Siliziumkarbid-Epitaxialblechwanne für Halbleiter-Epitaxialofen

Kurzbeschreibung:

Die VET Energy Siliziumkarbid-Epitaxie-Folienschale ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine gleichbleibende und zuverlässige Leistung über einen langen Zeitraum entwickelt wurde. Sie zeichnet sich durch hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Homogenität, hohe Reinheit und Erosionsbeständigkeit aus und ist somit die perfekte Lösung für Wafer-Bearbeitungsanwendungen.

 


Produktdetails

Produkt-Tags

SiC-Induktoren1
SiC-Induktoren2

Siliziumkarbid-Trägerplatten sind eine Schlüsselkomponente in verschiedenen Halbleiterfertigungsprozessen. Mithilfe unserer patentierten Technologie fertigen wir Siliziumkarbid-Trägerplatten mit extrem hoher Reinheit, gleichmäßiger Beschichtung, langer Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.

VET Energy ist ein führender Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC, Tac, pyrolytischem Kohlenstoff, Glaskohlenstoff usw. Wir liefern diverse kundenspezifische Bauteile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und bietet Ihnen professionelle Materiallösungen.

Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die eine festere Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat ermöglicht und die Ablösung verringert.

Merkmale unserer Produkte:

1. Hohe Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.

4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und höhere Widerstandsfähigkeit

CVD SiC薄膜基本物理性能

Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung

性质 / Eigentum

典型数值 / Typischer Wert

晶体结构 / Kristallstruktur

FCC β-Phase多晶, 主要为(111)取向

密度 / Dichte

3,21 g/cm³

硬度 / Härte

2500 U/min (500 g Ladung)

晶粒大小 / Korngröße

2–10 μm

纯度 Chemische Reinheit

99,99995 %

热容 / Wärmekapazität

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sublimationstemperatur

2700℃

抗弯强度 / Biegefestigkeit

415 MPa RT 4-Punkt

杨氏模量 / Elastizitätsmodul

430 GPA 4pt Biegung, 1300℃

导热系数 / ThermelLeitfähigkeit

300 W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE)

4,5×10-6K-1

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Wir heißen Sie herzlich willkommen zu einem Besuch in unserem Werk und freuen uns auf das weitere Gespräch.

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