Wafer di silicio da 8 pollici ad alta purezza

Breve descrizione:

I wafer di silicio da 8 pollici ad elevata purezza di VET Energy sono la scelta ideale per la produzione di semiconduttori. Realizzati utilizzando una tecnologia avanzata, questi wafer hanno un'eccellente qualità dei cristalli e planarità superficiale, che li rendono adatti alla produzione di una varietà di dispositivi microelettronici.


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I wafer di silicio da 8 pollici di VET Energy sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza, nei sensori, nei circuiti integrati e in altri campi. In qualità di leader nel settore dei semiconduttori, ci impegniamo a fornire prodotti Si Wafer di alta qualità per soddisfare le crescenti esigenze dei nostri clienti.

Oltre a Si Wafer, VET Energy fornisce anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, epi wafer, ecc. La nostra linea di prodotti copre anche nuovi materiali semiconduttori con ampio gap di banda come ossido di gallio Ga2O3 e AlN Wafer, fornendo un forte supporto per lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza di prossima generazione.

VET Energy dispone di apparecchiature di produzione avanzate e di un sistema completo di gestione della qualità per garantire che ogni wafer soddisfi rigorosi standard di settore. I nostri prodotti non solo hanno eccellenti proprietà elettriche, ma hanno anche una buona resistenza meccanica e stabilità termica.

VET Energy fornisce ai clienti soluzioni wafer personalizzate, inclusi wafer di diverse dimensioni, tipi e concentrazioni di drogaggio. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a risolvere i vari problemi incontrati durante il processo di produzione.

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SPECIFICHE DEL WAFER

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV(GBIR)

≤6um

≤6um

Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione(GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2μm

Bordo del wafer

Smussatura

FINITURA SUPERFICIALE

*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante

Articolo

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Finitura superficiale

Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP

Rugosità superficiale

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm
Faccia C Ra ≤ 0,5 nm

Chip di bordo

Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm)

Rientri

Nessuno consentito

Graffi (Si-Face)

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Qtà.≤5,cumulativo
Lunghezza ≤ 0,5×diametro del wafer

Crepe

Nessuno consentito

Esclusione dei bordi

3 mm

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