Während des Dampfphasenepitaxie-Prozesses (VPE) besteht die Aufgabe des Sockels darin, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstumsprozesses sicherzustellen. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden sind einige der am häufigsten verwendeten Sockeltypen in der Dampfphase aufgeführtEpitaxie:
Fasssockel
Fasssockel werden üblicherweise in horizontalen oder geneigten Dampfphasenepitaxiesystemen verwendet. Sie können das Substrat halten und ermöglichen, dass das Gas über das Substrat strömt, was zu einem gleichmäßigen epitaktischen Wachstum beiträgt.
Scheibenförmiger Sockel (vertikaler Sockel)
Scheibenförmige Sockel eignen sich für vertikale Dampfphasenepitaxiesysteme, bei denen das Substrat vertikal platziert wird. Dieses Design trägt dazu bei, die Kontaktfläche zwischen dem Substrat und dem Suszeptor zu reduzieren und dadurch Wärmeverluste und mögliche Verunreinigungen zu reduzieren.
Horizontaler Suszeptor
Horizontale Suszeptoren sind bei der Dampfphasenepitaxie weniger verbreitet, können jedoch in einigen spezifischen Wachstumssystemen verwendet werden, um epitaktisches Wachstum in horizontaler Richtung zu ermöglichen.
Monolithischer epitaxialer Reaktionssuszeptor
Der monolithische Epitaxie-Reaktionssuszeptor ist für ein einzelnes Substrat konzipiert, das eine präzisere Temperaturkontrolle und eine bessere Wärmeisolierung ermöglicht und sich für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten eignet.
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Zeitpunkt der Veröffentlichung: 30. Juli 2024