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Nouvelles

  • Principe du creuset en graphite PECVD pour cellule solaire (revêtement) | VET Energy

    Principe du creuset en graphite PECVD pour cellule solaire (revêtement) | VET Energy

    Tout d'abord, il est nécessaire de comprendre le PECVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma). Le plasma résulte de l'intensification de l'agitation thermique des molécules de matériau. Les collisions entre ces molécules provoquent leur ionisation, transformant le matériau en un mélange de plasma et d'ions.
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  • Comment les véhicules à énergies nouvelles parviennent-ils à un freinage assisté par le vide ? | VET Energy

    Comment les véhicules à énergies nouvelles parviennent-ils à un freinage assisté par le vide ? | VET Energy

    Les véhicules à énergies nouvelles ne sont pas équipés de moteurs à combustion. Comment réalisent-ils alors un freinage assisté par dépression ? Ils utilisent principalement deux méthodes : la première consiste à utiliser un système de freinage à assistance par dépression électrique. Ce système utilise un dispositif électrique…
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  • Pourquoi utilise-t-on du ruban UV pour la découpe de plaquettes de silicium ? | VET Energy

    Pourquoi utilise-t-on du ruban UV pour la découpe de plaquettes de silicium ? | VET Energy

    Une fois la plaquette passée par le processus précédent, la préparation des puces est terminée. Il faut alors la découper pour séparer les puces et enfin l'encapsuler. Le processus de découpe varie selon l'épaisseur de la plaquette : ▪ Plaquettes d'une épaisseur supérieure à…
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  • Déformation des plaquettes, que faire ?

    Déformation des plaquettes, que faire ?

    Dans un certain procédé d'encapsulation, on utilise des matériaux d'emballage présentant des coefficients de dilatation thermique différents. Lors de ce procédé, la plaquette est placée sur le substrat d'encapsulation, puis des étapes de chauffage et de refroidissement sont effectuées pour finaliser l'encapsulation. Cependant, en raison de la différence entre…
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  • Pourquoi la vitesse de réaction entre Si et NaOH est-elle plus rapide qu'avec SiO2 ?

    Pourquoi la vitesse de réaction entre Si et NaOH est-elle plus rapide qu'avec SiO2 ?

    La différence d'énergie de liaison chimique entre le silicium et l'hydroxyde de sodium, supérieure à celle observée avec le dioxyde de silicium, peut s'expliquer par les points suivants : ▪ Réaction du silicium et de l'hydroxyde de sodium : lors de la réaction du silicium avec l'hydroxyde de sodium, l'énergie de liaison Si-Si entre les atomes de silicium et…
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  • Pourquoi le silicium est-il si dur mais si cassant ?

    Pourquoi le silicium est-il si dur mais si cassant ?

    Le silicium est un cristal atomique dont les atomes sont liés entre eux par des liaisons covalentes, formant une structure de réseau spatial. Dans cette structure, les liaisons covalentes entre les atomes sont très directionnelles et possèdent une énergie de liaison élevée, ce qui confère au silicium une grande dureté lorsqu'il résiste à des forces extérieures.
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  • Pourquoi les parois latérales se courbent-elles lors de la gravure sèche ?

    Pourquoi les parois latérales se courbent-elles lors de la gravure sèche ?

    Non-uniformité du bombardement ionique. La gravure sèche est généralement un procédé combinant effets physiques et chimiques, le bombardement ionique étant une méthode de gravure physique importante. Lors de ce processus, l'angle d'incidence et la distribution énergétique des ions peuvent être irréguliers. Si l'angle d'incidence des ions...
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  • Introduction à trois technologies CVD courantes

    Introduction à trois technologies CVD courantes

    Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est la technologie la plus utilisée dans l'industrie des semi-conducteurs pour le dépôt d'une grande variété de matériaux, notamment une large gamme de matériaux isolants, la plupart des métaux et des alliages métalliques. Le CVD est une technique traditionnelle de préparation de couches minces. Son principe…
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  • Le diamant peut-il remplacer d'autres dispositifs semi-conducteurs de haute puissance ?

    Le diamant peut-il remplacer d'autres dispositifs semi-conducteurs de haute puissance ?

    Élément fondamental des dispositifs électroniques modernes, les matériaux semi-conducteurs connaissent des transformations sans précédent. Aujourd'hui, le diamant révèle progressivement son immense potentiel en tant que matériau semi-conducteur de quatrième génération, grâce à ses excellentes propriétés électriques et thermiques et à sa stabilité dans des conditions extrêmes.
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