Kundenspezifische, kostengünstige, wiederverwendbare hochreine Graphit-Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauteile

Kundenspezifischer, kostengünstiger, wiederverwendbarer hochreiner Graphit für Halbleiteranwendungen – Halbleiterbauteile – Abbildung

Kurzbeschreibung:

Anwendung:	Halbleiterbauteile
Widerstand (μΩ·m):	8-10 Ohm
Porosität (%):	12 % Max.
Herkunftsort:	Zhejiang, China
Abmessungen	Maßgeschneidert
Zuwachsgröße:	<=325 Mesh
Zertifikat:	ISO9001:2015
Größe und Form:	Maßgeschneidert

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Produktdetails

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Kundenspezifische, kostengünstige, wiederverwendbare hochreine Graphit-Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauteile

Anwendung:	Halbleiterbauteile
Widerstand (μΩ·m):	8-10 Ohm
Porosität (%):	12 % Max.
Herkunftsort:	Zhejiang, China
Abmessungen	Maßgeschneidert
Zuwachsgröße:	<=325 Mesh
Zertifikat:	ISO9001:2015
Größe und Form:	Maßgeschneidert

Kundenspezifische, kostengünstige, wiederverwendbare hochreine Graphit-Halbleiteranwendungen und Halbleiterbauteile

Vorherige: Einfache, innovative Produkte. Hervorragende thermische und elektrische Leitfähigkeit. Graphit-Halbleiter.

Nächste: SiC-Beschichtung/Beschichtetes Graphitsubstrat/Tray für Halbleiter

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