Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) bezeichnet den Prozess der Abscheidung eines festen Films auf der Oberfläche von SiliziumWaffeldurch eine chemische Reaktion eines Gasgemisches. Je nach Reaktionsbedingungen (Druck, Vorläufer) lassen sich verschiedene Gerätetypen unterscheiden.
Für welche Prozesse werden diese beiden Geräte verwendet?
PECVDDie am häufigsten eingesetzte (Plasma Enhanced)-Anlage ist die zahlreichste und am weitesten verbreitete, die bei OX, Nitriden, Metallgates, amorphem Kohlenstoff usw. verwendet wird; LPCVD (Low Power) wird üblicherweise bei Nitriden, Poly, TEOS verwendet.
Was ist das Prinzip?
PECVD ist ein Verfahren, das Plasmaenergie und CVD optimal kombiniert. Die PECVD-Technologie nutzt Niedertemperaturplasma, um unter niedrigem Druck eine Glimmentladung an der Kathode der Prozesskammer (z. B. der Probenwanne) zu erzeugen. Diese Glimmentladung oder eine andere Heizvorrichtung kann die Temperatur der Probe auf ein vordefiniertes Niveau erhöhen und anschließend eine kontrollierte Menge Prozessgas einleiten. Dieses Gas durchläuft eine Reihe chemischer und Plasmareaktionen und bildet schließlich einen festen Film auf der Probenoberfläche.
LPCVD – Bei der Niederdruck-CVD (Low-Pressure Chemical Vapor Deposition) wird der Betriebsdruck des Reaktionsgases im Reaktor auf etwa 133 Pa oder weniger reduziert.
Was sind die jeweiligen Merkmale?
PECVD – Ein Verfahren, das Plasmaenergie und CVD optimal kombiniert: 1) Betrieb bei niedrigen Temperaturen (Vermeidung von Hochtemperaturschäden an der Anlage); 2) Schnelles Schichtwachstum; 3) Unempfindlich gegenüber verschiedenen Materialien, Oxide, Nitride, Metallgates und amorpher Kohlenstoff können alle abgeschieden werden; 4) Ein integriertes Überwachungssystem ermöglicht die Anpassung des Verfahrens anhand von Ionenparametern, Gasflussrate, Temperatur und Schichtdicke.
LPCVD – Mittels LPCVD abgeschiedene Dünnschichten zeichnen sich durch eine bessere Stufenabdeckung, präzise Zusammensetzungs- und Strukturkontrolle sowie hohe Abscheidungsraten und Ausbeuten aus. Da LPCVD kein Trägergas benötigt, wird die Partikelbelastung deutlich reduziert, weshalb es in der Halbleiterindustrie mit hoher Wertschöpfung häufig zur Dünnschichtabscheidung eingesetzt wird.
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Veröffentlichungsdatum: 24. Juli 2024