Im Gegensatz zu diskreten S1C-Geräten, die Hochspannungs-, Hochleistungs-, Hochfrequenz- und Hochtemperatureigenschaften anstreben, besteht das Forschungsziel der integrierten SiC-Schaltung hauptsächlich darin, Hochtemperatur-Digitalschaltungen für intelligente Leistungs-ICs-Steuerschaltungen zu erhalten. Als integrierte SiC-Schaltung für...
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