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Arten von Spezialgraphit
von Admin am 24.06.17
Spezialgraphit ist ein Graphitmaterial mit hoher Reinheit, hoher Dichte und hoher Festigkeit und weist eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, hohe Temperaturstabilität und eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit auf. Es wird aus natürlichem oder künstlichem Graphit nach Hochtemperatur-Wärmebehandlung und Hochdruckverarbeitung hergestellt ...
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Analyse von Geräten zur Dünnschichtabscheidung – die Prinzipien und Anwendungen von PECVD/LPCVD/ALD-Geräten
von Admin am 24.06.12
Bei der Dünnfilmabscheidung wird eine Filmschicht auf das Hauptsubstratmaterial des Halbleiters aufgetragen. Dieser Film kann aus verschiedenen Materialien bestehen, beispielsweise aus isolierendem Siliziumdioxid, Halbleiter-Polysilizium, Metallkupfer usw. Die für die Beschichtung verwendete Ausrüstung wird als Dünnschichtabscheidung bezeichnet...
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Wichtige Materialien, die die Qualität des monokristallinen Siliziumwachstums bestimmen – thermisches Feld
von Admin am 24.06.12
Der Wachstumsprozess von monokristallinem Silizium erfolgt vollständig im thermischen Feld. Ein gutes Wärmefeld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität bei und führt zu einer höheren Kristallisationseffizienz. Die Gestaltung des thermischen Feldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen der Temperaturgradienten...
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Was sind die technischen Schwierigkeiten des Siliziumkarbid-Kristallwachstumsofens?
von Admin am 24.06.07
Der Kristallwachstumsofen ist die Kernausrüstung für das Siliziumkarbid-Kristallwachstum. Es ähnelt dem herkömmlichen Kristallwachstumsofen für kristallines Silizium. Der Ofenaufbau ist nicht sehr kompliziert. Es besteht hauptsächlich aus Ofenkörper, Heizsystem, Spulenübertragungsmechanismus ...
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Was sind die Mängel der Siliziumkarbid-Epitaxieschicht?
von Admin am 24.06.05
Die Kerntechnologie für das Wachstum epitaktischer SiC-Materialien ist zunächst die Defektkontrolltechnologie, insbesondere die Defektkontrolltechnologie, die anfällig für Geräteausfälle oder eine Verschlechterung der Zuverlässigkeit ist. Die Untersuchung des Mechanismus von Substratdefekten, die sich bis in die epi...
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Technologie für oxidiertes stehendes Korn und epitaktisches Wachstum-Ⅱ
vom Administrator am 24.05.30
2. Epitaktisches Dünnschichtwachstum Das Substrat stellt eine physikalische Stützschicht oder leitende Schicht für Ga2O3-Leistungsgeräte dar. Die nächste wichtige Schicht ist die Kanalschicht oder Epitaxieschicht, die für Spannungsfestigkeit und Ladungsträgertransport dient. Um die Durchbruchspannung zu erhöhen und die Spannung zu minimieren...
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Galliumoxid-Einkristall- und epitaktische Wachstumstechnologie
vom Administrator am 24.05.30
Halbleiter mit großer Bandlücke (WBG), repräsentiert durch Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), haben große Aufmerksamkeit erregt. Die Menschen haben hohe Erwartungen an die Anwendungsaussichten von Siliziumkarbid in Elektrofahrzeugen und Stromnetzen sowie an die Anwendungsaussichten von Gallium...
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Was sind die technischen Hindernisse für Siliziumkarbid?Ⅱ
von Admin am 24.05.22
Zu den technischen Schwierigkeiten bei der stabilen Massenproduktion hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer mit stabiler Leistung gehören: 1) Da Kristalle in einer versiegelten Hochtemperaturumgebung über 2000 °C wachsen müssen, sind die Anforderungen an die Temperaturkontrolle extrem hoch; 2) Da Siliziumkarbid ...
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Was sind die technischen Hindernisse für Siliziumkarbid?
von Admin am 24.05.22
Die erste Generation von Halbleitermaterialien wird durch traditionelles Silizium (Si) und Germanium (Ge) repräsentiert, die die Grundlage für die Herstellung integrierter Schaltkreise bilden. Sie werden häufig in Niederspannungs-, Niederfrequenz- und Niederleistungstransistoren und -detektoren eingesetzt. Mehr als 90 % der Halbleiterprodukte...
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