Denna 6 tums N Type SiC Wafer är konstruerad för förbättrad prestanda under extrema förhållanden, vilket gör den till ett idealiskt val för applikationer som kräver hög effekt och temperaturbeständighet. Nyckelprodukter associerade med denna wafer inkluderar Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer och SiN Substrate. Dessa material säkerställer optimal prestanda i en mängd olika halvledartillverkningsprocesser, vilket möjliggör enheter som är både energieffektiva och hållbara.
För företag som arbetar med Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette eller AlN Wafer, ger VET Energys 6 Inch N Type SiC Wafer den nödvändiga grunden för innovativ produktutveckling. Oavsett om det är inom högeffektelektronik eller det senaste inom RF-teknik, säkerställer dessa wafers utmärkt ledningsförmåga och minimalt termiskt motstånd, vilket tänjer på gränserna för effektivitet och prestanda.
SPECIFIKATIONER FÖR WAFERING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-Absolut värde | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasning |
YTBEHANDLING
*n-Pm=n-typ Pm-Grade,n-Ps=n-typ Ps-Grade,Sl=Halvisolerande
Punkt | 8-tums | 6-tums | 4-tums | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Ytfinish | Dubbelsidig Optisk Polish, Si- Face CMP | ||||
Ytråhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillåten (längd och bredd≥0,5 mm) | ||||
Indrag | Ingen tillåten | ||||
Repor (Si-Face) | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | Antal.≤5, Kumulativ | ||
Sprickor | Ingen tillåten | ||||
Kantexkludering | 3 mm |