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Was sind die Mängel der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht?
von Admin am 24.06.05
Die Kerntechnologie für das Wachstum von SiC-Epitaxiematerialien ist zunächst die Defektkontrolltechnologie, insbesondere die Defektkontrolltechnologie, die anfällig für Geräteausfälle oder eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit ist. Die Untersuchung des Mechanismus von Substratdefekten, die sich bis in die epi...
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Technologie für oxidiertes stehendes Korn und epitaktisches Wachstum-Ⅱ
vom Administrator am 24.05.30
2. Epitaktisches Dünnschichtwachstum Das Substrat stellt eine physikalische Stützschicht oder leitende Schicht für Ga2O3-Leistungsgeräte dar. Die nächste wichtige Schicht ist die Kanalschicht oder Epitaxieschicht, die für Spannungsfestigkeit und Ladungsträgertransport dient. Um die Durchbruchspannung zu erhöhen und die Spannung zu minimieren...
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Galliumoxid-Einkristall- und epitaktische Wachstumstechnologie
vom Administrator am 24.05.30
Halbleiter mit großer Bandlücke (WBG), vertreten durch Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), haben große Aufmerksamkeit erregt. Die Menschen haben hohe Erwartungen an die Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid in Elektrofahrzeugen und Stromnetzen sowie an die Anwendungsaussichten von Gallium...
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Was sind die technischen Hindernisse für Siliziumkarbid?Ⅱ
von Admin am 24.05.22
Zu den technischen Schwierigkeiten bei der stabilen Massenproduktion hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer mit stabiler Leistung gehören: 1) Da Kristalle in einer abgedichteten Hochtemperaturumgebung über 2000 °C wachsen müssen, sind die Anforderungen an die Temperaturkontrolle extrem hoch; 2) Da Siliziumkarbid ...
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Was sind die technischen Hindernisse für Siliziumkarbid?
von Admin am 24.05.22
Die erste Generation von Halbleitermaterialien wird durch traditionelles Silizium (Si) und Germanium (Ge) repräsentiert, die die Grundlage für die Herstellung integrierter Schaltkreise bilden. Sie werden häufig in Niederspannungs-, Niederfrequenz- und Niederleistungstransistoren und -detektoren eingesetzt. Mehr als 90 % der Halbleiterprodukte...
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Wie wird SiC-Mikropulver hergestellt?
vom Administrator am 24.05.13
SiC-Einkristall ist ein Verbindungshalbleitermaterial der Gruppe IV-IV, das aus zwei Elementen, Si und C, in einem stöchiometrischen Verhältnis von 1:1 besteht. Seine Härte übertrifft die von Diamant. Die Methode zur Kohlenstoffreduktion von Siliziumoxid zur Herstellung von SiC basiert hauptsächlich auf der folgenden chemischen Reaktionsformel ...
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Wie helfen Epitaxieschichten Halbleiterbauelementen?
vom Administrator am 24.05.13
Der Ursprung des Namens Epitaxie-Wafer Lassen Sie uns zunächst ein kleines Konzept bekannt machen: Die Wafervorbereitung umfasst zwei wichtige Zusammenhänge: Substratvorbereitung und Epitaxieprozess. Das Substrat ist ein Wafer aus Halbleiter-Einkristallmaterial. Das Substrat kann direkt in die Wafer-Herstellung gelangen...
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Einführung in die Dünnschichtabscheidungstechnologie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD).
von Admin am 24.05.06
Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine wichtige Technologie zur Dünnschichtabscheidung, die häufig zur Herstellung verschiedener Funktionsfilme und Dünnschichtmaterialien eingesetzt wird und in der Halbleiterfertigung und anderen Bereichen weit verbreitet ist. 1. Funktionsprinzip von CVD Beim CVD-Verfahren wird ein Gasvorläufer (ein oder...)
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Das Geheimnis des „schwarzen Goldes“ hinter der Photovoltaik-Halbleiterindustrie: der Wunsch und die Abhängigkeit von isostatischem Graphit
von Admin am 24.05.06
Isostatischer Graphit ist ein sehr wichtiges Material in der Photovoltaik und Halbleiterindustrie. Mit dem rasanten Aufstieg inländischer isostatischer Graphitunternehmen wurde das Monopol ausländischer Unternehmen in China gebrochen. Mit kontinuierlicher unabhängiger Forschung und Entwicklung sowie technologischen Durchbrüchen ...
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