Kundenspezifische Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer, SiC-Beschichtung

Maßgeschneiderte Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer, SiC-Beschichtung. Empfohlenes Bild

Kurzbeschreibung:

Technische Spezifikation	VET-M3
Schüttdichte (g/cm3)	≥1,85
Aschegehalt (PPM)	≤500
Shore-Härte	≥45
Spezifischer Widerstand (μ.Ω.m)	≤12
Biegefestigkeit (Mpa)	≥40
Druckfestigkeit (Mpa)	≥70
Max. Korngröße (μm)	≤43
Wärmeausdehnungskoeffizient Mm/°C	≤4,4*10-6

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Produktdetails

Produkt-Tags

MaßgeschneidertGraphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer

Technische Spezifikation	VET-M3
Schüttdichte (g/cm3)	≥1,85
Aschegehalt (PPM)	≤500
Shore-Härte	≥45
Spezifischer Widerstand (μ.Ω.m)	≤12
Biegefestigkeit (Mpa)	≥40
Druckfestigkeit (Mpa)	≥70
Max. Korngröße (μm)	≤43
Wärmeausdehnungskoeffizient Mm/°C	≤4,4*10-6

Maßgeschneiderte Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer

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Maßgeschneiderte Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer

Maßgeschneiderte Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer

Maßgeschneiderte Graphitheizung für Halbleiter-Siliziumwafer

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