Siliziumkarbid-Trägerplatten sind eine Schlüsselkomponente in verschiedenen Halbleiterfertigungsprozessen. Mithilfe unserer patentierten Technologie fertigen wir Siliziumkarbid-Trägerplatten mit extrem hoher Reinheit, gleichmäßiger Beschichtung, langer Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischer Stabilität.
VET Energy ist ein führender Hersteller von kundenspezifischen Graphit- und Siliciumcarbidprodukten mit verschiedenen Beschichtungen wie SiC, Tac, pyrolytischem Kohlenstoff, Glaskohlenstoff usw. Wir liefern diverse kundenspezifische Bauteile für die Halbleiter- und Photovoltaikindustrie. Unser technisches Team stammt von führenden inländischen Forschungseinrichtungen und bietet Ihnen professionelle Materiallösungen.
Wir entwickeln kontinuierlich fortschrittliche Verfahren, um fortschrittlichere Materialien bereitzustellen, und haben eine exklusive patentierte Technologie entwickelt, die eine festere Verbindung zwischen Beschichtung und Substrat ermöglicht und die Ablösung verringert.
Merkmale unserer Produkte:
1. Hohe Oxidationsbeständigkeit bis zu 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit: gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und höhere Widerstandsfähigkeit
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC β-Phase多晶, 主要为(111)取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2–10 μm |
| 纯度 Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 GPA 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermelLeitfähigkeit | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen zu einem Besuch in unserem Werk und freuen uns auf das weitere Gespräch.
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