SiC-Beschichtung/beschichtetes Graphitsubstrat/Tablett für Halbleiter

Kurzbeschreibung:

Der SiC-beschichtete Graphit-Suszeptor von VET Energy für epitaxiales Wachstum ist ein Hochleistungsprodukt, das entwickelt wurde, um über einen längeren Zeitraum eine konstante und zuverlässige Leistung zu bieten. Es zeichnet sich durch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit sowie eine hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist damit die perfekte Lösung für Waferverarbeitungsanwendungen.

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Produktdetails

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SiC-Beschichtung/Beschichtung des Graphit-Suszeptors für Halbleiter

DerSiC-beschichtetes Graphitsubstratist eine äußerst langlebige und effiziente Lösung, die den strengen Anforderungen der Halbleiterverarbeitungsindustrie gerecht wird. Mit einer hochreinen SchichtSiliziumkarbid (SiC)-BeschichtungDieses Substrat bietet eine außergewöhnliche thermische Stabilität, Oxidationsbeständigkeit und eine längere Lebensdauer und eignet sich daher ideal für Anwendungen in MOCVD-Prozessen, Graphit-Waferträgern und anderen Hochtemperaturumgebungen.

Merkmale:
· Hervorragende Temperaturwechselbeständigkeit
· Ausgezeichnete physische Schockfestigkeit
· Ausgezeichnete chemische Beständigkeit
· Superhohe Reinheit
· Verfügbarkeit in komplexer Form
·Verwendbar unter oxidierender Atmosphäre

Anwendung:

Produktmerkmale und Vorteile:

1. Überlegene thermische Beständigkeit:Mit einer hohen ReinheitSiC-BeschichtungDas Substrat hält extremen Temperaturen stand und gewährleistet eine gleichbleibende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen wie der Epitaxie und der Halbleiterfertigung.

2. Verbesserte Haltbarkeit:Die SiC-beschichteten Graphitkomponenten sind so konzipiert, dass sie chemischer Korrosion und Oxidation widerstehen und die Lebensdauer des Substrats im Vergleich zu Standard-Graphitsubstraten verlängern.

3. Glasbeschichteter Graphit:Die einzigartige Glasstruktur desSiC-BeschichtungBietet eine hervorragende Oberflächenhärte und minimiert den Verschleiß bei der Hochtemperaturverarbeitung.

4. Hochreine SiC-Beschichtung:Unser Substrat sorgt für minimale Kontamination in sensiblen Halbleiterprozessen und bietet Zuverlässigkeit für Branchen, die strenge Materialreinheit erfordern.

5. Breite Marktanwendung:DerSiC-beschichteter GraphitsuszeptorDer Markt wächst weiter, da die Nachfrage nach fortschrittlichen SiC-beschichteten Produkten in der Halbleiterfertigung steigt, was dieses Substrat zu einem wichtigen Akteur sowohl auf dem Markt für Graphitwaferträger als auch auf dem Markt für mit Siliziumkarbid beschichtete Graphitschalen macht.

Typische Eigenschaften von Basisgraphitmaterial:

Scheinbare Dichte:	1,85 g/cm3
Elektrischer Widerstand:	11 μΩm
Biegefestigkeit:	49 MPa (500 kgf/cm2)
Shore-Härte:	58
Asche:	<5ppm
Wärmeleitfähigkeit:	116 W/mK (100 kcal/mh-℃)

CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
晶体结构 / Kristallstruktur	Die FCC-β-Phase ist nicht zugelassen (111).
密度 / Dichte	3,21 g/cm³
硬度 / Härte	2500 U/min (500 g Ladung)
晶粒大小 / Korngröße	2~10μm
纯度 / Chemische Reinheit	99,99995 %
热容 / Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimationstemperatur	2700℃
抗弯强度 / Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
导热系数 / Wärmeleitfähigkeit	300W·m^-1·K^-1
Wärmeausdehnung / Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1

VET Energy ist der eigentliche Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC-Beschichtung, TaC-Beschichtung, Glaskohlenstoffbeschichtung, pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern.

Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen für Sie bereitstellen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.

Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns weitere Gespräche führen!