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  • Halbleiterprozessablauf

    Halbleiterprozessablauf

    Man kann es auch verstehen, wenn man noch nie Physik oder Mathematik studiert hat, aber es ist etwas zu einfach und für Anfänger geeignet. Wenn Sie mehr über CMOS erfahren möchten, müssen Sie den Inhalt dieser Ausgabe lesen, denn erst nachdem Sie den Prozessablauf verstanden haben (d. h. ...)
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  • Quellen der Kontamination und Reinigung von Halbleiterwafern

    Quellen der Kontamination und Reinigung von Halbleiterwafern

    Für die Herstellung von Halbleitern sind einige organische und anorganische Substanzen erforderlich. Da der Prozess außerdem stets in einem Reinraum unter menschlicher Beteiligung durchgeführt wird, kommt es zwangsläufig zu einer Kontamination der Halbleiterwafer durch verschiedene Verunreinigungen. Entsprechend...
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  • Verschmutzungsquellen und Prävention in der Halbleiterfertigungsindustrie

    Verschmutzungsquellen und Prävention in der Halbleiterfertigungsindustrie

    Die Produktion von Halbleiterbauelementen umfasst hauptsächlich diskrete Bauelemente, integrierte Schaltkreise und deren Verpackungsprozesse. Die Halbleiterproduktion kann in drei Phasen unterteilt werden: Produktion des Produktkörpermaterials, Herstellung des Produktwafers und Gerätemontage. Darunter,...
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  • Warum ist eine Ausdünnung nötig?

    Warum ist eine Ausdünnung nötig?

    In der Back-End-Prozessphase muss der Wafer (Siliziumwafer mit Schaltkreisen auf der Vorderseite) vor dem anschließenden Zerteilen, Schweißen und Verpacken auf der Rückseite dünner gemacht werden, um die Montagehöhe des Gehäuses zu verringern, das Volumen des Chipgehäuses zu verringern und die thermische Leistung des Chips zu verbessern Diffusion...
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  • Syntheseverfahren für hochreines SiC-Einkristallpulver

    Syntheseverfahren für hochreines SiC-Einkristallpulver

    Beim Wachstumsprozess von Siliziumkarbid-Einkristallen ist der physikalische Dampftransport derzeit die gängige Industrialisierungsmethode. Bei der PVT-Wachstumsmethode hat Siliziumkarbidpulver einen großen Einfluss auf den Wachstumsprozess. Alle Parameter von Siliziumkarbidpulver direkt...
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  • Warum enthält eine Waffelschachtel 25 Waffeln?

    Warum enthält eine Waffelschachtel 25 Waffeln?

    In der anspruchsvollen Welt der modernen Technologie sind Wafer, auch Siliziumwafer genannt, die Kernkomponenten der Halbleiterindustrie. Sie sind die Grundlage für die Herstellung verschiedener elektronischer Komponenten wie Mikroprozessoren, Speicher, Sensoren usw. und jeder Wafer...
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  • Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie

    Häufig verwendete Sockel für die Dampfphasenepitaxie

    Während des Dampfphasenepitaxie-Prozesses (VPE) besteht die Aufgabe des Sockels darin, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstumsprozesses sicherzustellen. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden sind einige...
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  • Wie kann die Lebensdauer von mit Tantalkarbid beschichteten Produkten verlängert werden?

    Wie kann die Lebensdauer von mit Tantalkarbid beschichteten Produkten verlängert werden?

    Mit Tantalcarbid beschichtete Produkte sind ein häufig verwendetes Hochtemperaturmaterial, das sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit usw. auszeichnet. Daher werden sie häufig in Branchen wie Luft- und Raumfahrt, Chemie und Energie eingesetzt. Um zu ex...
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  • Was ist der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD in Halbleiter-CVD-Geräten?

    Was ist der Unterschied zwischen PECVD und LPCVD in Halbleiter-CVD-Geräten?

    Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man den Prozess der Abscheidung eines festen Films auf der Oberfläche eines Siliziumwafers durch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Entsprechend den unterschiedlichen Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) kann es in verschiedene Geräte unterteilt werden ...
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