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Quels sont les défauts de la couche épitaxiale de carbure de silicium
par administrateur le 24-06-05
La technologie de base pour la croissance des matériaux épitaxiaux SiC est premièrement la technologie de contrôle des défauts, en particulier pour la technologie de contrôle des défauts qui est sujette à une défaillance du dispositif ou à une dégradation de la fiabilité. L'étude du mécanisme des défauts du substrat s'étendant jusqu'à l'épi...
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Technologie de grain sur pied oxydé et de croissance épitaxiale-Ⅱ
par administrateur le 24-05-30
2. Croissance de couches minces épitaxiales Le substrat fournit une couche de support physique ou une couche conductrice pour les dispositifs électriques Ga2O3. La prochaine couche importante est la couche de canal ou couche épitaxiale utilisée pour la résistance à la tension et le transport des porteurs. Afin d'augmenter la tension de claquage et de minimiser les con...
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Technologie de croissance épitaxiale et monocristalline d'oxyde de gallium
par administrateur le 24-05-30
Les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG), représentés par le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN), ont reçu une large attention. Les gens attendent beaucoup des perspectives d’application du carbure de silicium dans les véhicules électriques et les réseaux électriques, ainsi que des perspectives d’application du gallium...
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Quels sont les obstacles techniques au carbure de silicium ?Ⅱ
par administrateur le 24-05-22
Les difficultés techniques liées à la production stable et en masse de plaquettes de carbure de silicium de haute qualité avec des performances stables comprennent : 1) Étant donné que les cristaux doivent se développer dans un environnement scellé à haute température au-dessus de 2 000 °C, les exigences de contrôle de la température sont extrêmement élevées ; 2) Puisque le carbure de silicium a...
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Quels sont les freins techniques au carbure de silicium ?
par administrateur le 24-05-22
La première génération de matériaux semi-conducteurs est représentée par le silicium (Si) et le germanium (Ge) traditionnels, qui constituent la base de la fabrication des circuits intégrés. Ils sont largement utilisés dans les transistors et détecteurs basse tension, basse fréquence et basse puissance. Plus de 90 % de la production de semi-conducteurs...
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Comment est fabriquée la micropoudre SiC ?
par administrateur le 24-05-13
Le monocristal SiC est un matériau semi-conducteur composé du groupe IV-IV composé de deux éléments, Si et C, dans un rapport stoechiométrique de 1:1. Sa dureté est juste derrière le diamant. La méthode de réduction du carbone de l'oxyde de silicium pour préparer du SiC est principalement basée sur la formule de réaction chimique suivante...
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Comment les couches épitaxiales aident-elles les dispositifs semi-conducteurs ?
par administrateur le 24-05-13
L'origine du nom plaquette épitaxiale Tout d'abord, vulgarisons un petit concept : la préparation d'une plaquette comprend deux maillons majeurs : la préparation du substrat et le processus d'épitaxie. Le substrat est une tranche constituée d'un matériau monocristallin semi-conducteur. Le substrat peut entrer directement dans la fabrication des plaquettes...
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Introduction à la technologie de dépôt de couches minces par dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
par administrateur le 24-05-06
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est une technologie importante de dépôt de couches minces, souvent utilisée pour préparer divers films fonctionnels et matériaux en couches minces, et est largement utilisée dans la fabrication de semi-conducteurs et dans d'autres domaines. 1. Principe de fonctionnement du CVD Dans le procédé CVD, un précurseur gazeux (un ou...
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Le secret de « l’or noir » derrière l’industrie des semi-conducteurs photovoltaïques : le désir et la dépendance au graphite isostatique
par administrateur le 24-05-06
Le graphite isostatique est un matériau très important dans le photovoltaïque et les semi-conducteurs. Avec l’essor rapide des entreprises nationales de graphite isostatique, le monopole des entreprises étrangères en Chine a été brisé. Grâce à une recherche et un développement indépendants continus et à des percées technologiques, le ...
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