Robustes Wafer-Handhabungspaddel aus Siliziumkarbid

Kurzbeschreibung:

vet-china bietet ein hervorragendes, langlebiges Wafer-Handhabungspaddel aus Siliziumkarbid an, das hohe Leistung und innovatives Design kombiniert, um eine effiziente und sichere Wafer-Handhabung zu gewährleisten. Mit seiner Haltbarkeit und Präzision ist das Handhabungspaddel für Silizium-Kohlenstoff-Wafer von vet-china ein unverzichtbares Werkzeug in Ihrem Halbleiterfertigungsprozess, da es die Produktionseffizienz verbessert und das Risiko von Ablagerungen verringert.

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Produktdetails

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vet-china sorgt dafür, dass jeder LanglebigeHandhabungspaddel für Siliziumkarbid-Waferverfügt über eine hervorragende Leistung und Haltbarkeit. Dieses Wafer-Handhabungspaddel aus Siliziumkarbid verwendet fortschrittliche Herstellungsverfahren, um sicherzustellen, dass seine strukturelle Stabilität und Funktionalität auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen und chemischer Korrosion erhalten bleibt. Dieses innovative Design bietet hervorragende Unterstützung bei der Handhabung von Halbleiterwafern, insbesondere bei hochpräzisen automatisierten Abläufen.

SiC-Cantilever-Paddelist eine spezielle Komponente, die in Halbleiterfertigungsanlagen wie Oxidationsöfen, Diffusionsöfen und Glühöfen verwendet wird. Die Hauptanwendung ist das Be- und Entladen von Wafern sowie das Stützen und Transportieren von Wafern bei Hochtemperaturprozessen.

Gemeinsame StrukturenvonSiCcAntihebelpverderben: Eine freitragende Struktur, die an einem Ende befestigt und am anderen Ende frei ist, hat typischerweise ein flaches und paddelartiges Design.

ArbeitenpPrinzipvonSiCcAntihebelpverderben:

Das freitragende Paddel kann sich innerhalb der Ofenkammer auf und ab oder hin und her bewegen. Es kann zum Bewegen von Wafern von Ladebereichen zu Verarbeitungsbereichen oder aus Verarbeitungsbereichen verwendet werden, um Wafer während der Hochtemperaturverarbeitung zu stützen und zu stabilisieren.

Physikalische Eigenschaften von rekristallisiertem Siliziumkarbid
Eigentum	Typischer Wert
Arbeitstemperatur (°C)	1600°C (mit Sauerstoff), 1700°C (reduzierende Umgebung)
SiC-Gehalt	> 99,96 %
Kostenlose Si-Inhalte	< 0,1 %
Schüttdichte	2,60–2,70 g/cm³
Scheinbare Porosität	< 16 %
Kompressionsstärke	> 600 MPa
Kaltbiegefestigkeit	80-90 MPa (20°C)
Warmbiegefestigkeit	90–100 MPa (1400 °C)
Wärmeausdehnung bei 1500 °C	4,70 10^-6/°C
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C	23 W/m·K
Elastizitätsmodul	240 GPa
Thermoschockbeständigkeit	Extrem gut