Den 12-tums kiselskiva för halvledartillverkning som erbjuds av VET Energy är konstruerad för att uppfylla de exakta standarder som krävs inom halvledarindustrin. Som en av de ledande produkterna i vårt sortiment säkerställer VET Energy att dessa wafers produceras med exakt planhet, renhet och ytkvalitet, vilket gör dem idealiska för banbrytande halvledarapplikationer, inklusive mikrochips, sensorer och avancerade elektroniska enheter.
Denna wafer är kompatibel med ett brett utbud av material såsom Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate och Epi Wafer, vilket ger utmärkt mångsidighet för olika tillverkningsprocesser. Dessutom paras den väl med avancerade teknologier som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, vilket säkerställer att den kan integreras i högt specialiserade applikationer. För smidig drift är wafern optimerad för användning med industristandard kassettsystem, vilket säkerställer effektiv hantering vid halvledartillverkning.
VET Energys produktlinje är inte begränsad till silikonwafers. Vi tillhandahåller också ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc., såväl som nya bredbandgap halvledarmaterial som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Dessa produkter kan möta applikationsbehoven hos olika kunder inom kraftelektronik, radiofrekvens, sensorer och andra områden.
Användningsområden:
•Logiska marker:Tillverkning av högpresterande logikchips som CPU och GPU.
•Minneskretsar:Tillverkning av minneschip som DRAM och NAND Flash.
•Analoga chips:Tillverkning av analoga chips som ADC och DAC.
•Sensorer:MEMS-sensorer, bildsensorer m.m.
VET Energy förser kunder med skräddarsydda waferlösningar och kan skräddarsy wafers med olika resistivitet, olika syrehalt, olika tjocklek och andra specifikationer efter kundernas specifika behov. Dessutom tillhandahåller vi även professionell teknisk support och eftermarknadsservice för att hjälpa kunder att optimera produktionsprocesser och förbättra produktutbytet.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut värde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasning |
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ytfinish | Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP | ||||
Ytråhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm) | ||||
Indrag | Ingen tillåten | ||||
Repor (Si-Face) | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | ||
Sprickor | Ingen tillåten | ||||
Kantexkludering | 3 mm |