Wafer SiC semiisolante da 6 pollici

Breve descrizione:

Il wafer semi-isolante in carburo di silicio (SiC) da 6 pollici VET Energy è un substrato di alta qualità ideale per un'ampia gamma di applicazioni di elettronica di potenza. VET Energy utilizza tecniche di crescita avanzate per produrre wafer SiC con eccezionale qualità dei cristalli, bassa densità di difetti ed elevata resistività.


Dettagli del prodotto

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Il wafer SiC semiisolante da 6 pollici di VET Energy è una soluzione avanzata per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza, che offre conduttività termica e isolamento elettrico superiori. Questi wafer semiisolanti sono essenziali nello sviluppo di dispositivi come amplificatori RF, interruttori di alimentazione e altri componenti ad alta tensione. VET Energy garantisce qualità e prestazioni costanti, rendendo questi wafer ideali per un'ampia gamma di processi di fabbricazione di semiconduttori.

Oltre alle loro eccezionali proprietà isolanti, questi wafer SiC sono compatibili con una varietà di materiali tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate ed Epi Wafer, rendendoli versatili per diversi tipi di processi di produzione. Inoltre, materiali avanzati come l'ossido di gallio Ga2O3 e il wafer AlN possono essere utilizzati in combinazione con questi wafer SiC, fornendo una flessibilità ancora maggiore nei dispositivi elettronici ad alta potenza. I wafer sono progettati per una perfetta integrazione con i sistemi di gestione standard del settore come i sistemi a cassetta, garantendo facilità d'uso in contesti di produzione di massa.

VET Energy offre un portafoglio completo di substrati semiconduttori, tra cui Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 e AlN Wafer. La nostra diversificata linea di prodotti soddisfa le esigenze di varie applicazioni elettroniche, dall'elettronica di potenza alla RF e all'optoelettronica.

Il wafer SiC semiisolante da 6 pollici offre numerosi vantaggi:
Elevata tensione di rottura: l'ampio gap di banda del SiC consente tensioni di rottura più elevate, consentendo dispositivi di potenza più compatti ed efficienti.
Funzionamento ad alta temperatura: l'eccellente conduttività termica del SiC consente il funzionamento a temperature più elevate, migliorando l'affidabilità del dispositivo.
Bassa resistenza in conduzione: i dispositivi SiC presentano una resistenza in conduzione inferiore, riducendo le perdite di potenza e migliorando l'efficienza energetica.

VET Energy offre wafer SiC personalizzabili per soddisfare le vostre esigenze specifiche, inclusi diversi spessori, livelli di drogaggio e finiture superficiali. Il nostro team di esperti fornisce supporto tecnico e servizio post-vendita per garantire il vostro successo.

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SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Crepe

Nessuno consentito

Esclusione dei bordi

3 mm

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