vet-china präsentiert das innovative Vertical Column Wafer Boat & Pedestal, eine umfassende Lösung für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung. Dieses Wafer-Handhabungssystem wurde mit größter Präzision entwickelt und bietet unübertroffene Stabilität und Ausrichtung, was für hocheffiziente Fertigungsumgebungen von entscheidender Bedeutung ist.
Das Vertical Column Wafer Boat & Pedestal ist aus erstklassigen Materialien gefertigt, die thermische Stabilität und Beständigkeit gegen chemische Korrosion gewährleisten, wodurch es für die anspruchsvollsten Halbleiterfertigungsprozesse geeignet ist. Sein einzigartiges vertikales Säulendesign stützt Wafer sicher und reduziert so das Risiko einer Fehlausrichtung und möglicher Schäden während des Transports und der Verarbeitung.
Mit der Integration des Vertical Column Wafer Boat & Pedestal von vet-china können Halbleiterhersteller einen verbesserten Durchsatz, minimierte Ausfallzeiten und eine höhere Produktausbeute erwarten. Dieses System ist mit verschiedenen Wafergrößen und -konfigurationen kompatibel und bietet Flexibilität und Skalierbarkeit für unterschiedliche Produktionsanforderungen.
Das Engagement von vet-china für Spitzenleistungen stellt sicher, dass jedes Wafer-Boot und jeder Sockel mit vertikaler Säule den höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entspricht. Durch die Wahl dieser hochmodernen Lösung investieren Sie in einen zukunftssicheren Ansatz für die Waferhandhabung, der die Effizienz und Zuverlässigkeit in der Halbleiterfertigung maximiert.
Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (R-SiC) ist ein Hochleistungsmaterial mit einer Härte, die nur von Diamant übertroffen wird und bei einer hohen Temperatur über 2000℃ gebildet wird. Es behält viele hervorragende Eigenschaften von SiC bei, wie z. B. Hochtemperaturfestigkeit, starke Korrosionsbeständigkeit, ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit, gute Temperaturwechselbeständigkeit und so weiter.
● Hervorragende mechanische Eigenschaften. Rekristallisiertes Siliziumkarbid hat eine höhere Festigkeit und Steifigkeit als Kohlenstofffasern, eine hohe Schlagfestigkeit, kann in Umgebungen mit extremen Temperaturen eine gute Leistung erbringen und kann in einer Vielzahl von Situationen eine bessere Gegengewichtsleistung erbringen. Darüber hinaus weist es eine gute Flexibilität auf und wird durch Dehnung und Biegung nicht so leicht beschädigt, was seine Leistung erheblich verbessert.
● Hohe Korrosionsbeständigkeit. Rekristallisiertes Siliziumkarbid weist eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl von Medien auf, kann die Erosion einer Vielzahl von korrosiven Medien verhindern, kann seine mechanischen Eigenschaften über einen langen Zeitraum beibehalten, weist eine starke Haftung auf, sodass es eine längere Lebensdauer hat. Darüber hinaus weist es eine gute thermische Stabilität auf, kann sich an einen bestimmten Temperaturbereich anpassen und seine Anwendungswirkung verbessern.
● Beim Sintern kommt es nicht zu Schrumpfungen. Da es beim Sintern nicht zu einer Schrumpfung kommt, führt keine Restspannung zu Verformungen oder Rissen im Produkt und es können Teile mit komplexen Formen und hoher Präzision hergestellt werden.
| 重结晶碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 使用温度/ Arbeitstemperatur (°C) | 1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung) |
| SiC含量/ SiC-Gehalt | > 99,96 % |
| 自由Si含量/ Kostenloser Si-Inhalt | < 0,1 % |
| 体积密度/Schüttdichte | 2,60–2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Scheinbare Porosität | < 16 % |
| 抗压强度/ Kompressionsstärke | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Kaltbiegefestigkeit | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Warmbiegefestigkeit | 90–100 MPa (1400 °C) |
| 热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 1500 °C | 4,70 10-6/°C |
| 导热系数/Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Elastizitätsmodul | 240 GPa |
| 抗热震性/ Thermoschockbeständigkeit | Extrem gut |
VET Energy ist Dieechter Hersteller von maßgeschneiderten Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit CVD-Beschichtung,liefern kannverschiedenkundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. OUnser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen anbietenfür dich.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen.Undhaben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen der Beschichtung und dem Untergrund fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2~10μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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