Siliziumkarbid-Epitaxie-Plattentablett für Halbleiter-Epitaxie-Ofen

Ablage aus Siliziumkarbid-Epitaxieplatten für Halbleiter-Epitaxieöfen. Ausgewähltes Bild

Kurzbeschreibung:

Die Siliziumkarbid-Epitaxie-Plattenschale von VET Energy ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine gleichbleibende und zuverlässige Leistung über einen längeren Zeitraum ausgelegt ist. Es zeichnet sich durch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit sowie eine hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist damit die perfekte Lösung für Waferverarbeitungsanwendungen.

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Produktdetails

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Die Siliziumkarbid-Plattenschale ist eine Schlüsselkomponente, die in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen verwendet wird. Wir verwenden unsere patentierte Technologie, um die Siliziumkarbid-Plattenschale mit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischen Stabilitätseigenschaften herzustellen.

VET Energy ist der eigentliche Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliziumkarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC, Tac, pyrolytischem Kohlenstoff, Glaskohlenstoff usw. und kann verschiedene kundenspezifische Teile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie liefern. Unser technisches Team stammt aus führenden inländischen Forschungseinrichtungen und kann professionellere Materiallösungen für Sie bereitstellen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Prozesse, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die die Verbindung zwischen der Beschichtung und dem Substrat fester und weniger anfällig für Ablösungen machen kann.

Merkmale unserer Produkte:

1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bis 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger

CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung
性质 / Eigentum	典型数值 / Typischer Wert
晶体结构 / Kristallstruktur	FCC-β-Phase多晶, 主要为（111）取向
密度 / Dichte	3,21 g/cm³
硬度 / Härte	2500 U/min (500 g Ladung)
晶粒大小 / Korngröße	2~10μm
纯度 / Chemische Reinheit	99,99995 %
热容 / Wärmekapazität	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimationstemperatur	2700℃
抗弯强度 / Biegefestigkeit	415 MPa RT 4-Punkt
杨氏模量 / Elastizitätsmodul	430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃
导热系数 / ThermalLeitfähigkeit	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)	4,5×10^-6K^-1