A VET Energy 8 hüvelykes P típusú szilícium szeletje egy nagy teljesítményű szilícium lapka, amelyet félvezető alkalmazások széles körére terveztek, beleértve a napelemeket, MEMS eszközöket és integrált áramköröket. Kiváló elektromos vezetőképességéről és egyenletes teljesítményéről ismert, ez az ostya a preferált választás azoknak a gyártóknak, akik megbízható és hatékony elektronikai alkatrészeket szeretnének gyártani. A VET Energy pontos adalékolási szintet és kiváló minőségű felületkezelést biztosít az optimális eszközgyártás érdekében.
Ezek a 8 hüvelykes P típusú szilíciumlapkák teljes mértékben kompatibilisek különféle anyagokkal, mint például a SiC szubsztrátum, a SOI szelet, a SiN szubsztrát, és alkalmasak az Epi Wafer növekedésére, biztosítva a sokoldalúságot a fejlett félvezető gyártási folyamatokhoz. Az ostyák más csúcstechnológiás anyagokkal együtt is használhatók, mint például a gallium-oxid Ga2O3 és az AlN Wafer, így ideálisak a következő generációs elektronikus alkalmazásokhoz. Robusztus kialakításuk a kazettás rendszerekbe is zökkenőmentesen illeszkedik, így hatékony és nagy volumenű gyártáskezelést tesz lehetővé.
A VET Energy személyre szabott ostyamegoldásokat kínál ügyfeleinek. Különböző ellenállású, oxigéntartalmú, vastagságú ostyákat az ügyfelek egyedi igényei szerint alakíthatunk ki. Ezenkívül professzionális műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást is biztosítunk, hogy segítsünk ügyfeleinknek a gyártási folyamat során felmerülő különféle problémák megoldásában.
WAVERING ELŐÍRÁSAI
*n-Pm=n-típusú Pm-minőség, n-Ps=n-típusú Ps-minőség, Sl=félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték | ≤15 μm | ≤15 μm | ≤25 μm | ≤15 μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Ferde vágás |
FELÜLETKEZELÉS
*n-Pm=n-típusú Pm-minőség, n-Ps=n-típusú Ps-minőség, Sl=félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Felületi kikészítés | Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP | ||||
Felületi érdesség | (10 x 10 um) Si-FaceRa≤ 0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm) | ||||
Behúzások | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Karcolások (Si-Face) | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | ||
Repedések | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Élek kizárása | 3 mm |