6 hüvelykes, félig szigetelő SiC lapka

Rövid leírás:

A VET Energy 6 hüvelykes félszigetelő szilícium-karbid (SiC) lapka kiváló minőségű hordozó, amely ideális a teljesítményelektronikai alkalmazások széles skálájához. A VET Energy fejlett növekedési technikákat alkalmaz kivételes kristályminőségű, alacsony hibasűrűségű és nagy ellenállású SiC lapkák előállítására.


Termék részletek

Termékcímkék

A VET Energy 6 hüvelykes, félig szigetelő SiC Wafer egy fejlett megoldás a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, kiváló hővezető képességgel és elektromos szigeteléssel. Ezek a félig szigetelő lapkák elengedhetetlenek olyan eszközök fejlesztéséhez, mint az RF erősítők, tápkapcsolók és más nagyfeszültségű alkatrészek. A VET Energy egyenletes minőséget és teljesítményt biztosít, így ezek a lapkák ideálisak a félvezetőgyártási folyamatok széles skálájához.

Kiemelkedő szigetelő tulajdonságaik mellett ezek a SiC lapkák különféle anyagokkal kompatibilisek, beleértve a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate és Epi Wafer anyagokat, így sokoldalúak a különböző típusú gyártási folyamatokhoz. Ezen túlmenően a fejlett anyagok, mint a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN Wafer kombinálhatók ezekkel a SiC lapkákkal, ami még nagyobb rugalmasságot biztosít a nagy teljesítményű elektronikus eszközökben. Az ostyákat úgy tervezték, hogy zökkenőmentesen integrálhatók legyenek az ipari szabványos kezelési rendszerekkel, például a kazettás rendszerekkel, így biztosítva a könnyű használatot a tömeggyártásban.

A VET Energy félvezető hordozók átfogó portfólióját kínálja, beleértve a Si Wafert, a SiC Substratet, a SOI Wafert, a SiN Substratet, az Epi Wafert, a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafert. Változatos termékcsaládunk megfelel a különféle elektronikai alkalmazások igényeinek, a teljesítményelektronikától az RF-ig és az optoelektronikáig.

A 6 hüvelykes félszigetelő SiC lapka számos előnnyel rendelkezik:
Magas áttörési feszültség: A SiC széles sávszélessége nagyobb áttörési feszültséget tesz lehetővé, így kompaktabb és hatékonyabb tápegységeket tesz lehetővé.
Magas hőmérsékletű működés: A SiC kiváló hővezető képessége lehetővé teszi a magasabb hőmérsékleten való működést, javítva a készülék megbízhatóságát.
Alacsony bekapcsolási ellenállás: A SiC eszközök alacsonyabb bekapcsolási ellenállást mutatnak, csökkentve az energiaveszteséget és javítva az energiahatékonyságot.

A VET Energy testreszabható SiC lapkákat kínál, hogy megfeleljenek az Ön speciális igényeinek, beleértve a különböző vastagságokat, adalékolási szintet és felületi minőséget. Szakértői csapatunk technikai támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást nyújt az Ön sikerének biztosítása érdekében.

第6页-36
第6页-35

WAVERING ELŐÍRÁSAI

*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő

Tétel

8 hüvelykes

6 hüvelykes

4 hüvelykes

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6 um

≤6 um

Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték

≤15μm

≤15μm

≤25 μm

≤15μm

Warp (GF3YFER)

≤25 μm

≤25 μm

≤40 μm

≤25 μm

LTV (SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Wafer Edge

Ferde vágás

FELÜLETKEZELÉS

*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő

Tétel

8 hüvelykes

6 hüvelykes

4 hüvelykes

nP

n-pm

n-Ps

SI

SI

Felületi kidolgozás

Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP

Felületi érdesség

(10 x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm
C-Face Ra≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm
C-Face Ra≤0,5nm

Edge Chips

Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm)

Behúzások

Egyik sem Engedélyezett

Karcolások (Si-Face)

Menny.≤5, kumulatív
Hossz ≤0,5× ostyaátmérő

Menny.≤5, kumulatív
Hossz ≤0,5× ostyaátmérő

Menny.≤5, kumulatív
Hossz ≤0,5× ostyaátmérő

Repedések

Egyik sem Engedélyezett

Élek kizárása

3 mm

tech_1_2_size
下载 (2)

  • Előző:
  • Következő:

  • WhatsApp online csevegés!