Inspection de qualité pour la poudre de diamant polycristallin industriel de Chine 3-6um pour plaquette de saphir

Brève description :

Lieu d'origine :Chine

Structure cristalline :Phase FCCβ

Densité :3,21 g/cm ;

Dureté:2 500 Vickers ;

Granulométrie :2 ~ 10 μm ;

Pureté chimique :99,99995 % ;

Capacité thermique :640J·kg-1·K-1 ;

Température de sublimation :2700 ℃ ;

Force de flexion :415 MPa (RT 4 points) ;

Module de Young :430 Gpa (courbure 4 points, 1 300 ℃) ;

Dilatation Thermique (CTE) :4,5 10-6K-1 ;

Conductivité thermique :300（W/MK） ;

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Détail du produit

Mots clés du produit

« Sincérité, innovation, rigueur et efficacité » est la conception persistante de notre entreprise à long terme pour se développer avec les clients pour une réciprocité mutuelle et un bénéfice mutuel pour l'inspection de la qualité des polycristallins industriels de Chine.Poudre de diamant3-6um pour Sapphire Wafer, nous sommes convaincus que nous pouvons offrir des produits et des solutions de haute qualité à un prix raisonnable, ainsi qu'un support après-vente supérieur aux acheteurs. Et nous bâtirons un long terme dynamique.
« Sincérité, innovation, rigueur et efficacité » est la conception persistante de notre entreprise à long terme pour se développer avec les clients pour une réciprocité mutuelle et un bénéfice mutuel pourDiamant synthétique de Chine, Poudre de diamant, Nous insistons toujours sur le principe de gestion « La qualité est la première, la technologie est la base, l'honnêteté et l'innovation ». Nous sommes en mesure de développer continuellement de nouveaux produits à un niveau supérieur pour satisfaire les différents besoins des clients.
Description du produit

Notre société fournit des services de processus de revêtement SiC par méthode CVD sur la surface du graphite, de la céramique et d'autres matériaux, de sorte que des gaz spéciaux contenant du carbone et du silicium réagissent à haute température pour obtenir des molécules SiC de haute pureté, des molécules déposées à la surface des matériaux revêtus, formant une couche protectrice SIC.

Principales caractéristiques :

1. Résistance à l’oxydation à haute température :

la résistance à l'oxydation est encore très bonne lorsque la température atteint 1600 C.

2. Haute pureté : fabriqué par dépôt chimique en phase vapeur dans des conditions de chloration à haute température.

3. Résistance à l'érosion : dureté élevée, surface compacte, particules fines.

4. Résistance à la corrosion : acides, alcalis, sels et réactifs organiques.

Principales spécifications du revêtement CVD-SIC

Propriétés SiC-CVD
Structure cristalline	Phase β du FCC
Densité	g/cm³	3.21
Dureté	Dureté Vickers	2500
Taille des grains	µm	2~10
Pureté chimique	%	99.99995
Capacité thermique	J·kg-1 ·K-1	640
Température de sublimation	℃	2700
Force de flexion	MPa (RT 4 points)	415
Module de Young	Gpa (courbure 4pt, 1300℃)	430
Expansion thermique (CTE)	10-6K-1	4.5
Conductivité thermique	(W/mK)	300