Oblea de silicio de 12 polgadas para fabricación de semiconductores

Breve descrición:

As obleas de silicio de 12 polgadas de VET Energy son os principais materiais básicos da industria de fabricación de semicondutores. VET Energy utiliza tecnoloxía avanzada de crecemento CZ para garantir que as obleas teñan unha excelente calidade de cristal, baixa densidade de defectos e alta uniformidade, proporcionando un substrato sólido e fiable para os seus dispositivos semicondutores.


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

A oblea de silicio de 12 polgadas para a fabricación de semicondutores ofrecida por VET Energy está deseñada para cumprir os estándares precisos requiridos na industria de semicondutores. Como un dos produtos líderes da nosa liña, VET Energy garante que estas obleas se fabriquen cunha planitude, pureza e calidade de superficie precisas, polo que son idóneas para aplicacións de semicondutores de vangarda, incluíndo microchips, sensores e dispositivos electrónicos avanzados.

Esta oblea é compatible cunha ampla gama de materiais como Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate e Epi Wafer, proporcionando unha excelente versatilidade para varios procesos de fabricación. Ademais, combina ben con tecnoloxías avanzadas como Óxido de Galio Ga2O3 e AlN Wafer, o que garante que se poida integrar en aplicacións altamente especializadas. Para un funcionamento suave, a oblea está optimizada para o seu uso con sistemas de casetes estándar da industria, o que garante un manexo eficiente na fabricación de semicondutores.

A liña de produtos de VET Energy non se limita ás obleas de silicio. Tamén ofrecemos unha ampla gama de materiais de substrato semicondutor, incluíndo substrato SiC, oblea SOI, substrato SiN, oblea Epi, etc., así como novos materiais semicondutores de banda ampla como o óxido de galio Ga2O3 e oblea de AlN. Estes produtos poden satisfacer as necesidades de aplicación de diferentes clientes en electrónica de potencia, radiofrecuencia, sensores e outros campos.

Ámbitos de aplicación:
Chips lóxicos:Fabricación de chips lóxicos de alto rendemento como CPU e GPU.
Chips de memoria:Fabricación de chips de memoria como DRAM e NAND Flash.
Chips analóxicos:Fabricación de chips analóxicos como ADC e DAC.
Sensores:Sensores MEMS, sensores de imaxe, etc.

VET Energy ofrece aos clientes solucións de obleas personalizadas e pode personalizar obleas con diferente resistividade, diferente contido de osíxeno, diferente grosor e outras especificacións segundo as necesidades específicas dos clientes. Ademais, tamén ofrecemos soporte técnico profesional e servizo posvenda para axudar aos clientes a optimizar os procesos de produción e mellorar o rendemento do produto.

第6页-36
第6页-35

ESPECIFICACIÓNS DA OBLEA

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento

8 polgadas

6 polgadas

4 polgadas

nP

n-p.m

n-Ps

SI

SI

TTV (GBIR)

≤ 6um

≤ 6um

Bow (GF3YFCD) - Valor absoluto

≤ 15 μm

≤ 15 μm

≤ 25 μm

≤ 15 μm

Deformación (GF3YFER)

≤ 25 μm

≤ 25 μm

≤ 40 μm

≤ 25 μm

LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm

<2 μm

Borde de oblea

Biselado

ACABADO SUPERFICIAL

*n-Pm=n-tipo Pm-Grado, n-Ps=n-tipo Ps-Grado, Sl=Semi-isolante

Elemento

8 polgadas

6 polgadas

4 polgadas

nP

n-p.m

n-Ps

SI

SI

Acabado superficial

Esmalte óptico de doble cara, Si-face CMP

Rugosidade superficial

(10um x 10um) Si-FaceRa ≤0,2 nm
C-Face Ra ≤ 0,5 nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0,5 nm

Chips de borde

Ningún permitido (longo e ancho ≥0,5 mm)

sangrías

Ningún permitido

Arañazos (Si-face)

Cant.≤5,Acumulativo
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Cant.≤5,Acumulativo
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Cant.≤5,Acumulativo
Lonxitude ≤0,5 × diámetro da oblea

Gretas

Ningún permitido

Exclusión de borde

3 mm

tech_1_2_tamaño
下载 (2)

  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Chat en liña WhatsApp!