Suscepteur de barillet is a clécomposant utilisé dans divers procédés de fabrication de semi-conducteurs.Nous utilisons notre technologie brevetée pour fabriquersupport de barilletavecpureté extrêmement élevée,bienrevêtementuniformitéet une excellente durée de vie, ainsi quePropriétés de haute résistance chimique et de stabilité thermique.
VET Energy est leVéritable fabricant de produits personnalisés en graphite et carbure de silicium avec revêtement CVD,peut fournirdiversPièces sur mesure pour l'industrie des semi-conducteurs et du photovoltaïque. ONotre équipe technique, issue des meilleurs instituts de recherche nationaux, peut fournir des solutions matérielles plus professionnelles.pour toi.
Nous développons en permanence des procédés avancés pour fournir des matériaux plus performants.etont mis au point une technologie exclusive brevetée, qui permet de rendre la liaison entre le revêtement et le substrat plus étroite et moins sujette au détachement.
FCaractéristiques de nos produits :
1. Résistance à l'oxydation à haute température jusqu'à 1700℃.
2. Haute pureté etuniformité thermique
3. Excellente résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.
4. Dureté élevée, surface compacte, particules fines.
5. Durée de vie plus longue et plus durable
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Propriétés physiques fondamentales du SiC CVDrevêtement | |
| 性质 / Propriété | 典型数值 / Valeur typique |
| 晶体结构 / Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC)多晶,主要为(111) |
| 密度 / Densité | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Dureté | 2 500 维氏硬度 (charge de 500 g) |
| 晶粒大小 / Taille du grain | 2~10 μm |
| 纯度 / Pureté chimique | 99,99995% |
| 热容 / Capacité thermique | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Température de sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Résistance à la flexion | 415 MPa RT 4 points |
| 杨氏模量 Module de Young | 430 Gpa flexion 4 points, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermielConductivité | 300 W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Dilatation thermique (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Nous vous invitons chaleureusement à visiter notre usine, pourrons en discuter plus en détail !
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