« Sincérité, innovation, rigueur et efficacité » est la philosophie qui guide notre entreprise sur le long terme, afin de nous développer conjointement avec nos clients dans un esprit de réciprocité et de bénéfice mutuels, notamment pour le contrôle qualité des polycristallins industriels en Chine.Poudre de diamantPour les plaquettes de saphir de 3 à 6 µm, nous sommes convaincus de pouvoir offrir des produits et des solutions de haute qualité à un prix raisonnable, ainsi qu'un service après-vente exceptionnel. Nous ambitionnons de bâtir une relation fructueuse et durable avec nos clients.
« Sincérité, Innovation, Rigueur et Efficacité » est la conception qui guide notre entreprise sur le long terme, afin de se développer conjointement avec nos clients dans un esprit de réciprocité et de bénéfice mutuels.Diamant synthétique de Chine, Poudre de diamantNous privilégions toujours les principes de gestion suivants : « La qualité avant tout, la technologie comme fondement, l’honnêteté et l’innovation ». Nous sommes ainsi en mesure de développer en permanence de nouveaux produits de qualité supérieure afin de répondre aux différents besoins de nos clients.
Description du produit
Notre société propose des services de revêtement SiC par la méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules de SiC de haute pureté, molécules déposées sur la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice de SiC.
Caractéristiques principales :
1. Résistance à l'oxydation à haute température :
La résistance à l'oxydation reste très bonne même à des températures atteignant 1600 °C.
2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.
3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.
4. Résistance à la corrosion : acides, bases, sels et réactifs organiques.
Principales spécifications du revêtement CVD-SIC
| Propriétés du SiC-CVD | ||
| Structure cristalline | Phase β de la structure cubique à faces centrées (CFC) | |
| Densité | g/cm³ | 3.21 |
| Dureté | Dureté Vickers | 2500 |
| Taille des grains | μm | 2~10 |
| Pureté chimique | % | 99,99995 |
| Capacité thermique | J·kg⁻¹·K⁻¹ | 640 |
| Température de sublimation | ℃ | 2700 |
| Force flexurale | MPa (RT 4 points) | 415 |
| Module de Young | GPA (pliure à 4 points, 1300℃) | 430 |
| Dilatation thermique (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| conductivité thermique | (W/mK) | 300 |
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