A VET Energy által kínált 12 hüvelykes szilíciumlapka félvezetőgyártáshoz úgy lett megtervezve, hogy megfeleljen a félvezetőiparban megkövetelt precíz szabványoknak. Termékpalettánk egyik vezető termékeként a VET Energy biztosítja, hogy ezeket az ostyákat igényes síksággal, tisztasággal és felületi minőséggel állítsák elő, így ideálisak a legmodernebb félvezető alkalmazásokhoz, beleértve a mikrochipeket, érzékelőket és fejlett elektronikus eszközöket.
Ez az ostya sokféle anyaggal kompatibilis, mint például a Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate és Epi Wafer, kiváló sokoldalúságot biztosítva a különböző gyártási folyamatokhoz. Ezenkívül jól párosítható olyan fejlett technológiákkal, mint a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafer, így biztosítva, hogy integrálható legyen a rendkívül speciális alkalmazásokba. A zökkenőmentes működés érdekében az ostyát az ipari szabványos kazettás rendszerekhez optimalizálták, így biztosítva a hatékony kezelést a félvezetőgyártásban.
A VET Energy termékcsaládja nem korlátozódik a szilícium lapkákra. Félvezető hordozóanyagok széles skáláját kínáljuk, beleértve a SiC szubsztrátumot, SOI Wafert, SiN szubsztrátot, Epi Wafert stb., valamint új, széles sávú félvezető anyagokat, mint például a Gallium Oxide Ga2O3 és az AlN Wafer. Ezek a termékek megfelelnek a különböző ügyfelek alkalmazási igényeinek teljesítményelektronika, rádiófrekvenciás, érzékelők és egyéb területeken.
Alkalmazási területek:
•Logikai chipek:Nagy teljesítményű logikai chipek, például CPU és GPU gyártása.
•Memória chipek:Memóriachipek, például DRAM és NAND Flash gyártása.
•Analóg chipek:Analóg chipek, például ADC és DAC gyártása.
•Érzékelők:MEMS érzékelők, képérzékelők stb.
A VET Energy személyre szabott ostyamegoldásokat kínál ügyfelei számára, és az ügyfelek egyedi igényei szerint testre szabhatja a különböző ellenállású, eltérő oxigéntartalmú, eltérő vastagságú és egyéb specifikációjú ostyákat. Emellett professzionális műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást is nyújtunk, hogy segítsünk ügyfeleinknek optimalizálni a gyártási folyamatokat és javítani a termékhozamot.
WAVERING ELŐÍRÁSAI
*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
TTV (GBIR) | ≤6 um | ≤6 um | |||
Íj(GF3YFCD) – Abszolút érték | ≤15μm | ≤15μm | ≤25 μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25 μm | ≤25 μm | ≤40 μm | ≤25 μm | |
LTV (SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
Wafer Edge | Ferde vágás |
FELÜLETKEZELÉS
*n-Pm = n-típusú Pm-minőség, n-Ps = n-típusú Ps-minőség, Sl = félszigetelő
Tétel | 8 hüvelykes | 6 hüvelykes | 4 hüvelykes | ||
nP | n-pm | n-Ps | SI | SI | |
Felületi kidolgozás | Kétoldalas optikai polírozás, Si-Fece CMP | ||||
Felületi érdesség | (10 x 10 um) Si-FaceRa≤0,2 nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0,2nm | |||
Edge Chips | Egyik sem megengedett (hossz és szélesség ≥0,5 mm) | ||||
Behúzások | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Karcolások (Si-Face) | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | Menny.≤5, kumulatív | ||
Repedések | Egyik sem Engedélyezett | ||||
Élek kizárása | 3 mm |