Vertikale Säulen-Wafer-Boot & Sockel

Kurzbeschreibung:

Die vertikale Wafer-Säule mit Sockel von vet-china bietet höchste Stabilität und Präzision beim Wafer-Handling für die Halbleiterfertigung. Dank des fortschrittlichen Designs von vet-china gewährleistet dieses System optimale Ausrichtung und sicheren Halt, steigert die Betriebseffizienz und reduziert Waferbeschädigungen.

 


  • Name:SiC Vertikal-Waferboot
  • Material:Hochreines gesintertes SiC
  • Lieferzeit:Abhängig von der Menge
  • OEM, ODM:Unterstützung
  • Zertifikat:ISO 9001:2015
  • Mindestbestellmenge:1 Stück
  • Probe:Verfügbar
  • Produktdetails

    Produkt-Tags

    vet-china präsentiert das innovative vertikale Wafer-Boot mit Sockel – eine umfassende Lösung für die fortschrittliche Halbleiterverarbeitung. Dieses mit höchster Präzision entwickelte Wafer-Handling-System bietet unübertroffene Stabilität und Ausrichtung, die für hocheffiziente Fertigungsumgebungen unerlässlich sind.

    Die vertikale Wafer-Säule mit Sockel besteht aus hochwertigen Materialien, die thermische Stabilität und Beständigkeit gegen chemische Korrosion gewährleisten und sie somit für anspruchsvollste Halbleiterfertigungsprozesse geeignet machen. Ihre einzigartige vertikale Säulenkonstruktion stützt die Wafer sicher und reduziert das Risiko von Fehlausrichtungen und potenziellen Beschädigungen während Transport und Verarbeitung.

    Durch die Integration des vertikalen Wafer-Boot- und Sockelsystems von vet-china können Halbleiterhersteller mit einem höheren Durchsatz, minimierten Ausfallzeiten und einer gesteigerten Produktausbeute rechnen. Das System ist mit verschiedenen Wafergrößen und -konfigurationen kompatibel und bietet Flexibilität und Skalierbarkeit für unterschiedliche Produktionsanforderungen.

    Vet-Chinas Streben nach Exzellenz garantiert, dass jedes Wafer-Boot und jeder Wafer-Sockel für vertikale Säulen höchsten Qualitäts- und Leistungsstandards entspricht. Mit dieser innovativen Lösung investieren Sie in ein zukunftssicheres Wafer-Handling, das Effizienz und Zuverlässigkeit in der Halbleiterfertigung maximiert.

    Vertikale Säulen-Wafer-Boot & Sockel

    Eigenschaften von rekristallisiertem Siliciumcarbid

    Rekristallisiertes Siliciumcarbid (R-SiC) ist ein Hochleistungswerkstoff mit der zweithöchsten Härte nach Diamant, der bei hohen Temperaturen über 2000 °C entsteht. Es behält viele der hervorragenden Eigenschaften von SiC bei, wie z. B. hohe Temperaturfestigkeit, starke Korrosionsbeständigkeit, ausgezeichnete Oxidationsbeständigkeit, gute Temperaturwechselbeständigkeit usw.

    ● Hervorragende mechanische Eigenschaften. Rekristallisiertes Siliciumcarbid weist eine höhere Festigkeit und Steifigkeit als Kohlenstofffasern auf, besitzt eine hohe Schlagfestigkeit, zeigt gute Leistung in extremen Temperaturumgebungen und bietet in verschiedenen Situationen eine bessere Gegengewichtsleistung. Darüber hinaus ist es flexibel und unempfindlich gegenüber Dehnung und Biegung, was seine Leistungsfähigkeit deutlich verbessert.

    ● Hohe Korrosionsbeständigkeit. Rekristallisiertes Siliciumcarbid weist eine hohe Korrosionsbeständigkeit gegenüber einer Vielzahl von Medien auf, schützt vor der Erosion durch verschiedene korrosive Medien, behält seine mechanischen Eigenschaften über lange Zeit bei und zeichnet sich durch eine starke Haftung aus, was zu einer längeren Lebensdauer führt. Darüber hinaus besitzt es eine gute thermische Stabilität, passt sich Temperaturschwankungen in einem bestimmten Bereich an und verbessert so seine Anwendungsmöglichkeiten.

    ● Sintern führt nicht zu Schrumpfung. Da beim Sinterprozess keine Schrumpfung auftritt, entstehen keine Restspannungen, die zu Verformungen oder Rissen des Produkts führen können. Dadurch lassen sich Teile mit komplexen Formen und hoher Präzision herstellen.

    重结晶碳化硅物理特性

    Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliciumcarbid

    性质 / Eigentum

    典型数值 / Typischer Wert

    使用温度/ Betriebstemperatur (°C)

    1600 °C (mit Sauerstoff), 1700 °C (reduzierendes Milieu)

    SiC含量/ SiC-Gehalt

    > 99,96 %

    自由Si含量/ Kostenloser Si-Inhalt

    < 0,1 %

    体积密度/Schüttdichte

    2,60–2,70 g/cm²3

    气孔率/ Scheinbare Porosität

    < 16 %

    抗压强度/ Druckfestigkeit

    > 600MPa

    常温抗弯强度/Kaltbiegefestigkeit

    80-90 MPa (20°C)

    高温抗弯强度Warmbiegefestigkeit

    90-100 MPa (1400 °C)

    热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 1500°C

    4,70 10-6/°C

    导热系数/Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C

    23W/m•K

    杨氏模量Elastizitätsmodul

    240 GPa

    抗热震性/ Beständigkeit gegen Temperaturschocks

    Äußerst gut

    VET Energy ist Dieechter Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit CVD-Beschichtungkann liefernverschiedenKundenspezifische Bauteile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. OUnser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann daher professionellere Materiallösungen anbieten.für dich.

    Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen.Undhaben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat fester und weniger anfällig für Ablösung macht.

    CVD SiC薄膜基本物理性能

    Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung

    性质 / Eigentum

    典型数值 / Typischer Wert

    晶体结构 / Kristallstruktur

    FCC β-Phase多晶, 主要为(111)取向

    密度 / Dichte

    3,21 g/cm³

    硬度 / Härte

    2500 U/min (500 g Ladung)

    晶粒大小 / Korngröße

    2–10 μm

    纯度 Chemische Reinheit

    99,99995 %

    热容 / Wärmekapazität

    640 J·kg-1·K-1

    升华温度 / Sublimationstemperatur

    2700℃

    抗弯强度 / Biegefestigkeit

    415 MPa RT 4-Punkt

    杨氏模量 / Elastizitätsmodul

    430 GPA 4pt Biegung, 1300℃

    导热系数 / ThermelLeitfähigkeit

    300 W·m-1·K-1

    热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)

    4,5×10-6K-1

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