Céramique poreuse en carbure de silicium (SiC)

Céramique poreuse en carbure de silicium (SiC)
Céramique SiC poreuseIl s'agit d'un matériau céramique haute performance à structure poreuse contrôlable, caractérisé par une pureté ultra-élevée, une résistance aux hautes températures et aux chocs thermiques, ainsi qu'une inertie chimique. Il est largement utilisé dans des domaines de pointe tels que la fabrication de semi-conducteurs, la production de plaquettes de silicium photovoltaïques et les procédés épitaxiaux de semi-conducteurs de troisième génération (SiC/GaN).

VET Energy utilise une poudre de SiC de haute pureté associée à une technologie de frittage avancée pour un contrôle précis de la taille des pores (0,05–100 µm), répondant ainsi aux exigences de diverses applications en filtration, diffusion, catalyse et gestion thermique. C'est un choix idéal pour les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque, permettant d'améliorer les rendements, de réduire la contamination et d'optimiser les procédés.

Nos principaux avantages
✅ Pureté ultra-élevée :
Impuretés métalliques < 0,5 ppm, conformes aux normes SEMI, empêchant la contamination des plaquettes ;
✅ Résistance aux hautes températures (utilisation continue à 1600 °C) :
convient aux environnements à haute température tels que le CVD, les fours de diffusion et la fusion du silicium ;
✅ Forte résistance aux chocs thermiques :
s'adapte aux variations rapides de température, réduisant ainsi les temps d'arrêt des équipements
✅ Inertie chimique (résistance aux acides, aux alcalis et aux métaux en fusion) :
résistant aux gaz corrosifs tels que HF et Cl₂, avec une durée de vie bien supérieure à celle des filtres métalliques ;
✅ Structure poreuse contrôlée (0,05-100 µm) :
prend en charge la filtration graduelle, améliorant ainsi l'efficacité du flux de fluide ;

Application typique
1. Fabrication de semi-conducteurs : filtration des gaz CVD/ALD, plaques de distribution du flux du four de diffusion, traitement des gaz d'échappement de gravure, etc.
2. Industrie photovoltaïque : filtration pour la fusion des matériaux en silicium, masques de revêtement pour cellules PERC, etc.
3. Semiconducteurs de troisième génération (SiC/GaN) : Prétraitement épitaxial de la plaquette.