VET Energy GaN on Silicon Wafer är en banbrytande halvledarlösning designad speciellt för radiofrekvenstillämpningar (RF). Genom att epitaxiellt odla högkvalitativ galliumnitrid (GaN) på ett kiselsubstrat, levererar VET Energy en kostnadseffektiv och högpresterande plattform för ett brett utbud av RF-enheter.
Denna GaN on Silicon wafer är kompatibel med andra material som Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer och SiN Substrate, vilket utökar dess mångsidighet för olika tillverkningsprocesser. Dessutom är den optimerad för användning med Epi Wafer och avancerade material som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, som ytterligare förbättrar dess tillämpningar inom högeffektelektronik. Skivorna är designade för sömlös integration i tillverkningssystem med standardkassetthantering för enkel användning och ökad produktionseffektivitet.
VET Energy erbjuder en omfattande portfölj av halvledarsubstrat, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Vår mångsidiga produktlinje tillgodoser behoven hos olika elektroniska applikationer, från kraftelektronik till RF och optoelektronik.
GaN på Silicon Wafer erbjuder flera fördelar för RF-applikationer:
• Högfrekvent prestanda:GaN:s breda bandgap och höga elektronrörlighet möjliggör högfrekvent drift, vilket gör den idealisk för 5G och andra höghastighetskommunikationssystem.
• Hög effekttäthet:GaN-enheter kan hantera högre effekttätheter jämfört med traditionella kiselbaserade enheter, vilket leder till mer kompakta och effektiva RF-system.
• Låg strömförbrukning:GaN-enheter uppvisar lägre strömförbrukning, vilket resulterar i förbättrad energieffektivitet och minskad värmeavledning.
Applikationer:
• 5G trådlös kommunikation:GaN på Silicon wafers är avgörande för att bygga högpresterande 5G-basstationer och mobila enheter.
• Radarsystem:GaN-baserade RF-förstärkare används i radarsystem för deras höga effektivitet och breda bandbredd.
• Satellitkommunikation:GaN-enheter möjliggör högeffekts- och högfrekventa satellitkommunikationssystem.
• Militärelektronik:GaN-baserade RF-komponenter används i militära tillämpningar som elektronisk krigföring och radarsystem.
VET Energy erbjuder anpassningsbara GaN på silikonskivor för att möta dina specifika krav, inklusive olika dopningsnivåer, tjocklekar och waferstorlekar. Vårt expertteam tillhandahåller teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa din framgång.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut värde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasning |
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ytfinish | Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP | ||||
Ytråhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm) | ||||
Indrag | Ingen tillåten | ||||
Repor (Si-Face) | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | ||
Sprickor | Ingen tillåten | ||||
Kantexkludering | 3 mm |