6 tums halvisolerande SiC-skiva

Kort beskrivning:

VET Energy 6 tums halvisolerande kiselkarbid (SiC) wafer är ett högkvalitativt substrat idealiskt för ett brett utbud av kraftelektronikapplikationer. VET Energy använder avancerade tillväxttekniker för att producera SiC-skivor med exceptionell kristallkvalitet, låg defektdensitet och hög resistivitet.


Produktdetaljer

Produkttaggar

Den 6-tums halvisolerande SiC-skivan från VET Energy är en avancerad lösning för applikationer med hög effekt och hög frekvens, som erbjuder överlägsen värmeledningsförmåga och elektrisk isolering. Dessa halvisolerande wafers är viktiga i utvecklingen av enheter som RF-förstärkare, strömbrytare och andra högspänningskomponenter. VET Energy säkerställer konsekvent kvalitet och prestanda, vilket gör dessa wafers idealiska för ett brett utbud av halvledartillverkningsprocesser.

Förutom deras enastående isoleringsegenskaper är dessa SiC-skivor kompatibla med en mängd olika material, inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer, SiN-substrat och Epi-wafer, vilket gör dem mångsidiga för olika typer av tillverkningsprocesser. Dessutom kan avancerade material som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer användas i kombination med dessa SiC-skivor, vilket ger ännu större flexibilitet i elektroniska enheter med hög effekt. Skivorna är designade för sömlös integration med industristandardhanteringssystem som kassettsystem, vilket säkerställer enkel användning i massproduktionsmiljöer.

VET Energy erbjuder en omfattande portfölj av halvledarsubstrat, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer. Vår mångsidiga produktlinje tillgodoser behoven hos olika elektroniska applikationer, från kraftelektronik till RF och optoelektronik.

6 tums halvisolerande SiC-skiva erbjuder flera fördelar:
Hög genombrottsspänning: Det breda bandgapet hos SiC möjliggör högre genombrottsspänningar, vilket möjliggör mer kompakta och effektiva kraftenheter.
Högtemperaturdrift: SiC:s utmärkta värmeledningsförmåga möjliggör drift vid högre temperaturer, vilket förbättrar enhetens tillförlitlighet.
Lågt på-motstånd: SiC-enheter uppvisar lägre på-motstånd, vilket minskar effektförluster och förbättrar energieffektiviteten.

VET Energy erbjuder anpassningsbara SiC-skivor för att möta dina specifika krav, inklusive olika tjocklekar, dopningsnivåer och ytfinish. Vårt expertteam tillhandahåller teknisk support och eftermarknadsservice för att säkerställa din framgång.

第6页-36
第6页-35

SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING

*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande

Punkt

8-tums

6-tums

4-tums

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Bow(GF3YFCD)-Absolut värde

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Warp(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Wafer Edge

Fasning

YTBEHANDLING

*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande

Punkt

8-tums

6-tums

4-tums

nP

n-Pm

n-Ps

SI

SI

Ytfinish

Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP

Ytråhet

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm
C-Face Ra≤ 0,5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Edge Chips

Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm)

Indrag

Ingen tillåten

Repor (Si-Face)

Antal.≤5, Kumulativ
Längd≤0,5×wafer diameter

Antal.≤5, Kumulativ
Längd≤0,5×wafer diameter

Antal.≤5, Kumulativ
Längd≤0,5×wafer diameter

Sprickor

Ingen tillåten

Kantexkludering

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Tidigare:
  • Nästa:

  • WhatsApp onlinechatt!