SiC-beschichtet

VET ENERGY, führender Hersteller von CVD-SIC-Beschichtungen in China

Materialien verändern die Zukunft

Siliziumkarbid (SiC) ist ein neues Verbindungshalbleitermaterial. Siliziumkarbid hat eine große Bandlücke (ungefähr dreimal so groß wie Silizium), eine hohe kritische Feldstärke (ungefähr zehnmal so groß wie Silizium) und eine hohe Wärmeleitfähigkeit (ungefähr dreimal so groß wie Silizium). Es ist ein wichtiges Halbleitermaterial der nächsten Generation. SiC-Beschichtungen werden häufig in der Halbleiterindustrie und in der Solarphotovoltaik eingesetzt. Insbesondere die Suszeptoren, die beim epitaktischen Wachstum von LEDs und der Si-Einkristallepitaxie verwendet werden, erfordern die Verwendung einer SiC-Beschichtung. Aufgrund des starken Aufwärtstrends von LEDs in der Beleuchtungs- und Displayindustrie und der starken Entwicklung der Halbleiterindustrie,SiC-BeschichtungsproduktDie Aussichten sind sehr gut.

ANWENDUNGSBEREICH

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Produktanwendung und Leistung                                                                                               Produktanwendungen und -verwendungen

Si-Einkristallindustrie, GaN, AlN, Saphir und andere MOCVD-Sockel. -Graphitbasisbeschichtung für das epitaktische Wachstum von Einkristall-Silizium

Hauptleistung: hohe Reinheit, Erosionsbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, - MOCVD-Prozess, Graphitbasisbeschichtung für epitaktisches GaN-Wachstum

hohe Temperaturbeständigkeit, niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient.

 

Halbleiterindustrie
Halbleiterindustrie
Halbleiterindustrie
Solar-Photovoltaik

 

Wärmeleitfähigkeit 250 W/m°K Laserblitzverfahren, RT
Wärmeausdehnung (CTE) 4,5 x 10-6°K Raumtemperatur bis 950 °C, Silica-Dilatometer
       Eigentum Wert Verfahren
Dichte 3,21 g/cm³ Sink-Float und Dimension
Spezifische Wärme 0,66 J/g °K Gepulster Laserblitz
Biegefestigkeit 450 MPa560 MPa 4-Punkt-Biegung, RT4-Punkt-Biegung, 1300°
Bruchzähigkeit 2,94 MPa m1/2 Mikroindentation
Härte 2800 Vicker's, 500g Ladung
ElastizitätsmodulYoung-Modul 450 GPa430 GPa 4-Punkt-Bogen, RT4-Punkt-Bogen, 1300 °C
Körnung 2 - 10 µm SEM

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Reinheit, REM-Struktur, Dickenanalyse vonSiC-Beschichtung

Die Reinheit von SiC-Beschichtungen auf Graphit durch CVD beträgt bis zu 99,9995 %. Seine Struktur ist fcc. Die auf Graphit aufgetragenen SiC-Filme sind (111) ausgerichtet, wie in den XRD-Daten (Abb. 1) gezeigt, was auf ihre hohe kristalline Qualität hinweist. Die Dicke des SiC-Films ist sehr gleichmäßig, wie in Abb. 2 dargestellt.

SEM-Daten eines CVD-SiC-Dünnfilms, die Kristallgröße beträgt 2~1 Opm

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Abb. 2: Gleichmäßige Dicke von SiC-Filmen

Die Kristallstruktur des CVD-SiC-Films ist eine kubisch-flächenzentrierte Struktur und die Orientierung des Filmwachstums liegt nahe bei 100 %.

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SEM und XRD eines Beta-SiC-Films auf Graphit

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EINKRISTALL-EPITAXIALBASIS AUS SILIKON

Produktleistung und Anwendungsaussichten.

Siliziumkarbid (SiC) beschichtetDie Basis ist die beste Basis für die Epitaxie von einkristallinem Silizium und GaN, die die Kernkomponente des Epitaxieofens darstellt. Der Sockel ist ein wichtiges Produktionszubehör für monokristallines Silizium für große integrierte Schaltkreise. Es zeichnet sich durch hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, gute Luftdichtheit und andere hervorragende Materialeigenschaften aus.

Produktanwendung und -nutzung

Graphitbasisbeschichtung für epitaktisches Einkristall-Siliziumwachstum. Geeignet für Aixtron-Maschinen usw. Beschichtungsdicke: 90 ~ 150 µm. Der Durchmesser des Waferkraters beträgt 55 mm.

