Il wafer di silicio da 12 pollici per la fabbricazione di semiconduttori offerto da VET Energy è progettato per soddisfare gli standard precisi richiesti nell'industria dei semiconduttori. Essendo uno dei prodotti di punta della nostra gamma, VET Energy garantisce che questi wafer siano prodotti con precisione di planarità, purezza e qualità della superficie, rendendoli ideali per applicazioni di semiconduttori all'avanguardia, inclusi microchip, sensori e dispositivi elettronici avanzati.
Questo wafer è compatibile con un'ampia gamma di materiali come Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate ed Epi Wafer, fornendo un'eccellente versatilità per vari processi di fabbricazione. Inoltre, si abbina bene a tecnologie avanzate come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer AlN, garantendo che possa essere integrato in applicazioni altamente specializzate. Per un funzionamento regolare, il wafer è ottimizzato per l'uso con sistemi a cassetta standard del settore, garantendo una gestione efficiente nella produzione di semiconduttori.
La linea di prodotti di VET Energy non si limita ai wafer di silicio. Forniamo inoltre un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, wafer Epi, ecc., nonché nuovi materiali semiconduttori con ampio gap di banda come ossido di gallio Ga2O3 e wafer AlN. Questi prodotti possono soddisfare le esigenze applicative di diversi clienti nei settori dell'elettronica di potenza, della radiofrequenza, dei sensori e di altri settori.
Aree di applicazione:
•Chip logici:Produzione di chip logici ad alte prestazioni come CPU e GPU.
•Chip di memoria:Produzione di chip di memoria come DRAM e NAND Flash.
•Chip analogici:Produzione di chip analogici come ADC e DAC.
•Sensori:Sensori MEMS, sensori di immagine, ecc.
VET Energy fornisce ai clienti soluzioni wafer personalizzate e può personalizzare wafer con diversa resistività, diverso contenuto di ossigeno, diverso spessore e altre specifiche in base alle esigenze specifiche dei clienti. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a ottimizzare i processi di produzione e migliorare la resa del prodotto.
SPECIFICHE DEL WAFER
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformazione(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bordo del wafer | Smussatura |
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura superficiale | Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP | ||||
Rugosità superficiale | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm | |||
Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Rientri | Nessuno consentito | ||||
Graffi (Si-Face) | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | ||
Crepe | Nessuno consentito | ||||
Esclusione dei bordi | 3 mm |