Cassetta per wafer in carburo di silicio di lunga durata con rivestimento in SiC

Breve descrizione:

La cassetta wafer in carburo di silicio VET Energy con rivestimento SiC è un prodotto ad alte prestazioni progettato per fornire prestazioni costanti e affidabili per un periodo prolungato. Ha un'ottima resistenza al calore e uniformità termica, elevata purezza e resistenza all'erosione, che lo rendono la soluzione perfetta per le applicazioni di lavorazione dei wafer.


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Proprietà del carburo di silicio ricristallizzato

Il carburo di silicio ricristallizzato (R-SiC) è un materiale ad alte prestazioni con una durezza seconda solo al diamante, che si forma ad alta temperatura superiore a 2000 ℃. Conserva molte eccellenti proprietà del SiC, come resistenza alle alte temperature, forte resistenza alla corrosione, eccellente resistenza all'ossidazione, buona resistenza agli shock termici e così via.

● Eccellenti proprietà meccaniche. Il carburo di silicio ricristallizzato ha una maggiore resistenza e rigidità rispetto alla fibra di carbonio, un'elevata resistenza agli urti, può offrire buone prestazioni in ambienti a temperature estreme e può fornire migliori prestazioni di controbilanciamento in una varietà di situazioni. Inoltre, ha anche una buona flessibilità e non si danneggia facilmente con allungamenti e piegature, il che migliora notevolmente le sue prestazioni.

● Elevata resistenza alla corrosione. Il carburo di silicio ricristallizzato ha un'elevata resistenza alla corrosione su una varietà di mezzi, può prevenire l'erosione di una varietà di mezzi corrosivi, può mantenere le sue proprietà meccaniche per lungo tempo, ha una forte adesione, quindi ha una maggiore durata. Inoltre, ha anche una buona stabilità termica, può adattarsi a un certo intervallo di variazioni di temperatura e migliorare il suo effetto applicativo.

● La sinterizzazione non si ritira. Poiché il processo di sinterizzazione non si restringe, nessuno stress residuo causerà deformazioni o screpolature del prodotto e sarà possibile preparare parti con forme complesse e alta precisione.

重结晶碳化硅物理特性

Proprietà fisiche del carburo di silicio ricristallizzato

性质 / Proprietà

典型数值 /Valore tipico

使用温度/ Temperatura di lavoro (°C)

1600°C (con ossigeno), 1700°C (ambiente riducente)

SiC含量/ Contenuto di SiC

> 99,96%

自由Si含量/ Contenuto Si gratuito

<0,1%

体积密度/Densità apparente

2,60-2,70 g/cm3

气孔率/ Porosità apparente

< 16%

抗压强度/ Resistenza alla compressione

>600MPa

常温抗弯强度/Resistenza alla flessione a freddo

80-90MPa (20°C)

高温抗弯强度Resistenza alla flessione a caldo

90-100MPa (1400°C)

热膨胀系数/ Dilatazione termica @1500°C

4,7010-6/°C

导热系数/Conduttività termica @1200°C

23W/m•K

杨氏模量/ Modulo elastico

240 GPa

抗热震性/ Resistenza agli shock termici

Estremamente buono

VET L'energia è ILvero produttore di prodotti personalizzati in grafite e carburo di silicio con rivestimento CVD,può fornirevariparti personalizzate per l'industria dei semiconduttori e fotovoltaica. OIl nostro team tecnico proviene dai migliori istituti di ricerca nazionali e può fornire soluzioni materiali più professionaliper te.

Sviluppiamo continuamente processi avanzati per fornire materiali più avanzati,Ehanno messo a punto un'esclusiva tecnologia brevettata, in grado di rendere il legame tra il rivestimento e il substrato più stretto e meno soggetto a distaccamenti.

CVD SiC薄膜基本物理性能

Proprietà fisiche di base del SiC CVDrivestimento

性质 / Proprietà

典型数值 /Valore tipico

晶体结构 / Struttura in cristallo

Fase β dell'FCC多晶,主要为(111)取向

密度 / Densità

3,21 g/cm³

硬度 / Durezza

2500 tonnellate di carico (carico di 500 g)

晶粒大小 / Granulometria

2~10μm

纯度 / Purezza chimica

99,99995%

热容 / Capacità termica

640 J·kg-1·K-1

升华温度 /Temperatura di sublimazione

2700 ℃

抗弯强度 / Resistenza alla flessione

415 MPa RT a 4 punti

杨氏模量 / Modulo di Young

Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃

导热系数 /TermelConduttività

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Dilatazione termica (CTE)

4,5×10-6K-1

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