VET Energy GaN su Silicon Wafer è una soluzione di semiconduttori all'avanguardia progettata specificamente per applicazioni a radiofrequenza (RF). Facendo crescere epitassialmente nitruro di gallio (GaN) di alta qualità su un substrato di silicio, VET Energy offre una piattaforma conveniente e ad alte prestazioni per un'ampia gamma di dispositivi RF.
Questo wafer GaN su silicio è compatibile con altri materiali come Si Wafer, substrato SiC, wafer SOI e substrato SiN, ampliando la sua versatilità per vari processi di fabbricazione. Inoltre, è ottimizzato per l'uso con Epi Wafer e materiali avanzati come ossido di gallio Ga2O3 e AlN Wafer, che ne migliorano ulteriormente le applicazioni nell'elettronica ad alta potenza. I wafer sono progettati per una perfetta integrazione nei sistemi di produzione utilizzando la gestione delle cassette standard per facilità d'uso e maggiore efficienza produttiva.
VET Energy offre un portafoglio completo di substrati semiconduttori, tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. La nostra diversificata linea di prodotti soddisfa le esigenze di varie applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza alla RF e all'optoelettronica.
GaN su wafer di silicio offre numerosi vantaggi per le applicazioni RF:
• Prestazioni ad alta frequenza:L'ampio gap di banda e l'elevata mobilità degli elettroni del GaN consentono il funzionamento ad alta frequenza, rendendolo ideale per il 5G e altri sistemi di comunicazione ad alta velocità.
• Elevata densità di potenza:I dispositivi GaN possono gestire densità di potenza più elevate rispetto ai tradizionali dispositivi basati su silicio, portando a sistemi RF più compatti ed efficienti.
• Basso consumo energetico:I dispositivi GaN presentano un consumo energetico inferiore, con conseguente migliore efficienza energetica e ridotta dissipazione del calore.
Applicazioni:
• Comunicazione wireless 5G:I wafer GaN su silicio sono essenziali per costruire stazioni base 5G e dispositivi mobili ad alte prestazioni.
• Sistemi radar:Gli amplificatori RF basati su GaN vengono utilizzati nei sistemi radar per la loro elevata efficienza e l'ampia larghezza di banda.
• Comunicazione satellitare:I dispositivi GaN consentono sistemi di comunicazione satellitare ad alta potenza e alta frequenza.
• Elettronica militare:I componenti RF basati su GaN vengono utilizzati in applicazioni militari come la guerra elettronica e i sistemi radar.
VET Energy offre GaN su wafer di silicio personalizzabili per soddisfare i vostri requisiti specifici, inclusi diversi livelli di drogaggio, spessori e dimensioni dei wafer. Il nostro team di esperti fornisce supporto tecnico e servizio post-vendita per garantire il vostro successo.
SPECIFICHE DEL WAFER
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformazione(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bordo del wafer | Smussatura |
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura superficiale | Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP | ||||
Rugosità superficiale | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm | |||
Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Rientri | Nessuno consentito | ||||
Graffi (Si-Face) | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | ||
Crepe | Nessuno consentito | ||||
Esclusione dei bordi | 3 mm |