Beim Dampfphasenepitaxie-Verfahren (VPE) dient der Sockel dazu, das Substrat zu stützen und eine gleichmäßige Erwärmung während des Wachstumsprozesses zu gewährleisten. Verschiedene Sockeltypen eignen sich für unterschiedliche Wachstumsbedingungen und Materialsysteme. Im Folgenden werden einige der gebräuchlichsten Sockeltypen für die Dampfphasenepitaxie vorgestellt.Epitaxie:
Fasssockel
Barrel-Sockel werden häufig in horizontalen oder geneigten Dampfphasenepitaxieanlagen eingesetzt. Sie halten das Substrat und ermöglichen den Gasstrom über das Substrat, was zu einem gleichmäßigen epitaktischen Wachstum beiträgt.
Scheibenförmiger Sockel (vertikaler Sockel)
Scheibenförmige Sockel eignen sich für vertikale Dampfphasenepitaxie-Systeme, bei denen das Substrat vertikal angeordnet ist. Diese Bauweise trägt dazu bei, die Kontaktfläche zwischen Substrat und Suszeptor zu verringern und somit Wärmeverluste und potenzielle Verunreinigungen zu reduzieren.
Horizontaler Suszeptor
Horizontale Suszeptoren sind bei der Dampfphasenepitaxie weniger verbreitet, können aber in bestimmten Wachstumssystemen eingesetzt werden, um epitaktisches Wachstum in horizontaler Richtung zu ermöglichen.
Monolithischer epitaktischer Reaktionssuszeptor
Der monolithische Epitaxialreaktionssuszeptor ist für ein einzelnes Substrat ausgelegt und ermöglicht eine präzisere Temperaturkontrolle sowie eine bessere thermische Isolation. Er eignet sich daher für das Wachstum hochwertiger Epitaxialschichten.
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Veröffentlichungsdatum: 30. Juli 2024