I wafer di silicio da 8 pollici di VET Energy sono ampiamente utilizzati nell'elettronica di potenza, nei sensori, nei circuiti integrati e in altri campi. In qualità di leader nel settore dei semiconduttori, ci impegniamo a fornire prodotti Si Wafer di alta qualità per soddisfare le crescenti esigenze dei nostri clienti.
Oltre a Si Wafer, VET Energy fornisce anche un'ampia gamma di materiali per substrati semiconduttori, tra cui substrato SiC, wafer SOI, substrato SiN, epi wafer, ecc. La nostra linea di prodotti copre anche nuovi materiali semiconduttori con ampio gap di banda come ossido di gallio Ga2O3 e AlN Wafer, fornendo un forte supporto per lo sviluppo di dispositivi elettronici di potenza di prossima generazione.
VET Energy dispone di apparecchiature di produzione avanzate e di un sistema completo di gestione della qualità per garantire che ogni wafer soddisfi rigorosi standard di settore. I nostri prodotti non solo hanno eccellenti proprietà elettriche, ma hanno anche una buona resistenza meccanica e stabilità termica.
VET Energy fornisce ai clienti soluzioni wafer personalizzate, inclusi wafer di diverse dimensioni, tipi e concentrazioni di drogaggio. Inoltre, forniamo anche supporto tecnico professionale e servizio post-vendita per aiutare i clienti a risolvere i vari problemi incontrati durante il processo di produzione.
SPECIFICHE DEL WAFER
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Arco(GF3YFCD)-Valore assoluto | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Deformazione(GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Bordo del wafer | Smussatura |
FINITURA SUPERFICIALE
*n-Pm=tipo n Grado Pm, n-Ps=tipo n Grado Ps, Sl=Semi-isolante
Articolo | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Finitura superficiale | Lucidatura ottica su doppio lato, Si-Face CMP | ||||
Rugosità superficiale | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-faccia Ra≤0,2 nm | |||
Chip di bordo | Nessuno consentito (lunghezza e larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
Rientri | Nessuno consentito | ||||
Graffi (Si-Face) | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | Qtà.≤5,cumulativo | ||
Crepe | Nessuno consentito | ||||
Esclusione dei bordi | 3 mm |