlich eine gute Möglichkeit, unsere Produkte und Lösungen zu verbessern und zu reparieren. Unsere Mission sollte es sein, einfallsreiche Produkte und Lösungen für Kunden zu produzieren und dabei eine fantastische Arbeitserfahrung für Großhandels-OEM/ODM-GaN-basierte Depitaxie auf Sic-Substraten 4'' zu nutzen. Wir konzentrieren uns auf den Aufbau einer eigenen Marke und in Kombination mit zahlreichen erfahrenen Ausdrucksformen und erstklassiger Ausrüstung . Unsere Waren, die Sie wert sind.
Es ist tatsächlich eine gute Möglichkeit, unsere Produkte und Lösungen zu verbessern und zu reparieren. Unsere Mission sollte es sein, unseren Kunden einfallsreiche Produkte und Lösungen zu bieten und ihnen ein fantastisches Arbeitserlebnis zu bietenChina GaN-Substrate und GaN-FilmMit einem breiten Sortiment, guter Qualität, angemessenen Preisen und stilvollem Design werden unsere Waren häufig in der Schönheitsbranche und anderen Branchen eingesetzt. Unsere Produkte und Lösungen genießen bei den Anwendern weithin Anerkennung und Vertrauen und können den sich ständig ändernden wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Anforderungen gerecht werden.

SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Waferträger

Alle unsere Suszeptoren bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit. Profitieren Sie von der hohen Reinheit unserer Graphite – speziell entwickelt für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und Plasmaätzung sowie für die Herstellung von LED-Chips.

Produktbeschreibung
Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

 

Compon

SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Waferträger

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Beim Aufbringen der SiC-Beschichtung halten wir sehr enge Toleranzen ein und verwenden hochpräzise Bearbeitung, um ein gleichmäßiges Suszeptorprofil zu gewährleisten. Wir produzieren auch Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert.

Anwendung:

2

Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender AtmosphäreTypische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

Scheinbare Dichte: 1,85 g/cm3
Elektrischer Widerstand: 11 μΩm
Biegefestigkeit: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore-Härte: 58
Asche: <5ppm
Wärmeleitfähigkeit: 116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

Es ist tatsächlich eine gute Möglichkeit, unsere Produkte und Lösungen zu verbessern und zu reparieren. Unsere Mission sollte es sein, einfallsreiche Produkte und Lösungen für Kunden zu produzieren und dabei eine fantastische Arbeitserfahrung für Großhandels-OEM/ODM-GaN-basierte Depitaxie auf Sic-Substraten 4'' zu nutzen. Wir konzentrieren uns auf den Aufbau einer eigenen Marke und in Kombination mit zahlreichen erfahrenen Ausdrucksformen und erstklassiger Ausrüstung . Unsere Waren, die Sie wert sind.
Großhandel OEM/ODMChina GaN-Substrate und GaN-FilmMit einem breiten Sortiment, guter Qualität, angemessenen Preisen und stilvollem Design werden unsere Waren häufig in der Schönheitsbranche und anderen Branchen eingesetzt. Unsere Produkte und Lösungen genießen bei den Anwendern weithin Anerkennung und Vertrauen und können den sich ständig ändernden wirtschaftlichen und gesellschaftlichen Anforderungen gerecht werden.


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