Wir verfügen nun über eine hocheffiziente Belegschaft für die Bearbeitung von Verbraucheranfragen. Unser Ziel ist „100 % Kundenzufriedenheit durch unser Produkt oder unsere Dienstleistung, ausgezeichneter Verkaufspreis und unseren Crew-Service“ und eine große Beliebtheit bei der Kundschaft. Mit vielen Fabriken können wir eine große Auswahl an 4''-GaN-basierten Depitaxie-Substraten auf Sic-Substraten zu ermäßigten Preisen anbieten. Wir heißen kleine Unternehmen aus allen Gesellschaftsschichten herzlich willkommen und hoffen, freundschaftliche und kooperative Geschäfte mit Ihnen zu knüpfen und zu erreichen ein Win-Win-Ziel.
Wir verfügen nun über eine hocheffiziente Belegschaft für die Bearbeitung von Verbraucheranfragen. Unser Ziel ist „100 % Kundenzufriedenheit durch unser Produkt oder unsere Dienstleistung, ausgezeichneter Verkaufspreis und unseren Crew-Service“ und eine große Beliebtheit bei der Kundschaft. Mit vielen Fabriken können wir ein breites Sortiment anbietenChina GaN-Substrate und GaN-Film, Wir freuen uns aufrichtig auf die Zusammenarbeit mit Kunden auf der ganzen Welt. Wir glauben, dass wir Sie mit unseren hochwertigen Produkten und unserem perfekten Service zufrieden stellen können. Wir heißen auch Kunden herzlich willkommen, unser Unternehmen zu besuchen und unsere Produkte zu kaufen.

SiC-beschichtete Graphit-MOCVD-Waferträger

Alle unsere Suszeptoren bestehen aus hochfestem isostatischem Graphit. Profitieren Sie von der hohen Reinheit unserer Graphite – speziell entwickelt für anspruchsvolle Prozesse wie Epitaxie, Kristallzüchtung, Ionenimplantation und Plasmaätzung sowie für die Herstellung von LED-Chips.

Produktbeschreibung
Die SiC-Beschichtung von Graphitsubstraten für Halbleiteranwendungen erzeugt ein Teil mit höchster Reinheit und Beständigkeit gegenüber oxidierender Atmosphäre.
CVD-SiC oder CVI-SiC wird auf Graphit von Teilen mit einfachem oder komplexem Design aufgetragen. Die Beschichtung kann in unterschiedlichen Stärken und auf sehr großen Teilen aufgetragen werden.

Kompon

Besondere Vorteile unserer SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren sind die extrem hohe Reinheit, die homogene Beschichtung und eine hervorragende Lebensdauer. Sie verfügen außerdem über eine hohe chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.

Bei der Aufbringung der SiC-Beschichtung halten wir sehr enge Toleranzen ein und verwenden eine hochpräzise Bearbeitung, um ein gleichmäßiges Suszeptorprofil zu gewährleisten. Wir produzieren auch Materialien mit idealen elektrischen Widerstandseigenschaften für den Einsatz in induktiv beheizten Systemen. Alle fertigen Komponenten werden mit einem Reinheits- und Maßkonformitätszertifikat geliefert.

Anwendung:

Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
· Verwendbar unter oxidierender AtmosphäreTypische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

Wir verfügen nun über eine hocheffiziente Belegschaft für die Bearbeitung von Verbraucheranfragen. Unser Ziel ist „100 % Kundenzufriedenheit durch unser Produkt oder unsere Dienstleistung, ausgezeichneter Verkaufspreis und unseren Crew-Service“ und eine große Beliebtheit bei der Kundschaft. Mit vielen Fabriken können wir eine große Auswahl an 4''-GaN-basierten Depitaxie-Substraten auf Sic-Substraten zu ermäßigten Preisen anbieten. Wir heißen kleine Unternehmen aus allen Gesellschaftsschichten herzlich willkommen und hoffen, freundschaftliche und kooperative Geschäfte mit Ihnen zu knüpfen und zu erreichen ein Win-Win-Ziel.
Ermäßigter PreisChina GaN-Substrate und GaN-Film, Wir freuen uns aufrichtig auf die Zusammenarbeit mit Kunden auf der ganzen Welt. Wir glauben, dass wir Sie mit unseren hochwertigen Produkten und unserem perfekten Service zufrieden stellen können. Wir heißen auch Kunden herzlich willkommen, unser Unternehmen zu besuchen und unsere Produkte zu kaufen.