Wafer SiC di tipo N da 6 pollici

Breve descrizione:

Il wafer SiC di tipo N da 6 pollici di VET Energy è un substrato ad alte prestazioni progettato per applicazioni avanzate di semiconduttori, che offre conduttività termica ed efficienza energetica superiori. VET Energy utilizza una tecnologia all'avanguardia per produrre wafer di alta qualità che soddisfano le rigorose esigenze dell'elettronica moderna, garantendo affidabilità e durata nei dispositivi di potenza.

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Dettagli del prodotto

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Questo wafer SiC di tipo N da 6 pollici è progettato per prestazioni migliorate in condizioni estreme, rendendolo la scelta ideale per applicazioni che richiedono elevata potenza e resistenza alla temperatura. I prodotti chiave associati a questo wafer includono Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer e SiN Substrate. Questi materiali garantiscono prestazioni ottimali in una varietà di processi di produzione di semiconduttori, consentendo dispositivi efficienti dal punto di vista energetico e durevoli.

Per le aziende che lavorano con epi wafer, ossido di gallio Ga2O3, cassette o wafer AlN, il wafer SiC di tipo N da 6 pollici di VET Energy fornisce la base necessaria per lo sviluppo di prodotti innovativi. Che si tratti di elettronica ad alta potenza o della più recente tecnologia RF, questi wafer garantiscono un'eccellente conduttività e una resistenza termica minima, spingendo i limiti dell'efficienza e delle prestazioni.

SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo	8 pollici	6 pollici			4 pollici
Articolo	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
TTV(GBIR)	≤6um	≤6um
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto	≤15μm	≤15μm	≤25μm		≤15μm
Deformazione(GF3YFER)	≤25μm	≤25μm	≤40μm		≤25μm
LTV(SBIR)-10mmx10mm	<2μm
Bordo del wafer	Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo	8 pollici	6 pollici			4 pollici
	nP	n-pm	n-Ps	SI	SI
Finitura superficiale	Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP
Rugosità superficiale	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm Faccia C Ra ≤ 0,5 nm
Chip di bordo	Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)
Rientri	Nessuno consentito
Graffi (Si-Face)	Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer	Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer			Qtà.≤5,cumulativo Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer
Crepe	Nessuno consentito
Esclusione dei bordi	3 mm