Nachricht

Aktueller Stand und Trend der Metallisierungsforschung auf keramischen Substratoberflächen
von Admin am 25.07.2016
Nach dem Sintern und Formen des Keramiksubstrats muss dessen Oberfläche metallisiert werden. Anschließend wird das Oberflächenmuster mittels Bildübertragung erzeugt, um die elektrische Leitfähigkeit des Keramiksubstrats zu gewährleisten. Die Oberflächenmetallisierung ist ein entscheidender Schritt bei der Herstellung von Keramiksubstraten…
Mehr lesen
Welche Technologie steht im Zusammenhang mit dem Wachstum von Siliciumcarbid (SiC)-Kristallen?
Von Admin am 25.07.2010
1. Dotierungstechnologie für Siliciumcarbidpulver: Durch Dotierung von Siliciumcarbidpulver mit einer geeigneten Menge Cer kann ein stabiles Wachstum von 4H-SiC-Einkristallen erzielt werden. Praktische Erfahrungen haben gezeigt, dass die Dotierung von Pulvermaterialien mit Cer die Wachstumsrate erhöht.
Mehr lesen
Das Prinzip des PVT-Verfahrens zur Kristallzüchtung von Siliciumcarbid (SiC).
von Admin am 25.07.03
Das PVT-Verfahren (Physical Vapor Transportation) ist eine gängige Methode zur Herstellung von Siliciumcarbid-Kristallen (SiC) unter hohen Temperaturen und hohem Druck. Das Grundprinzip besteht darin, Siliciumcarbidpulver bei einer Temperatur über 2300 °C und in einer Niederdruckumgebung bis zur Sublimation zu erhitzen.
Mehr lesen
Was ist ein Kristallzuchtofen für Siliziumkarbid (SiC)?
von Admin am 25.06.2024
Siliziumkarbid (SiC) zeichnet sich durch eine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe kritische Durchbruchfeldstärke und hohe Elektronensättigungsdrift aus. Es erfüllt die Anwendungsanforderungen unter Bedingungen hoher Temperatur, hohen Drucks, hoher Frequenz und hoher Leistung. Es findet breite Anwendung…
Mehr lesen
Was ist eine CVD-SiC-Beschichtung?
von Admin am 25.06.09
Die CVD-SiC-Beschichtung verändert die Grenzen der Halbleiterfertigungsprozesse in erstaunlichem Tempo. Diese scheinbar einfache Beschichtungstechnologie hat sich zu einer Schlüssellösung für die drei zentralen Herausforderungen der Chipherstellung entwickelt: Partikelverunreinigung, Hochtemperaturkorrosion und Plasmaerosion.
Mehr lesen
Funktion und Verwendung von Quarzboot
von Admin am 25.06.04
Quarzschiffchen, als Präzisionsinstrumentenbauteil aus hochreinem Quarz, spielen eine wichtige Rolle in vielen Bereichen wie der Halbleiterfertigung, der Optoelektronik, der chemischen Analytik und bei Hochtemperaturexperimenten. Ihre einzigartigen physikalischen und chemischen Eigenschaften verleihen ihnen ein breites Anwendungsspektrum.
Mehr lesen
Einfluss unterschiedlicher Temperaturen auf das Wachstum von CVD-SiC-Beschichtungen
von Admin am 25.05.2026
Was ist eine CVD-SiC-Beschichtung? Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist ein Vakuumabscheidungsverfahren zur Herstellung hochreiner Feststoffe. Dieses Verfahren wird häufig in der Halbleiterfertigung eingesetzt, um Dünnschichten auf der Oberfläche von Wafern zu erzeugen. Bei der Herstellung von Siliciumcarbid mittels CVD…
Mehr lesen
Was ist ein Solar-Graphit-Boot?
von Admin am 25.04.2022
In der sich rasant entwickelnden Photovoltaik-Industrie sind Präzision und Materialinnovationen entscheidend für die Steigerung der Energieumwandlungseffizienz. Zu den oft übersehenen Helden dieses Prozesses zählt das Solar-Graphit-Boot, eine Spezialkomponente für die Hochtemperatur-Halbleiterfertigung.
Mehr lesen
Was ist eine TaC-Beschichtung?
von Admin am 25.04.2010
In der sich rasant entwickelnden Halbleiterindustrie sind Materialien, die Leistung, Haltbarkeit und Effizienz verbessern, von entscheidender Bedeutung. Eine solche Innovation ist die Tantalcarbid-Beschichtung (TaC), eine hochmoderne Schutzschicht für Graphitbauteile. Dieser Blogbeitrag erläutert die Definition und die technischen Eigenschaften der TaC-Beschichtung.
Mehr lesen