Wir verfügen über ein hochqualifiziertes Team, das sich um Kundenanfragen kümmert. Unser Ziel ist die hundertprozentige Kundenzufriedenheit durch exzellente Produkte und Dienstleistungen, faire Preise und erstklassigen Kundenservice. Wir streben eine hohe Kundenzufriedenheit an. Dank unserer zahlreichen Produktionsstätten können wir eine breite Palette an kostengünstigen GaN-basierten depitaktischen Schichten auf 4-Zoll-SiC-Substraten anbieten. Wir freuen uns über Geschäftspartner aus allen Branchen und hoffen auf eine partnerschaftliche und freundschaftliche Zusammenarbeit, um gemeinsam eine Win-Win-Situation zu erreichen.
Wir verfügen über ein hochqualifiziertes Team, das sich um Kundenanfragen kümmert. Unser Ziel ist die hundertprozentige Kundenzufriedenheit durch exzellente Produkte und Dienstleistungen, faire Preise und erstklassigen Kundenservice. Wir streben eine hohe Kundenzufriedenheit an. Dank unserer zahlreichen Produktionsstätten können wir ein breites Sortiment anbieten.China GaN-Substrate und GaN-FilmeWir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Kunden weltweit. Wir sind überzeugt, Sie mit unseren hochwertigen Produkten und unserem perfekten Service überzeugen zu können. Gerne laden wir Sie ein, unser Unternehmen zu besuchen und unsere Produkte zu erwerben.

SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Waferträger

Alle unsere Suszeptoren bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit. Profitieren Sie von der hohen Reinheit unserer Graphite – speziell entwickelt für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und Plasmaätzen sowie für die Herstellung von LED-Chips.

Produktbeschreibung
Die SiC-Beschichtung eines Graphitsubstrats für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Bauteil mit überlegener Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Bauteilen mit einfacher oder komplexer Konstruktion aufgebracht. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Schichtdicken und auf sehr großen Bauteilen erfolgen.

Komponente

Zu den besonderen Vorteilen unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren zählen extrem hohe Reinheit, homogene Beschichtung und eine ausgezeichnete Lebensdauer. Sie weisen zudem eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität auf.

Wir gewährleisten durch hochpräzise Bearbeitung und die Einhaltung engster Toleranzen bei der SiC-Beschichtung ein gleichmäßiges Suszeptorprofil. Zudem fertigen wir Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert.

Anwendung:

Merkmale:
• Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
• Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
• Ausgezeichnete Chemikalienbeständigkeit
• Höchste Reinheit
• Verfügbarkeit in komplexen Formen
• Anwendbar unter oxidierender AtmosphäreTypische Eigenschaften des Basisgraphitmaterials:

Wir verfügen über ein hochqualifiziertes Team, das sich um Kundenanfragen kümmert. Unser Ziel ist die hundertprozentige Kundenzufriedenheit durch exzellente Produkte und Dienstleistungen, faire Preise und erstklassigen Kundenservice. Wir streben eine hohe Kundenzufriedenheit an. Dank unserer zahlreichen Produktionsstätten können wir eine breite Palette an kostengünstigen GaN-basierten depitaktischen Schichten auf 4-Zoll-SiC-Substraten anbieten. Wir freuen uns über Geschäftspartner aus allen Branchen und hoffen auf eine partnerschaftliche und freundschaftliche Zusammenarbeit, um gemeinsam eine Win-Win-Situation zu erreichen.
Rabattierter PreisChina GaN-Substrate und GaN-FilmeWir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit Kunden weltweit. Wir sind überzeugt, Sie mit unseren hochwertigen Produkten und unserem perfekten Service überzeugen zu können. Gerne laden wir Sie ein, unser Unternehmen zu besuchen und unsere Produkte zu erwerben.