Gesintertes Siliziumkarbid-Sic-Kristall-/Waferschiffchen

Gesintertes Siliziumkarbid-Sic-Kristall/Wafer-Boot. Empfohlenes Bild

Kurzbeschreibung:

Unser Kristall-/Waferboot aus gesintertem Siliziumkarbid (SiC) ist auf Präzision in der Halbleiterfertigung ausgelegt. Mit außergewöhnlicher thermischer Stabilität, chemischer Beständigkeit und mechanischer Festigkeit gewährleistet dieses Boot den sicheren und effizienten Transport von Kristallen und Wafern durch Hochtemperaturprozesse.

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Produktdetails

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Das GesinterteSiliziumkarbid (SiC)Kristall/Wafer-Bootist für die hohen Anforderungen der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie konzipiert. Es bietet eine sichere Plattform für die Handhabung von Siliziumkristallen und -wafern während der Hochtemperaturverarbeitung und stellt sicher, dass ihre Integrität und Reinheit durchgehend gewahrt bleibt.

Hauptmerkmale

Hervorragende thermische Stabilität: Hält Temperaturen von bis zu 1600 °C stand, ideal für Prozesse, die eine präzise Temperaturkontrolle erfordern.
Überlegene chemische Beständigkeit: Beständig gegen die meisten korrosiven Chemikalien und Gase und sorgt für Haltbarkeit in rauen Verarbeitungsumgebungen.
Robuste mechanische Festigkeit: Behält die strukturelle Integrität unter hoher Belastung bei und verringert die Wahrscheinlichkeit einer Verformung oder eines Bruchs.
Minimale Wärmeausdehnung: Entwickelt, um das Risiko von Thermoschocks und Rissen zu minimieren und zuverlässige Leistung bei längerem Gebrauch zu bieten.
Präzisionsfertigung: Mit hoher Präzision gefertigt, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen und verschiedene Kristall- und Wafergrößen aufzunehmen.

Anwendungen

• Halbleiter-Wafer-Bearbeitung

• LED-Herstellung

• Produktion von Photovoltaikzellen

• Systeme zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD).

• Forschung und Entwicklung in der Materialwissenschaft

烧结碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften vonSinteressiertSiliconCArbid
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
化学成分 / ChemischZusammensetzung	SiC>95 %, Si<5 %
体积密度 / Schüttdichte	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Scheinbare Porosität Scheinbare Porosität	<0,1 %
常温抗弯强度/ Bruchmodul bei 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Bruchmodul bei 1200℃	290MPa
硬度/ Härte bei 20℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Bruchzähigkeit bei 20 %	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Wärmeleitfähigkeit bei 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 20-1200℃	4.51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Max. Arbeitstemperatur	1400℃
热震稳定性/ Thermoschockbeständigkeit bei 1200℃	Gut

Warum sollten Sie sich für unser gesintertes Siliziumkarbid (SiC)-Kristall-/Wafer-Boot entscheiden?

Wenn Sie sich für unser SiC-Kristall/Wafer-Boot entscheiden, entscheiden Sie sich für Zuverlässigkeit, Effizienz und Langlebigkeit. Jedes Boot durchläuft strenge Qualitätskontrollmaßnahmen, um sicherzustellen, dass es den höchsten Standards der Branche entspricht. Dieses Produkt erhöht nicht nur die Sicherheit und Produktivität Ihres Herstellungsprozesses, sondern garantiert auch die gleichbleibende Qualität Ihrer Siliziumkristalle und Wafer. Mit unserem SiC-Kristall/Wafer-Boot können Sie auf eine Lösung vertrauen, die Ihre betriebliche Exzellenz unterstützt.