SiC-beschichteter Suscetpor ist eine Schlüsselkomponente, die in verschiedenen Halbleiterherstellungsprozessen verwendet wird.Wir verwenden unsere patentierte Technologie, um mit SiC beschichtete Suszeptoren mit extrem hoher Reinheit, guter Beschichtungsgleichmäßigkeit und ausgezeichneter Lebensdauer sowie hoher chemischer Beständigkeit und thermischen Stabilitätseigenschaften herzustellen.
Merkmale unserer Produkte:
1. Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bis 1700℃.
2. Hohe Reinheit und thermische Gleichmäßigkeit
3. Hervorragende Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
4. Hohe Härte, kompakte Oberfläche, feine Partikel.
5. Längere Lebensdauer und langlebiger
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Grundlegende physikalische Eigenschaften von CVD-SiCBeschichtung | |
| 性质 / Eigentum | 典型数值 / Typischer Wert |
| 晶体结构 / Kristallstruktur | FCC-β-Phase多晶, 主要为（111）取向 |
| 密度 / Dichte | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Härte | 2500 U/min (500 g Ladung) |
| 晶粒大小 / Korngröße | 2~10μm |
| 纯度 / Chemische Reinheit | 99,99995 % |
| 热容 / Wärmekapazität | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Sublimationstemperatur | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Biegefestigkeit | 415 MPa RT 4-Punkt |
| 杨氏模量 / Elastizitätsmodul | 430 Gpa 4pt Biegung, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalLeitfähigkeit | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Wir heißen Sie herzlich willkommen, unsere Fabrik zu besuchen. Lassen Sie uns weitere Gespräche führen!
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