12-tommers silisiumwafer for halvlederfabrikasjon som tilbys av VET Energy, er konstruert for å møte de nøyaktige standardene som kreves i halvlederindustrien. Som et av de ledende produktene i utvalget vårt, sikrer VET Energy at disse skivene produseres med nøyaktig flathet, renhet og overflatekvalitet, noe som gjør dem ideelle for banebrytende halvlederapplikasjoner, inkludert mikrobrikker, sensorer og avanserte elektroniske enheter.
Denne waferen er kompatibel med et bredt spekter av materialer som Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate og Epi Wafer, og gir utmerket allsidighet for ulike fabrikasjonsprosesser. I tillegg passer den godt sammen med avanserte teknologier som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer, noe som sikrer at den kan integreres i høyt spesialiserte applikasjoner. For jevn drift er waferen optimalisert for bruk med industristandard kassettsystemer, noe som sikrer effektiv håndtering i halvlederproduksjon.
VET Energys produktlinje er ikke begrenset til silisiumskiver. Vi tilbyr også et bredt spekter av halvledersubstratmaterialer, inkludert SiC-substrat, SOI Wafer, SiN-substrat, Epi Wafer, etc., samt nye halvledermaterialer med brede båndgap som Gallium Oxide Ga2O3 og AlN Wafer. Disse produktene kan møte applikasjonsbehovene til forskjellige kunder innen kraftelektronikk, radiofrekvens, sensorer og andre felt.
Bruksområder:
•Logiske brikker:Produksjon av høyytelses logikkbrikker som CPU og GPU.
•Minnebrikker:Produksjon av minnebrikker som DRAM og NAND Flash.
•Analoge brikker:Produksjon av analoge brikker som ADC og DAC.
•Sensorer:MEMS-sensorer, bildesensorer, etc.
VET Energy gir kundene tilpassede waferløsninger, og kan tilpasse wafere med ulik resistivitet, ulikt oksygeninnhold, ulik tykkelse og andre spesifikasjoner i henhold til kundenes spesifikke behov. I tillegg tilbyr vi også profesjonell teknisk støtte og ettersalgsservice for å hjelpe kundene med å optimalisere produksjonsprosessene og forbedre produktutbyttet.
WAFERING SPESIFIKASJONER
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Bow(GF3YFCD)-absolutt verdi | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Wafer Edge | Fasing |
OVERFLATEBEHANDLING
*n-Pm=n-type Pm-Grade,n-Ps=n-type Ps-Grade,Sl=Halvisolerende
Punkt | 8-tommers | 6-tommers | 4-tommers | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Overflatefinish | Dobbeltsidet optisk polsk, Si-Face CMP | ||||
Overflateruhet | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Ingen tillatt (lengde og bredde≥0,5 mm) | ||||
Innrykk | Ingen tillatt | ||||
Riper (Si-Face) | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | Antall.≤5,kumulativ | ||
Sprekker | Ingen tillatt | ||||
Kantekskludering | 3 mm |