Silicon Carbide (SiC) epitaxial wafer

VET Energy kiselkarbid (SiC) epitaxial wafer är ett högpresterande halvledarmaterial med breda bandgap med utmärkt högtemperaturbeständighet, hög frekvens och hög effekt. Det är ett idealiskt substrat för den nya generationen kraftelektroniska enheter. VET Energy använder avancerad MOCVD-epitaxialteknologi för att odla högkvalitativa SiC-epitaxiallager på SiC-substrat, vilket säkerställer den utmärkta prestandan och konsistensen hos wafern.

Vår epitaxialwafer av kiselkarbid (SiC) erbjuder utmärkt kompatibilitet med en mängd olika halvledarmaterial inklusive Si-wafer, SiC-substrat, SOI-wafer och SiN-substrat. Med sitt robusta epitaxiala lager stöder den avancerade processer som Epi Wafer-tillväxt och integration med material som Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, vilket säkerställer mångsidig användning över olika teknologier. Designad för att vara kompatibel med industristandardiserade kassetthanteringssystem, säkerställer den effektiv och strömlinjeformad drift i halvledartillverkningsmiljöer.

VET Energys produktlinje är inte begränsad till SiC epitaxiella wafers. Vi tillhandahåller också ett brett utbud av halvledarsubstratmaterial, inklusive Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, etc. Dessutom utvecklar vi också aktivt nya halvledarmaterial med breda bandgap, såsom Gallium Oxide Ga2O3 och AlN Wafer, för att möta den framtida kraftelektronikindustrins efterfrågan på enheter med högre prestanda.