Merkmale:
• Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit
• Ausgezeichnete Stoßfestigkeit
• Ausgezeichnete Chemikalienbeständigkeit
• Höchste Reinheit
• Verfügbarkeit in komplexen Formen
•Einsetzbar unter oxidierender Atmosphäre
Anwendung:
Produktmerkmale und Vorteile:
1. Hervorragende Wärmebeständigkeit:Mit hoher ReinheitSiC-BeschichtungDas Substrat hält extremen Temperaturen stand und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistungsfähigkeit in anspruchsvollen Umgebungen wie der Epitaxie und der Halbleiterfertigung.
2. Erhöhte Haltbarkeit:Die SiC-beschichteten Graphitkomponenten sind so konzipiert, dass sie chemischer Korrosion und Oxidation widerstehen und somit die Lebensdauer des Substrats im Vergleich zu Standard-Graphitsubstraten erhöhen.
3. Glasbeschichteter Graphit:Die einzigartige Glasstruktur desSiC-Beschichtungbietet eine ausgezeichnete Oberflächenhärte und minimiert so den Verschleiß bei der Hochtemperaturverarbeitung.
4. Hochreine SiC-Beschichtung:Unser Substrat gewährleistet minimale Verunreinigungen in empfindlichen Halbleiterprozessen und bietet Zuverlässigkeit für Branchen, die höchste Materialreinheit erfordern.
5. Breites Marktspektrum:DerSiC-beschichteter GraphitsuszeptorDer Markt wächst weiter, da die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-beschichteten Produkten in der Halbleiterfertigung zunimmt, wodurch sich dieses Substrat als wichtiger Akteur sowohl auf dem Markt für Graphit-Waferträger als auch auf dem Markt für mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitschalen positioniert.
Typische Eigenschaften des Basisgraphitmaterials:
| Scheinbare Dichte: | 1,85 g/cm³ |
| Elektrischer Widerstand: | 11 μΩm |
| Biegefestigkeit: | 49 MPa (500 kgf/cm²) |
| Shore-Härte: | 58 |
| Asche: | <5 ppm |
| Wärmeleitfähigkeit: | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | Die FCC-β-Phase ist nicht zugelassen (111). |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2–10 μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 GPA 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / Wärmeleitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| Wärmeausdehnung / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
VET Energy ist der eigentliche Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.
Unser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann Ihnen daher professionellere Materiallösungen anbieten.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die eine festere Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat ermöglicht und die Ablösung verringert.
Wir heißen Sie herzlich willkommen zu einem Besuch in unserer Fabrik, lassen Sie uns das Thema weiter besprechen!
