Denne 6-tommers N Type SiC-waferen er konstruert for forbedret ytelse under ekstreme forhold, noe som gjør den til et ideelt valg for applikasjoner som krever høy effekt og temperaturmotstand. Nøkkelprodukter knyttet til denne waferen inkluderer Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer og SiN Substrate. Disse materialene sikrer optimal ytelse i en rekke halvlederproduksjonsprosesser, og muliggjør enheter som er både energieffektive og holdbare.
For selskaper som jobber med Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, Cassette eller AlN Wafer, gir VET Energys 6 Tommer N Type SiC Wafer det nødvendige grunnlaget for innovativ produktutvikling. Enten det er innen høyeffektelektronikk eller det siste innen RF-teknologi, sørger disse wafere for utmerket ledningsevne og minimal termisk motstand, og flytter grensene for effektivitet og ytelse.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolutt verdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasing |
OVERFLATEBEHANDLING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Overflatefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overflateruhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillatt (lengde og bredde ≥0,5 mm) | ||||
Innrykk | Ingen tillatt | ||||
Riper (Si-Face) | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | ||
Sprekker | Ingen tillatt | ||||
Kantekskludering | 3 mm |