GaN su wafer di silicio per RF

Breve descrizione:

Il GaN su wafer di silicio per RF, fornito da VET Energy, è progettato per supportare applicazioni a radiofrequenza (RF) ad alta frequenza. Questi wafer combinano i vantaggi del nitruro di gallio (GaN) e del silicio (Si) per offrire un'eccellente conduttività termica ed efficienza ad alta potenza, rendendoli ideali per i componenti RF utilizzati nei sistemi di telecomunicazioni, radar e satellitari. VET Energy garantisce che ciascun wafer soddisfi i più elevati standard prestazionali richiesti per la fabbricazione avanzata di semiconduttori.


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VET Energy GaN su Silicon Wafer è una soluzione di semiconduttori all'avanguardia progettata specificamente per applicazioni a radiofrequenza (RF). Facendo crescere epitassialmente nitruro di gallio (GaN) di alta qualità su un substrato di silicio, VET Energy offre una piattaforma conveniente e ad alte prestazioni per un'ampia gamma di dispositivi RF.

Questo wafer GaN su silicio è compatibile con altri materiali come Si Wafer, substrato SiC, wafer SOI e substrato SiN, ampliando la sua versatilità per vari processi di fabbricazione. Inoltre, è ottimizzato per l'uso con Epi Wafer e materiali avanzati come ossido di gallio Ga2O3 e AlN Wafer, che ne migliorano ulteriormente le applicazioni nell'elettronica ad alta potenza. I wafer sono progettati per una perfetta integrazione nei sistemi di produzione utilizzando la gestione delle cassette standard per facilità d'uso e maggiore efficienza produttiva.

VET Energy offre un portafoglio completo di substrati semiconduttori, tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. La nostra diversificata linea di prodotti soddisfa le esigenze di varie applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza alla RF e all'optoelettronica.

GaN su wafer di silicio offre numerosi vantaggi per le applicazioni RF:

       • Prestazioni ad alta frequenza:L'ampio gap di banda e l'elevata mobilità degli elettroni del GaN consentono il funzionamento ad alta frequenza, rendendolo ideale per il 5G e altri sistemi di comunicazione ad alta velocità.
     • Elevata densità di potenza:I dispositivi GaN possono gestire densità di potenza più elevate rispetto ai tradizionali dispositivi basati su silicio, portando a sistemi RF più compatti ed efficienti.
       • Basso consumo energetico:I dispositivi GaN presentano un consumo energetico inferiore, con conseguente migliore efficienza energetica e ridotta dissipazione del calore.

Applicazioni:

       • Comunicazione wireless 5G:I wafer GaN su silicio sono essenziali per costruire stazioni base 5G e dispositivi mobili ad alte prestazioni.
     • Sistemi radar:Gli amplificatori RF basati su GaN vengono utilizzati nei sistemi radar per la loro elevata efficienza e l'ampia larghezza di banda.
   • Comunicazione satellitare:I dispositivi GaN consentono sistemi di comunicazione satellitare ad alta potenza e alta frequenza.
     • Elettronica militare:I componenti RF basati su GaN vengono utilizzati in applicazioni militari come la guerra elettronica e i sistemi radar.

VET Energy offre GaN su wafer di silicio personalizzabili per soddisfare i vostri requisiti specifici, inclusi diversi livelli di drogaggio, spessori e dimensioni dei wafer. Il nostro team di esperti fornisce supporto tecnico e servizio post-vendita per garantire il vostro successo.

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SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Crepe

Nessuno consentito

Esclusione dei bordi

3 mm

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