Revêtement SiC déposé sur un substrat en graphite pour semi-conducteurRevêtement en carbure de silicium,Suscepteur MOCVD,
Suscepteur MOCVD, Revêtement SiC déposé sur un substrat en graphite pour semi-conducteur, Revêtement en carbure de silicium,
Le revêtement SiC d'un substrat en graphite pour applications semi-conductrices permet d'obtenir une pièce d'une pureté supérieure et présentant une excellente résistance à l'atmosphère oxydante.
Le SiC déposé par CVD ou CVI est appliqué sur du graphite pour des pièces de conception simple ou complexe. Le revêtement peut être appliqué en différentes épaisseurs et sur des pièces de très grandes dimensions.

Caractéristiques:
• Excellente résistance aux chocs thermiques
• Excellente résistance aux chocs physiques
• Excellente résistance chimique
· Pureté extrêmement élevée
· Disponible sous forme complexe
Utilisable sous atmosphère oxydante
Propriétés typiques du graphite de base :
| Densité apparente : | 1,85 g/cm3 |
| Résistivité électrique : | 11 μΩm |
| Résistance à la flexion : | 49 MPa (500 kgf/cm2) |
| Dureté Shore : | 58 |
| Cendre: | <5 ppm |
| Conductivité thermique : | 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃) |




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Q1 : Quels sont vos prix ?
Nos prix sont susceptibles d'évoluer en fonction des stocks et d'autres facteurs de marché. Nous vous enverrons une liste de prix actualisée après que votre entreprise nous aura contactés pour obtenir de plus amples informations.
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