vet-china präsentiert das innovative vertikale Wafer-Boot mit Sockel – eine umfassende Lösung für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung. Dieses mit höchster Präzision entwickelte Wafer-Handling-System bietet unübertroffene Stabilität und Ausrichtung, die für hocheffiziente Fertigungsumgebungen unerlässlich sind.
Die vertikale Wafer-Säule mit Sockel besteht aus hochwertigen Materialien, die thermische Stabilität und Beständigkeit gegen chemische Korrosion gewährleisten und sie somit für anspruchsvollste Halbleiterfertigungsprozesse geeignet machen. Ihre einzigartige vertikale Säulenkonstruktion stützt die Wafer sicher und reduziert das Risiko von Fehlausrichtungen und potenziellen Beschädigungen während Transport und Verarbeitung.
Durch die Integration des vertikalen Wafer-Boot- und Sockelsystems von vet-china können Halbleiterhersteller mit einem höheren Durchsatz, minimierten Ausfallzeiten und einer gesteigerten Produktausbeute rechnen. Das System ist mit verschiedenen Wafergrößen und -konfigurationen kompatibel und bietet Flexibilität und Skalierbarkeit für unterschiedliche Produktionsanforderungen.
Vet-Chinas Streben nach Exzellenz garantiert, dass jedes Wafer-Boot und jeder Wafer-Sockel für vertikale Säulen höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entspricht. Mit dieser innovativen Lösung investieren Sie in ein zukunftssicheres Wafer-Handling, das Effizienz und Zuverlässigkeit in der Halbleiterfertigung maximiert.
Eigenschaften von rekristallisiertem Siliciumcarbid
Rekristallisiertes Siliciumcarbid (R-SiC) ist ein Hochleistungswerkstoff mit der zweithöchsten Härte nach Diamant, der bei hohen Temperaturen über 2000 °C entsteht. Es behält viele der hervorragenden Eigenschaften von SiC bei, wie z. B. hohe Temperaturfestigkeit, starke Korrosionsbeständigkeit, ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit, gute Temperaturwechselbeständigkeit usw.
● Hervorragende mechanische Eigenschaften. Rekristallisiertes Siliciumcarbid weist eine höhere Festigkeit und Steifigkeit als Kohlenstofffasern auf, besitzt eine hohe Schlagfestigkeit, zeigt gute Leistung in extremen Temperaturumgebungen und bietet in verschiedenen Situationen eine bessere Gegengewichtsleistung. Darüber hinaus ist es flexibel und unempfindlich gegenüber Dehnung und Biegung, was seine Leistungsfähigkeit deutlich verbessert.
● Hohe Korrosionsbeständigkeit. Rekristallisiertes Siliciumcarbid weist eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl von Medien auf, schützt vor der Erosion durch verschiedene korrosive Medien, behält seine mechanischen Eigenschaften über lange Zeit bei und zeichnet sich durch eine starke Haftung aus, was zu einer längeren Lebensdauer führt. Darüber hinaus besitzt es eine gute thermische Stabilität, passt sich Temperaturschwankungen in einem bestimmten Bereich an und verbessert so seine Anwendungsmöglichkeiten.
● Sintern führt nicht zu Schrumpfung. Da beim Sinterprozess keine Schrumpfung auftritt, entstehen keine Restspannungen, die zu Verformungen oder Rissen des Produkts führen können. Dadurch lassen sich Teile mit komplexen Formen und hoher Präzision herstellen.
| 重结晶碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliciumcarbid | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 使用温度/ Betriebstemperatur (°C) | 1600 °C (mit Sauerstoff), 1700 °C (reduzierendes Milieu) |
| SiC含量/ SiC-Gehalt | > 99,96 % |
| 自由Si含量/ Kostenloser Si-Inhalt | < 0,1 % |
| 体积密度/Schüttdichte | 2,60–2,70 g/cm²3 |
| 气孔率/ Scheinbare Porosität | < 16 % |
| 抗压强度/ Druckfestigkeit | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kaltbiegefestigkeit | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Warmbiegefestigkeit | 90-100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 1500°C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C | 23W/m•K |
| 杨氏模量Elastizitätsmodul | 240 GPa |
| 抗热震性/ Beständigkeit gegen Temperaturschocks | Äußerst gut |
VET Energy ist Dieechter Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit CVD-Beschichtungkann liefernverschiedenKundenspezifische Bauteile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. OUnser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann daher professionellere Materiallösungen anbieten.für dich.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen.Undhaben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat fester und weniger anfällig für Ablösung macht.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2–10 μm |
| 纯度 Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 GPA 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermelLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen zu einem Besuch in unserer Fabrik, lassen Sie uns das Thema weiter besprechen!
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