Das GesinterteSiliziumkarbid (SiC)Kristall/Wafer-Bootist für die hohen Anforderungen der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie konzipiert. Es bietet eine sichere Plattform für die Handhabung von Siliziumkristallen und -wafern während der Hochtemperaturverarbeitung und stellt sicher, dass ihre Integrität und Reinheit durchgehend gewahrt bleibt.
Hauptmerkmale
- Hervorragende thermische Stabilität: Hält Temperaturen von bis zu 1600 °C stand, ideal für Prozesse, die eine präzise Temperaturkontrolle erfordern.
- Überlegene chemische Beständigkeit: Beständig gegen die meisten korrosiven Chemikalien und Gase und sorgt für Haltbarkeit in rauen Verarbeitungsumgebungen.
- Robuste mechanische Festigkeit: Behält die strukturelle Integrität unter hoher Belastung bei und verringert die Wahrscheinlichkeit einer Verformung oder eines Bruchs.
- Minimale Wärmeausdehnung: Entwickelt, um das Risiko von Thermoschocks und Rissen zu minimieren und zuverlässige Leistung bei längerem Gebrauch zu bieten.
- Präzisionsfertigung: Mit hoher Präzision gefertigt, um spezifische Prozessanforderungen zu erfüllen und verschiedene Kristall- und Wafergrößen aufzunehmen.
Anwendungen
• Halbleiter-Wafer-Bearbeitung
• LED-Herstellung
• Produktion von Photovoltaikzellen
• Systeme zur chemischen Gasphasenabscheidung (CVD).
• Forschung und Entwicklung in der Materialwissenschaft
| 烧结碳化硅物理特性 Physikalische Eigenschaften vonSinteressiertSiliconCArbid | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 化学成分 / ChemischZusammensetzung | SiC>95 %, Si<5 % |
| 体积密度 / Schüttdichte | >3,07 g/cm³ |
| 显气孔率/ Scheinbare Porosität Scheinbare Porosität | <0,1 % |
| 常温抗弯强度/ Bruchmodul bei 20℃ | 270 MPa |
| 高温抗弯强度/ Bruchmodul bei 1200℃ | 290MPa |
| 硬度/ Härte bei 20℃ | 2400 kg/mm² |
| 断裂韧性/ Bruchzähigkeit bei 20 % | 3.3MPa · m1/2 |
| 导热系数/ Wärmeleitfähigkeit bei 1200℃ | 45w/m .K |
| 热膨胀系数/ Wärmeausdehnung bei 20-1200℃ | 4.51 ×10-6/℃ |
| 最高工作温度/ Max. Arbeitstemperatur | 1400℃ |
| 热震稳定性/ Thermoschockbeständigkeit bei 1200℃ | Gut |
Warum sollten Sie sich für unser gesintertes Siliziumkarbid (SiC)-Kristall-/Wafer-Boot entscheiden?
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