ANWENDUNGSBEREICH
Produktanwendung und Leistung Produktanwendungen und -verwendungen
Si-Einkristallindustrie, GaN, AlN, Saphir und andere MOCVD-Sockel. -Graphitbasisbeschichtung für das epitaktische Wachstum von Einkristall-Silizium
Hauptleistung: hohe Reinheit, Erosionsbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, - MOCVD-Prozess, Graphitbasisbeschichtung für epitaktisches GaN-Wachstum
hohe Temperaturbeständigkeit, niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient.
Wärmeleitfähigkeit | 250 W/m°K | Laserblitzverfahren, RT |
Wärmeausdehnung (CTE) | 4,5 x 10-6°K | Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer |
Eigentum | Wert | Verfahren |
Dichte | 3,21 g/cm³ | Sink-Float und Dimension |
Spezifische Wärme | 0,66 J/g °K | Gepulster Laserblitz |
Biegefestigkeit | 450 MPa560 MPa | 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300° |
Bruchzähigkeit | 2,94 MPa m1/2 | Mikroindentation |
Härte | 2800 | Vicker's, 500g Ladung |
ElastizitätsmodulYoung-Modul | 450 GPa430 GPa | 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C |
Körnung | 2 - 10 µm | SEM |
Reinheit, REM-Struktur, Dickenanalyse vonSiC-Beschichtung
Die Reinheit von SiC-Beschichtungen auf Graphit durch CVD beträgt bis zu 99,9995 %. Seine Struktur ist fcc. Die auf Graphit aufgetragenen SiC-Filme sind (111) ausgerichtet, wie in den XRD-Daten (Abb. 1) gezeigt, was auf ihre hohe kristalline Qualität hinweist. Die Dicke des SiC-Films ist sehr gleichmäßig, wie in Abb. 2 dargestellt.
EINKRISTALL-EPITAXIALBASIS AUS SILIKON
Produktleistung und Anwendungsaussichten.
Siliziumkarbid (SiC) beschichtetDie Basis ist die beste Basis für die Epitaxie von einkristallinem Silizium und GaN, die die Kernkomponente des Epitaxieofens darstellt. Der Sockel ist ein wichtiges Produktionszubehör für monokristallines Silizium für große integrierte Schaltkreise. Es zeichnet sich durch hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, gute Luftdichtheit und andere hervorragende Materialeigenschaften aus.
Produktanwendung und -nutzung
Graphitbasisbeschichtung für epitaktisches Einkristall-Siliziumwachstum. Geeignet für Aixtron-Maschinen usw. Beschichtungsdicke: 90 ~ 150 µm. Der Durchmesser des Waferkraters beträgt 55 mm.
SOLARPHOTOVOLTAIK
GAupidpelitcubaetiaonnd
Graphittiegelbeschichtungfür einkristallines Silizium im Straight-Pull-Verfahren
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