A VET Energy 6 hüvelykes, félig szigetelő SiC Wafer egy fejlett megoldás a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, kiváló hővezető képességgel és elektromos szigeteléssel. Ezek a félig szigetelő lapkák elengedhetetlenek olyan eszközök fejlesztéséhez, mint az RF erősítők, tápkapcsolók és más nagyfeszültségű alkatrészek. A VET Energy egyenletes minőséget és teljesítményt biztosít, így ezek a lapkák ideálisak a félvezetőgyártási folyamatok széles skálájához.
Kiemelkedő szigetelő tulajdonságaik mellett ezek a SiC lapkák különféle anyagokkal kompatibilisek, beleértve a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate és Epi Wafer anyagokat, így sokoldalúak a különböző típusú gyártási folyamatokhoz. Ezen túlmenően a fejlett anyagok, mint a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN Wafer kombinálhatók ezekkel a SiC lapkákkal, ami még nagyobb rugalmasságot biztosít a nagy teljesítményű elektronikus eszközökben. Az ostyákat úgy tervezték, hogy zökkenőmentesen integrálhatók legyenek az ipari szabványos kezelési rendszerekkel, például a kazettás rendszerekkel, így biztosítva a könnyű használatot a tömeggyártásban.
A VET Energy félvezető hordozók átfogó portfólióját kínálja, beleértve a Si Wafert, a SiC Substratet, a SOI Wafert, a SiN Substratet, az Epi Wafert, a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafert. Változatos termékcsaládunk megfelel a különféle elektronikai alkalmazások igényeinek, a teljesítményelektronikától az RF-ig és az optoelektronikáig.
A 6 hüvelykes félszigetelő SiC lapka számos előnnyel rendelkezik:
Magas áttörési feszültség: A SiC széles sávszélessége nagyobb áttörési feszültséget tesz lehetővé, így kompaktabb és hatékonyabb tápegységeket tesz lehetővé.
Magas hőmérsékletű működés: A SiC kiváló hővezető képessége lehetővé teszi a magasabb hőmérsékleten való működést, javítva a készülék megbízhatóságát.
Alacsony bekapcsolási ellenállás: A SiC eszközök alacsonyabb bekapcsolási ellenállást mutatnak, csökkentve az energiaveszteséget és javítva az energiahatékonyságot.
A VET Energy testreszabható SiC lapkákat kínál, hogy megfeleljenek az Ön speciális igényeinek, beleértve a különböző vastagságokat, adalékolási szintet és felületi minőséget. Szakértői csapatunk technikai támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást nyújt az Ön sikerének biztosítása érdekében.
WAVERING ELŐÍRÁSAI
*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Ferde vágás |
FELÜLETKEZELÉS
*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Felületi kidolgozás | Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP | ||||
Felületi érdesség | (10 x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm) | ||||
Behúzások | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Karcolások (Si-Face) | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | ||
Repedések | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Élek kizárása | 3 mm |