Gesintertes Siliciumcarbid-Kristall-/Wafer-Boot

Gesintertes Siliziumkarbid (SiC)-Kristall / Waferboot (Abbildung)

Kurzbeschreibung:

Unser gesintertes Siliziumkarbid (SiC)-Kristall-/Wafer-Boot wurde für höchste Präzision in der Halbleiterfertigung entwickelt. Dank seiner außergewöhnlichen thermischen Stabilität, chemischen Beständigkeit und mechanischen Festigkeit gewährleistet dieses Boot einen sicheren und effizienten Transport von Kristallen und Wafern durch Hochtemperaturprozesse.

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Produktdetails

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Das GesinterteSiliciumcarbid (SiC)Kristall/WaferbootEs wurde für die hohen Anforderungen der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie entwickelt. Es bietet eine sichere Plattform für die Handhabung von Siliziumkristallen und -wafern während der Hochtemperaturverarbeitung und gewährleistet so deren Integrität und Reinheit.

Hauptmerkmale

Hervorragende thermische StabilitätGeeignet für Temperaturen bis zu 1600°C, ideal für Prozesse, die eine präzise Temperaturregelung erfordern.
Überlegene ChemikalienbeständigkeitBeständig gegen die meisten korrosiven Chemikalien und Gase, bietet es Langlebigkeit auch unter rauen Verarbeitungsbedingungen.
Robuste mechanische Festigkeit: Gewährleistet die strukturelle Integrität auch unter hoher Belastung und verringert so die Wahrscheinlichkeit von Verformungen oder Brüchen.
Minimale Wärmeausdehnung: Entwickelt, um das Risiko von Temperaturschocks und Rissbildung zu minimieren und eine zuverlässige Leistung auch bei längerem Gebrauch zu gewährleisten.
Präzisionsfertigung: Mit hoher Präzision gefertigt, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen und verschiedene Kristall- und Wafergrößen aufzunehmen.

Anwendungen

• Halbleiterwafer-Verarbeitung

• LED-Herstellung

• Photovoltaikzellenproduktion

• Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)-Systeme

• Forschung und Entwicklung im Bereich der Materialwissenschaften

烧结碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften vonSbeerdigtSSiliziumCArbide
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
化学成分 / ChemikalieZusammensetzung	SiC > 95 %, Si < 5 %
体积密度 / Schüttdichte	>3,07 g/cm³
显气孔率/ Scheinbare Porosität Scheinbare Porosität	<0,1 %
常温抗弯强度/ Bruchmodul bei 20℃	270 MPa
高温抗弯强度/ Bruchmodul bei 1200℃	290MPa
硬度/ Härte bei 20℃	2400 kg/mm²
断裂韧性/ Bruchzähigkeit bei 20 %	3.3MPa · m^1/2
导热系数/ Wärmeleitfähigkeit bei 1200℃	45w/m .K
热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 20-1200℃	4,51 ×10^-6/℃
最高工作温度/ Maximale Betriebstemperatur	1400℃
热震稳定性/ Temperaturwechselbeständigkeit bei 1200℃	Gut

Warum sollten Sie sich für unsere gesinterten Siliziumkarbid (SiC)-Kristall-/Wafer-Boote entscheiden?

Mit unserem SiC-Kristall-/Wafer-Boot entscheiden Sie sich für Zuverlässigkeit, Effizienz und Langlebigkeit. Jedes Boot durchläuft strenge Qualitätskontrollen, um höchste Industriestandards zu gewährleisten. Dieses Produkt steigert nicht nur die Sicherheit und Produktivität Ihrer Fertigungsprozesse, sondern garantiert auch die gleichbleibende Qualität Ihrer Siliziumkristalle und -wafer. Mit unserem SiC-Kristall-/Wafer-Boot setzen Sie auf eine Lösung, die Ihre operative Exzellenz unterstützt.