Heizgerät mit Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung

Kurzbeschreibung:

Als professioneller Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungen in China wird die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung von Vet-China häufig auf Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen eingesetzt, insbesondere wenn CVD- und PECVD-Prozesse beteiligt sind. Vet-China ist auf die Herstellung und Lieferung leistungsstarker Siliziumkarbid-Keramikbeschichtungen spezialisiert und engagiert sich für die Bereitstellung fortschrittlicher Technologie- und Produktlösungen für die Halbleiterindustrie. Begrüßen Sie Ihre Anfragen.


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Tierarzt-ChinaSiliziumkarbid-KeramikCoating ist eine Hochleistungsschutzbeschichtung aus extrem hartem und verschleißfestem MaterialSiliziumkarbid (SiC)Material, das eine hervorragende chemische Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität bietet. Diese Eigenschaften sind daher in der Halbleiterproduktion von entscheidender BedeutungSiliziumkarbid-Keramikbeschichtungwird häufig in Schlüsselkomponenten von Halbleiterfertigungsanlagen verwendet.

Die spezifische Rolle von Vet-ChinaSiliziumkarbid-KeramikBeim Beschichten in der Halbleiterproduktion geht es um Folgendes:

Verbessern Sie die Haltbarkeit der Ausrüstung:Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung Die Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung bietet mit ihrer extrem hohen Härte und Verschleißfestigkeit einen hervorragenden Oberflächenschutz für Halbleiterfertigungsanlagen. Insbesondere in Hochtemperatur- und stark korrosiven Prozessumgebungen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und dem Plasmaätzen kann die Beschichtung wirksam verhindern, dass die Oberfläche der Ausrüstung durch chemische Erosion oder physikalischen Verschleiß beschädigt wird, und dadurch die Lebensdauer erheblich verlängern der Ausrüstung und die Reduzierung von Ausfallzeiten, die durch häufigen Austausch und Reparaturen verursacht werden.

Verbessern Sie die Prozessreinheit:Im Halbleiterfertigungsprozess können kleinste Verunreinigungen zu Produktfehlern führen. Die chemische Inertheit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung ermöglicht, dass sie unter extremen Bedingungen stabil bleibt und verhindert, dass das Material Partikel oder Verunreinigungen freisetzt, wodurch die Umweltreinheit des Prozesses gewährleistet wird. Dies ist besonders wichtig für Fertigungsschritte, die eine hohe Präzision und Sauberkeit erfordern, wie z. B. PECVD und Ionenimplantation.

Thermomanagement optimieren:Bei der Hochtemperatur-Halbleiterverarbeitung, wie z. B. Rapid Thermal Processing (RTP) und Oxidationsprozessen, ermöglicht die hohe Wärmeleitfähigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb der Ausrüstung. Dies trägt dazu bei, die durch Temperaturschwankungen verursachte thermische Belastung und Materialverformung zu reduzieren und dadurch die Genauigkeit und Konsistenz der Produktherstellung zu verbessern.

Unterstützen Sie komplexe Prozessumgebungen:Bei Prozessen, die eine komplexe Atmosphärenkontrolle erfordern, wie z. B. ICP-Ätz- und PSS-Ätzprozesse, stellen die Stabilität und Oxidationsbeständigkeit der Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung sicher, dass die Ausrüstung im Langzeitbetrieb eine stabile Leistung beibehält, wodurch das Risiko einer Materialverschlechterung oder einer dadurch verursachten Beschädigung der Ausrüstung verringert wird auf Umweltveränderungen.

Siliziumkarbid-Keramikbeschichtung
Graphitheizung (4)

CVD SiC薄膜基本物理性能

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung

性质 / Eigentum

典型数值 / Typischer Wert

晶体结构 / Kristallstruktur

FCC-β-Phase多晶, 主要为(111)取向

密度 / Dichte

3,21 g/cm³

硬度 / Härte

2500 U/min (500 g Ladung)

晶粒大小 / Korngröße

2~10μm

纯度 / Chemische Reinheit

99,99995 %

热容 / Wärmekapazität

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sublimationstemperatur

2700℃

抗弯强度 / Biegefestigkeit

415 MPa RT 4-Punkt

杨氏模量 / Elastizitätsmodul

430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃

导热系数 / ThermalLeitfähigkeit

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)

4,5×10-6K-1

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