Nouvelles

Types de graphite spécial
par administrateur le 24-06-17
Le graphite spécial est un matériau graphite de haute pureté, haute densité et haute résistance et présente une excellente résistance à la corrosion, une stabilité à haute température et une grande conductivité électrique. Il est fabriqué à partir de graphite naturel ou artificiel après traitement thermique à haute température et traitement à haute pression...
En savoir plus
Analyse des équipements de dépôt de couches minces – principes et applications des équipements PECVD/LPCVD/ALD
par administrateur le 24-06-12
Le dépôt de couches minces consiste à recouvrir une couche de film sur le matériau de substrat principal du semi-conducteur. Ce film peut être constitué de divers matériaux, tels que du dioxyde de silicium, un composé isolant, du polysilicium semi-conducteur, du cuivre métallique, etc. L'équipement utilisé pour le revêtement est appelé dépôt de couche mince...
En savoir plus
Matériaux importants qui déterminent la qualité de la croissance du silicium monocristallin – champ thermique
par administrateur le 24-06-12
Le processus de croissance du silicium monocristallin est entièrement réalisé dans le domaine thermique. Un bon champ thermique favorise l'amélioration de la qualité des cristaux et présente une efficacité de cristallisation plus élevée. La conception du champ thermique détermine en grande partie les changements dans les gradients de température...
En savoir plus
Quelles sont les difficultés techniques du four de croissance de cristaux de carbure de silicium ?
par administrateur le 24-06-07
Le four de croissance cristalline est l’équipement de base pour la croissance cristalline du carbure de silicium. Il est similaire au four de croissance cristallin traditionnel de qualité silicium cristallin. La structure du four n’est pas très compliquée. Il est principalement composé d'un corps de four, d'un système de chauffage, d'un mécanisme de transmission à bobine...
En savoir plus
Quels sont les défauts de la couche épitaxiale de carbure de silicium
par administrateur le 24-06-05
La technologie de base pour la croissance des matériaux épitaxiaux SiC est premièrement la technologie de contrôle des défauts, en particulier pour la technologie de contrôle des défauts qui est sujette à une défaillance du dispositif ou à une dégradation de la fiabilité. L'étude du mécanisme des défauts du substrat s'étendant jusque dans l'épi...
En savoir plus
Technologie de grain sur pied oxydé et de croissance épitaxiale-Ⅱ
par administrateur le 24-05-30
2. Croissance de couches minces épitaxiales Le substrat fournit une couche de support physique ou une couche conductrice pour les dispositifs électriques Ga2O3. La prochaine couche importante est la couche de canal ou couche épitaxiale utilisée pour la résistance à la tension et le transport des porteurs. Afin d'augmenter la tension de claquage et de minimiser les con...
En savoir plus
Technologie de croissance épitaxiale et monocristalline d'oxyde de gallium
par administrateur le 24-05-30
Les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG), représentés par le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), ont reçu une large attention. Les gens attendent beaucoup des perspectives d'application du carbure de silicium dans les véhicules électriques et les réseaux électriques, ainsi que des perspectives d'application du gallium...
En savoir plus
Quels sont les obstacles techniques au carbure de silicium ?Ⅱ
par administrateur le 24-05-22
Les difficultés techniques liées à la production stable et en masse de plaquettes de carbure de silicium de haute qualité avec des performances stables comprennent : 1) Étant donné que les cristaux doivent se développer dans un environnement scellé à haute température au-dessus de 2 000 °C, les exigences de contrôle de la température sont extrêmement élevées ; 2) Puisque le carbure de silicium a...
En savoir plus
Quels sont les freins techniques au carbure de silicium ?
par administrateur le 24-05-22
La première génération de matériaux semi-conducteurs est représentée par le silicium (Si) et le germanium (Ge) traditionnels, qui constituent la base de la fabrication des circuits intégrés. Ils sont largement utilisés dans les transistors et détecteurs basse tension, basse fréquence et basse puissance. Plus de 90 % de la production de semi-conducteurs...
En savoir plus