Tierarzt-ChinaSiliziumkarbid-KeramikCoating ist eine Hochleistungsschutzbeschichtung aus extrem hartem und verschleißfestem MaterialSiliziumkarbid (SiC)Material, das eine hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität bietet. Diese Eigenschaften sind daher in der Halbleiterproduktion von entscheidender BedeutungSiliziumkarbid-Keramikbeschichtungwird häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen verwendet.
Die spezifische Rolle von Vet-ChinaSiliziumkarbid-KeramikBeim Beschichten in der Halbleiterproduktion geht es um Folgendes:
Verbessern Sie die Haltbarkeit der Ausrüstung:Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung Die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung bietet mit ihrer extrem hohen Härte und Verschleißfestigkeit einen hervorragenden Oberflächenschutz für Halbleiterfertigungsanlagen. Insbesondere in Hochtemperatur- und stark korrosiven Prozessumgebungen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und dem Plasmaätzen kann die Beschichtung wirksam verhindern, dass die Oberfläche der Ausrüstung durch chemische Erosion oder physikalischen Verschleiß beschädigt wird, und dadurch die Lebensdauer erheblich verlängern der Ausrüstung und die Reduzierung von Ausfallzeiten, die durch häufigen Austausch und Reparaturen verursacht werden.
Verbessern Sie die Prozessreinheit:Im Halbleiterfertigungsprozess können kleinste Verunreinigungen zu Produktfehlern führen. Die chemische Inertheit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung ermöglicht, dass sie unter extremen Bedingungen stabil bleibt und verhindert, dass das Material Partikel oder Verunreinigungen freisetzt, wodurch die Umweltreinheit des Prozesses gewährleistet wird. Dies ist besonders wichtig für Fertigungsschritte, die eine hohe Präzision und Sauberkeit erfordern, wie z. B. PECVD und Ionenimplantation.
Thermomanagement optimieren:Bei der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung, wie z. B. Rapid Thermal Processing (RTP) und Oxidationsprozessen, ermöglicht die hohe Wärmeleitfähigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb der Ausrüstung. Dies trägt dazu bei, die durch Temperaturschwankungen verursachte thermische Belastung und Materialverformung zu reduzieren und dadurch die Genauigkeit und Konsistenz der Produktherstellung zu verbessern.
Unterstützen Sie komplexe Prozessumgebungen:Bei Prozessen, die eine komplexe Atmosphärenkontrolle erfordern, wie z. B. ICP-Ätz- und PSS-Ätzprozesse, stellen die Stabilität und Oxidationsbeständigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung sicher, dass die Ausrüstung im Langzeitbetrieb eine stabile Leistung beibehält, wodurch das Risiko einer Materialverschlechterung oder einer dadurch verursachten Beschädigung der Ausrüstung verringert wird auf Umweltveränderungen.
CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
晶粒大小 / Korngröße | 2~10μm |
纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns weitere Gespräche führen!