Kundenspezifischer Graphitheizer für Halbleiter-Siliziumwafer, SiC-Beschichtung

Kundenspezifische Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer, SiC-Beschichtung (Abbildung)

Kurzbeschreibung:

Technische Spezifikation	VET-M3
Schüttdichte (g/cm3)	≥1,85
Aschegehalt (ppm)	≤500
Shore-Härte	≥45
Spezifischer Widerstand (μΩ·m)	≤12
Biegefestigkeit (MPa)	≥40
Druckfestigkeit (MPa)	≥70
Maximale Korngröße (μm)	≤43
Wärmeausdehnungskoeffizient Mm/°C	≤4,4*10-6

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Produktdetails

Produkt-Tags

MaßgeschneidertGraphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer

Technische Spezifikation	VET-M3
Schüttdichte (g/cm3)	≥1,85
Aschegehalt (ppm)	≤500
Shore-Härte	≥45
Spezifischer Widerstand (μΩ·m)	≤12
Biegefestigkeit (MPa)	≥40
Druckfestigkeit (MPa)	≥70
Maximale Korngröße (μm)	≤43
Wärmeausdehnungskoeffizient Mm/°C	≤4,4*10-6

Kundenspezifischer Graphitheizer für Siliziumwafer in der Halbleiterindustrie

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