Den 6-tums halvisolerande SiC-skivan från VET Energy är en avancerad lösning för applikationer med hög effekt och hög frekvens, som erbjuder överlägsen värmeledningsförmåga och elektrisk isolering. Dessa halvisolerande wafers är viktiga i utvecklingen av enheter som RF-förstärkare, strömbrytare och andra högspänningskomponenter. VET Energy säkerställer konsekvent kvalitet och prestanda, vilket gör dessa wafers idealiska för ett brett utbud av halvledartillverkningsprocesser.
Förutom deras enastående isoleringsegenskaper är dessa SiC-skivor kompatibla med en mängd olika material, inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat och Epi-wafer, vilket gör dem mångsidiga för olika typer av tillverkningsprocesser. Dessutom kan avancerade material som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer användas i kombination med dessa SiC-skivor, vilket ger ännu större flexibilitet i elektroniska enheter med hög effekt. Skivorna är designade för sömlös integration med industristandardhanteringssystem som kassettsystem, vilket säkerställer enkel användning i massproduktionsmiljöer.
VET Energy erbjuder en omfattande portfölj av halvledarsubstrat, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Vår mångsidiga produktlinje tillgodoser behoven hos olika elektroniska applikationer, från kraftelektronik till RF och optoelektronik.
6 tums halvisolerande SiC-skiva erbjuder flera fördelar:
Hög genombrottsspänning: Det breda bandgapet hos SiC möjliggör högre genombrottsspänningar, vilket möjliggör mer kompakta och effektiva kraftenheter.
Högtemperaturdrift: SiC:s utmärkta värmeledningsförmåga möjliggör drift vid högre temperaturer, vilket förbättrar enhetens tillförlitlighet.
Lågt på-motstånd: SiC-enheter uppvisar lägre på-motstånd, vilket minskar effektförluster och förbättrar energieffektiviteten.
VET Energy erbjuder anpassningsbara SiC-skivor för att möta dina specifika krav, inklusive olika tjocklekar, dopningsnivåer och ytfinish. Vårt expertteam tillhandahåller teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa din framgång.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut värde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasning |
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ytfinish | Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP | ||||
Ytråhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm) | ||||
Indrag | Ingen tillåten | ||||
Repor (Si-Face) | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | ||
Sprickor | Ingen tillåten | ||||
Kantexkludering | 3 mm |