SOLARPHOTOVOLTAIK

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Graphittiegelbeschichtungfür einkristallines Silizium im Straight-Pull-Verfahren

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Industrielle Produktion von einkristallinem Silizium im Straight-Pull-Verfahren,dreiblättriger Tiegelals hochtemperaturtragende und gleichmäßige Wärmeleitungsteile, Strömungsrohr als Abgaszirkulationskanal, Wärmeleitungsteile, Strömungsrohr als Abgaszirkulationskanal
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Produktmerkmale
Hohe Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und lange Lebensdauer können die Qualität und Leistung des Wafers verbessern. Mit sehr niedrigem Wärmeausdehnungskoeffizienten, hoher Temperaturbeständigkeit, hoher Verschleißfestigkeit, guter Isolierung, guter chemischer Stabilität, nahezu violetter (roter) äußerer sichtbarer Lichtdurchdringung.
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Im Vorfeld der Bestellung kann unser professionelles Verkaufsteam Ihre Anfrage während der Geschäftszeiten innerhalb von 50 bis 100 Minuten und während der Geschäftszeiten innerhalb von 12 Stunden beantworten. Eine schnelle und professionelle Antwort wird Ihnen helfen, Ihren Kunden mit der perfekten Option und hoher Effizienz zu gewinnen.

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Verpackungsdetails

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Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd ist ein professioneller Hersteller von Graphitteilen, insbesondere in der Entwicklung neuer Halbleitermaterialien und mit Schwerpunkt auf der Forschung und Entwicklung von SiC-Beschichtungen. Die Hauptprodukte des Unternehmens sind SiC-beschichtete Suszeptoren für die LED-Industrie und die monokristalline Siliziumindustrie. Der für die LED-Industrie und die monokristalline Siliziumindustrie verwendete SiC-Film ist eine kubische Phase, die die gleiche Gitterstruktur wie Diamant aufweist und deren Härte nur so gut wie die von Diamant ist. Siliziumkarbid ist das ausgereifteste Halbleitermaterial mit großer Bandlücke und hat breite Anwendungsaussichten in der Halbleiterindustrie. Darüber hinaus weist Siliziumkarbid eine hohe Wärmeleitfähigkeit, einen kleinen Wärmeausdehnungskoeffizienten, eine hohe Temperaturbeständigkeit (ca. 2700 Grad Celsius) und eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit auf. Die Siliziumkarbid-Beschichtungsprodukte des Unternehmens werden auch häufig in der Luft- und Raumfahrt, der Photovoltaikindustrie, der Kernenergie, dem Hochgeschwindigkeitszug, der Automobilindustrie und anderen Branchen eingesetzt.

FAQs

Gibt es eine Mindestbestellmenge?

Ja, für alle internationalen Bestellungen ist eine fortlaufende Mindestbestellmenge erforderlich.

Können Sie die entsprechende Dokumentation bereitstellen?

Ja, wir können die meisten Unterlagen bereitstellen, einschließlich Analyse-/Konformitätszertifikate; Versicherung; Herkunft und ggf. weitere Exportdokumente.

Was ist die durchschnittliche Vorlaufzeit?

Für Muster beträgt die Vorlaufzeit ca. 7 Tage. Bei Massenproduktion beträgt die Lieferzeit 15–25 Tage nach Erhalt der Anzahlung. Die Lieferzeiten treten in Kraft, sobald wir Ihre Anzahlung erhalten haben und Ihre endgültige Genehmigung für Ihre Produkte vorliegt. In jedem Fall werden wir versuchen, Ihren Wünschen gerecht zu werden. In den meisten Fällen gelingt uns das.

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30 % Anzahlung im Voraus, 70 % Restbetrag vor dem Versand oder gegen die Kopie von B/L.

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Wir garantieren unsere Materialien und Verarbeitung. Unser Ziel ist Ihre Zufriedenheit mit unseren Produkten. Ob Garantie oder nicht, es ist die Kultur unseres Unternehmens, alle Kundenprobleme zur Zufriedenheit aller anzugehen und zu lösen

Gewährleisten Sie eine sichere Lieferung der Produkte?

Ja, wir verwenden stets hochwertige Exportverpackungen. Wir verwenden außerdem spezielle Gefahrenverpackungen für gefährliche Güter und validierte Kühllagerversender für temperaturempfindliche Artikel. Für spezielle Verpackungen und nicht standardmäßige Verpackungsanforderungen können zusätzliche Kosten anfallen.

Wie sieht es mit den Versandkosten aus?

Die Versandkosten hängen davon ab, wie Sie die Ware erhalten möchten. Express ist normalerweise der schnellste, aber auch teuerste Weg. Für große Mengen ist die Seefracht die beste Lösung. Genaue Frachtpreise können wir Ihnen nur nennen, wenn uns die Angaben zu Menge, Gewicht und Weg bekannt sind. Bitte kontaktieren Sie uns für weitere Informationen.

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