4 hüvelykes GaAs ostya

A VET Energy 4 hüvelykes GaAs Wafere nélkülözhetetlen anyag a nagy sebességű és optoelektronikai eszközökhöz, beleértve az RF erősítőket, LED-eket és napelemeket. Ezek a lapkák nagy elektronmobilitásukról és magasabb frekvenciájú működési képességükről ismertek, így kulcsfontosságú elemei a fejlett félvezető alkalmazásoknak. A VET Energy kiváló minőségű, egyenletes vastagságú és minimális hibákkal rendelkező GaAs lapkákat biztosít, amelyek számos igényes gyártási folyamathoz alkalmasak.

Ezek a 4 hüvelykes GaAs lapkák kompatibilisek különféle félvezető anyagokkal, mint például a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer és SiN Substrate, így sokoldalúan integrálhatók különböző eszközarchitektúrákba. Akár Epi Wafer gyártásához használják, akár olyan élvonalbeli anyagok mellett, mint a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN Wafer, megbízható alapot kínálnak a következő generációs elektronikához. Ezenkívül az ostyák teljes mértékben kompatibilisek a kazettás kezelőrendszerekkel, biztosítva a zavartalan működést mind a kutatási, mind a nagy volumenű gyártási környezetben.

A VET Energy félvezető hordozók átfogó portfólióját kínálja, beleértve a Si Wafert, a SiC Substratet, a SOI Wafert, a SiN Substratet, az Epi Wafert, a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafert. Változatos termékcsaládunk megfelel a különféle elektronikai alkalmazások igényeinek, a teljesítményelektronikától az RF-ig és az optoelektronikáig.

A VET Energy testreszabható GaAs lapkákat kínál, hogy megfeleljenek az Ön speciális követelményeinek, beleértve a különböző adalékolási szinteket, orientációkat és felületkezeléseket. Szakértői csapatunk technikai támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást nyújt az Ön sikerének biztosítása érdekében.