Tierarzt-ChinaSiliziumkarbid-KeramikDie Beschichtung ist eine Hochleistungsschutzbeschichtung aus extrem hartem und verschleißfestem Material.Siliciumcarbid (SiC)Das Material bietet eine ausgezeichnete chemische Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität. Diese Eigenschaften sind für die Halbleiterproduktion von entscheidender Bedeutung.Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungwird in wichtigen Komponenten von Halbleiterfertigungsanlagen weit verbreitet eingesetzt.
Die spezifische Rolle von Vet-ChinaSiliziumkarbid-KeramikDie Beschichtung in der Halbleiterproduktion erfolgt wie folgt:
Langlebigkeit der Ausrüstung verbessern:Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungen bieten dank ihrer extrem hohen Härte und Verschleißfestigkeit einen hervorragenden Oberflächenschutz für Halbleiterfertigungsanlagen. Insbesondere in Hochtemperatur- und stark korrosiven Prozessumgebungen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und dem Plasmaätzen verhindert die Beschichtung wirksam Schäden an der Anlagenoberfläche durch chemische Erosion oder physikalischen Verschleiß. Dadurch wird die Lebensdauer der Anlagen deutlich verlängert und Ausfallzeiten durch häufigen Austausch und Reparaturen reduziert.
Prozessreinheit verbessern:Im Halbleiterfertigungsprozess können bereits geringste Verunreinigungen zu Produktfehlern führen. Die chemische Inertheit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung gewährleistet ihre Stabilität auch unter extremen Bedingungen und verhindert die Freisetzung von Partikeln oder Verunreinigungen. Dadurch wird die Reinheit des Prozesses sichergestellt. Dies ist besonders wichtig für Fertigungsschritte, die höchste Präzision und Reinheit erfordern, wie beispielsweise PECVD und Ionenimplantation.
Optimiertes Wärmemanagement:Bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen wie der schnellen thermischen Verarbeitung (RTP) und Oxidationsprozessen ermöglicht die hohe Wärmeleitfähigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung eine gleichmäßige Temperaturverteilung im Inneren der Anlage. Dies trägt dazu bei, thermische Spannungen und Materialverformungen durch Temperaturschwankungen zu reduzieren und somit die Fertigungsgenauigkeit und -konsistenz zu verbessern.
Unterstützung komplexer Prozessumgebungen:Bei Prozessen, die eine komplexe Atmosphärenkontrolle erfordern, wie z. B. ICP-Ätzprozesse und PSS-Ätzprozesse, gewährleisten die Stabilität und Oxidationsbeständigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung, dass die Anlage auch im Langzeitbetrieb eine stabile Leistung erbringt und das Risiko von Materialermüdung oder Anlagenschäden durch Umwelteinflüsse verringert wird.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2–10 μm |
| 纯度 Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 GPA 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermelLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
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