Oblea SiC tipo N de 6 polgadas

Imaxe destacada de 6 polgadas tipo N SiC

Breve descrición:

A oblea de SiC tipo N de 6 polgadas de VET Energy é un substrato de alto rendemento deseñado para aplicacións avanzadas de semicondutores, que ofrece unha condutividade térmica e unha eficiencia energética superiores. VET Energy utiliza tecnoloxía de punta para producir obleas de alta calidade que cumpran as esixencias rigorosas da electrónica moderna, garantindo fiabilidade e durabilidade nos dispositivos de enerxía.

Envíanos un correo electrónico Descarga como PDF

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Esta oblea de SiC tipo N de 6 polgadas está deseñada para mellorar o rendemento en condicións extremas, polo que é unha opción ideal para aplicacións que requiren alta potencia e resistencia á temperatura. Os produtos clave asociados con esta oblea inclúen obleas de Si, o substrato de SiC, o de oblea SOI e o substrato de SiN. Estes materiais garanten un rendemento óptimo nunha variedade de procesos de fabricación de semicondutores, permitindo dispositivos que sexan eficientes enerxéticamente e duradeiros.

Para as empresas que traballan con Epi Wafer, Óxido de Galio Ga2O3, Cassette ou AlN Wafer, a oblea SiC tipo N de 6 polgadas de VET Energy proporciona a base necesaria para o desenvolvemento de produtos innovadores. Tanto se se trata de electrónica de alta potencia como da última tecnoloxía de RF, estas obleas garanten unha excelente condutividade e unha mínima resistencia térmica, superando os límites da eficiencia e do rendemento.

ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento	8 polgadas	6 polgadas			4 polgadas
Elemento	nP	n-p.m	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤ 6um	≤ 6um
Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto	≤ 15 μm	≤ 15 μm	≤ 25 μm		≤ 15 μm
Deformación (GF3YFER)	≤ 25 μm	≤ 25 μm	≤ 40 μm		≤ 25 μm
LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm	<2 μm
Borde de oblea	Biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento	8 polgadas	6 polgadas			4 polgadas
	nP	n-p.m	n-Ps	SI	SI
Acabado superficial	Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP
Rugosidade superficial	(10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm C-Face Ra ≤ 0,5 nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0,5 nm
Chips de borde	Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm)
sangrías	Ningún permitido
Arañazos (Si-face)	Cant.≤5,Acumulativo Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea	Cant.≤5,Acumulativo Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea			Cant.≤5,Acumulativo Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea
Gretas	Ningún permitido
Exclusión de borde	3 mm